公开(公告)号：US20100053575A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12204527

申请日：2008-09-04

Applicant: I-Hsiung Huang ,  Tsiao-Chen Wu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

Inventor： I-Hsiung Huang ,  Tsiao-Chen Wu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

IPC: G03B27/52

CPC classification number: G03B27/52 ,  G03F7/70875

Abstract: A method of patterning an integrated circuit including generating a thermal profile of a reticle is provided. The thermal profile of the reticle may illustrate heat accumulation (e.g., a temperature) in a EUV reticle due an incident EUV radiation beam. The thermal profile may be determined using the pattern density of the reticle. The reticle is irradiated with a radiation beam having an extreme ultraviolet (EUV) wavelength. A thermal control profile may be generated using the thermal profile, which may define a parameter of the lithography process such as, a temperature gradient of a thermal control chuck. The thermal control profile may be downloaded to the EUV lithography tool (e.g., scanner or stepper) for use in a process. A separate thermal control profile may be provided for different reticles.

Abstract translation: 提供一种图案化集成电路的方法，包括生成掩模版的热分布图。 掩模版的热分布可以说明由于入射的EUV辐射束而导致的EUV掩模版中的热积聚（例如，温度）。 可以使用掩模版的图案密度来确定热分布。 用具有极紫外（EUV）波长的辐射束照射掩模版。 可以使用热分布来产生热控制曲线，其可以限定光刻工艺的参数，例如热控制卡盘的温度梯度。 可以将热控制简档下载到EUV光刻工具（例如扫描器或步进器）以用于一个过程。 可以为不同的掩模版提供单独的热控制轮廓。

公开(公告)号：US20140038086A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13564198

申请日：2012-08-01

Applicant: Chih-Tsung Shih ,  Pei-Cheng Hsu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Tsiao-Chen Wu ,  Yen-Cheng Lu ,  Shu-Hao Chang ,  Chia-Jen Chen ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

Inventor： Chih-Tsung Shih ,  Pei-Cheng Hsu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Tsiao-Chen Wu ,  Yen-Cheng Lu ,  Shu-Hao Chang ,  Chia-Jen Chen ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/24

Abstract: A mask and method of fabricating same are disclosed. In an example, a mask includes a substrate, a reflective multilayer coating disposed over the substrate, an Ag2O absorber layer disposed over the reflective multilayer coating, and a tantalum-containing absorber layer disposed over the Ag2O absorber layer. The tantalum-containing absorber layer is disposed over the Ag2O absorber layer outside a mask image region of the mask, such that the mask image region of the mask is free of the tantalum-containing absorber layer. In an example, the tantalum-containing absorber layer is disposed over the Ag2O absorber layer adjacent to the mask image region.

Abstract translation: 公开了一种掩模及其制造方法。 在一个示例中，掩模包括基板，设置在基板上的反射多层涂层，设置在反射多层涂层上的Ag 2 O吸收层，以及设置在Ag 2 O吸收层上的含钽吸收层。 含钽吸收层设置在掩模的掩模图像区域外侧的Ag 2 O吸收体层上，使得掩模的掩模图像区域不含含钽吸收层。 在一个实例中，含钽吸收层设置在与掩模图像区域相邻的Ag 2 O吸收层上。

公开(公告)号：US20120219897A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13033725

申请日：2011-02-24

Applicant: Shu-Hao Chang ,  Tsiao-Chen Wu ,  Chih-Tsung Shih

Inventor： Shu-Hao Chang ,  Tsiao-Chen Wu ,  Chih-Tsung Shih

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07C309/63

CPC classification number: G03F7/038 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20

Abstract: Provided is a photoresist that includes a polymer is free of a aromatic group and a photo acid generator (PAG) that has less than three aromatic groups. In an embodiment, the PAG includes an anion component and a cation component. The anion component has one of the following chemical formulas: R31C—CR21—CR21—CR21—SO3− R31C—CR21—CR21—SO3− R31C—CR21—SO3− R31C—SO3− The cation component has one of the following chemical formulas: Wherein R1 and R2 each represent a chemical compound.

Abstract translation: 提供了包含不含芳族基团的聚合物和具有少于三个芳族基团的光酸产生剂（PAG）的光致抗蚀剂。 在一个实施方案中，PAG包括阴离子组分和阳离子组分。 阴离子成分具有以下化学式之一：R31C-CR21-CR21-CR21-SO3-R31C-CR21-CR21-SO3-R31C-CR21-SO3-R31C-SO3-阳离子成分具有以下化学式之一： 其中R1和R2各自表示化合物。

公开(公告)号：US08124323B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US11861064

申请日：2007-09-25

Applicant: Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

Inventor： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

IPC: G03F7/26

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035

Abstract: The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

Abstract translation: 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

公开(公告)号：US07838173B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11565743

申请日：2006-12-01

Applicant: Ya Hui Chang ,  Tsiao Chen Wu ,  Shih-Che Wang

Inventor： Ya Hui Chang ,  Tsiao Chen Wu ,  Shih-Che Wang

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/36

Abstract: The present disclosure provides a mask. The mask includes a substrate; a first attenuating layer disposed on the substrate, having a first material and a first thickness corresponding to a phase shift; and a second attenuating layer having a second material and disposed on the first attenuating layer. The first and second attenuating layers define a first feature having a first opening extending through the first and second attenuating layers; and a second feature having a second opening extending through the second attenuating layer and exposing the first attenuating layer. One of the first and second features is a main feature and the other one is an assistant feature proximate to the main feature.

Abstract translation: 本公开提供了一种掩模。 掩模包括基底; 设置在所述基板上的第一衰减层，具有对应于相移的第一材料和第一厚度; 以及具有第二材料并设置在第一衰减层上的第二衰减层。 第一和第二衰减层限定第一特征，其具有延伸穿过第一和第二衰减层的第一开口; 以及具有延伸穿过第二衰减层并暴露第一衰减层的第二开口的第二特征。 第一和第二特征之一是主要特征，另一个是靠近主要特征的辅助功能。

公开(公告)号：US09081280B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US13033725

申请日：2011-02-24

Applicant: Shu-Hao Chang ,  Tsiao-Chen Wu ,  Chih-Tsung Shih

Inventor： Shu-Hao Chang ,  Tsiao-Chen Wu ,  Chih-Tsung Shih

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12

CPC classification number: G03F7/038 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20

Abstract: Provided is a photoresist that includes a polymer is free of a aromatic group and a photo acid generator (PAG) that has less than three aromatic groups. In an embodiment, the PAG includes an anion component and a cation component. The anion component has one of the following chemical formulas: R31C—CR21—CR21—CR21—SO3− R31C—CR21—CR21—SO3− R31C—CR21—SO3− R31C—SO3− The cation component has one of the following chemical formulas: Wherein R1 and R2 each represent a chemical compound.

Abstract translation: 提供了包含不含芳族基团的聚合物和具有少于三个芳族基团的光酸产生剂（PAG）的光致抗蚀剂。 在一个实施方案中，PAG包括阴离子组分和阳离子组分。 阴离子成分具有以下化学式之一：R31C-CR21-CR21-CR21-SO3-R31C-CR21-CR21-SO3-R31C-CR21-SO3-R31C-SO3-阳离子成分具有以下化学式之一： 其中R1和R2各自表示化合物。

公开(公告)号：US08394576B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US13346917

申请日：2012-01-10

Applicant: Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

Inventor： Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

IPC: G03F7/26

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035

Abstract: The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

Abstract translation: 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

公开(公告)号：US20090081591A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11861064

申请日：2007-09-25

Applicant: Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

Inventor： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/405 ,  G03F7/0035

Abstract: The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

Abstract translation: 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

公开(公告)号：US07169701B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10882058

申请日：2004-06-30

Applicant: Chen-Nan Yeh ,  Tsiao-Chen Wu ,  Chao-Cheng Chen

Inventor： Chen-Nan Yeh ,  Tsiao-Chen Wu ,  Chao-Cheng Chen

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2221/1031

Abstract: A method for forming a dual damascene including providing a first dielectric insulating layer including a via opening; forming an organic dielectric layer over the first IMD layer to include filling the via opening; forming a hardmask layer over the organic dielectric layer; photolithographically patterning and dry etching the hardmask layer and organic dielectric layer to leave a dummy portion overlying the via opening; forming an oxide liner over the dummy portion; forming a second dielectric insulating layer over the oxide liner to surround the dummy portion; planarizing the second dielectric insulating layer to expose the upper portion of the dummy portion; and, removing the organic dielectric layer to form a dual damascene opening including the oxide liner lining trench line portion sidewalls.

Abstract translation: 一种用于形成双镶嵌的方法，包括提供包括通孔的第一介电绝缘层; 在所述第一IMD层上形成有机介电层以包括填充所述通孔; 在所述有机介电层上形成硬掩模层; 光刻图案化和干蚀刻硬掩模层和有机电介质层以留下覆盖通孔开口的虚拟部分; 在所述虚拟部分上形成氧化物衬垫; 在所述氧化物衬垫上形成围绕所述虚拟部分的第二介电绝缘层; 平面化第二介电绝缘层以暴露虚设部分的上部; 并且去除有机电介质层以形成包括氧化物衬里衬里沟槽部分侧壁的双镶嵌开口。

公开(公告)号：US08877409B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13451705

申请日：2012-04-20

Applicant: Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

Inventor： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

IPC: G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  H01L21/0337

Abstract: A reflective mask is described. The mask includes a low thermal expansion material (LTEM) substrate, a conductive layer deposited on a first surface of the LTEM substrate, a stack of reflective multilayers (ML) deposited on a second surface of the LTEM substrate, a capping layer deposited on the stack of reflective ML, a first absorption layer deposited on the first capping layer, a main pattern, and a border ditch. The border ditch reaches to the capping layer, a second absorption layer deposited inside the border ditch, and the second absorption layer contacts the capping layer. In some instances, the border ditch crosses the capping layer and partially enters the reflective multilayer.

Abstract translation: 描述了一种反光罩。 掩模包括低热膨胀材料（LTEM）衬底，沉积在LTEM衬底的第一表面上的导电层，沉积在LTEM衬底的第二表面上的反射多层堆叠（ML），沉积在 堆叠的反射ML，沉积在第一盖层上的第一吸收层，主图案和边界沟。 边界沟到达覆盖层，沉积在边界沟内的第二吸收层，第二吸收层接触覆盖层。 在一些情况下，边界沟穿过覆盖层并部分地进入反射层。