公开(公告)号：US07618133B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US11467393

申请日：2006-08-25

申请人： Koichi Kubo ,  Shogo Kawamura ,  Tetsuya Ohashi ,  Ryoji Inoue ,  Hideki Ogura ,  Yasuo Kotaki

发明人： Koichi Kubo ,  Shogo Kawamura ,  Tetsuya Ohashi ,  Ryoji Inoue ,  Hideki Ogura ,  Yasuo Kotaki

IPC分类号： B41J2/175

CPC分类号： B41J2/17513

摘要： An ink tank includes a stirrer supported in a freely moveable manner near an inner wall of an ink storage chamber. When the stirrer moves closest to the inner wall, a predetermined gap is formed between opposing surfaces of the inner wall and the stirrer.

摘要翻译： 墨罐包括以可自由移动的方式支撑在墨水储存室的内壁附近的搅拌器。 当搅拌器最靠近内壁移动时，在内壁和搅拌器的相对表面之间形成预定间隙。

公开(公告)号：US20090121208A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12271434

申请日：2008-11-14

申请人： Hiroyuki Nagashima ,  Koichi Kubo ,  Hirofumi Inoue

发明人： Hiroyuki Nagashima ,  Koichi Kubo ,  Hirofumi Inoue

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L27/101 ,  H01L27/112 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of first lines; a plurality of second lines crossing the plurality of first lines; a plurality of memory cells each connected at an intersection of the first and second lines between both lines and including a variable resistor operative to store information in accordance with a variation in resistance; and a protection film covering the side of the variable resistor to suppress migration of cations at the side of the variable resistor.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括多条第一线; 多条第二线穿过多条第一线; 多个存储单元，每个存储单元分别连接在两条线之间的第一和第二线的交点处，并且包括可变电阻，用于根据电阻的变化存储信息; 以及覆盖可变电阻器一侧的保护膜，以抑制可变电阻器一侧的阳离子迁移。

公开(公告)号：US20080310211A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12140818

申请日：2008-06-17

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; at least one cell array formed above the semiconductor substrate, each memory cell having a stack structure of a variable resistance element and an access element, the access element having such an off-state resistance value in a certain voltage range that is ten times or more as high as that in a select state; and a read/write circuit formed on the semiconductor substrate as underlying the cell array, wherein the variable resistance element comprises a recording layer formed of a first composite compound expressed by AxMyOz (where “A” and “M” are cation elements different from each other; “O” oxygen; and 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦2.5 and 1.5≦z≦4.5) and a second composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的至少一个单元阵列，每个存储单元具有可变电阻元件和存取元件的堆叠结构，所述存取元件具有在十倍或更多的一定电压范围内的截止电阻值 与选择状态一样高; 以及形成在半导体基板上的读/写电路，其形成在单元阵列的下方，其中可变电阻元件包括由由AxMyOz表示的第一复合化合物形成的记录层（其中“A”和“M”是每个不同的阳离子元素 另一个;“O”氧;和0.5 <= x <= 1.5,0.5 <= y <= 2.5和1.5 <= z <= 4.5）和第二复合化合物，其含有至少一个过渡元素和用于容纳 阳离子离子

公开(公告)号：US07459716B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11761333

申请日：2007-06-11

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： H01L29/02 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  Y10S438/936

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; cell arrays stacked above the substrate, bit lines word lines; a read/write circuit formed on the semiconductor substrate; first and second vertical wirings disposed to connect the bit lines to the read/write circuit; and third vertical wirings disposed to connect the word lines to the read/write circuit, wherein the memory cell includes a variable resistance element for storing as information a resistance value, which has a recording layer formed of a first composite compound expressed by AxMyOz (where “A” and “M” are cation elements different from each other; “O” oxygen; and 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦2.5 and 1.5≦z≦4.5) and a second composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 单元阵列堆叠在基板上方，位线字线; 形成在半导体衬底上的读/写电路; 布置成将位线连接到读/写电路的第一和第二垂直布线; 以及第三垂直布线，用于将字线连接到读/写电路，其中存储单元包括可变电阻元件，用于存储作为信息的电阻值，该电阻值具有由AxMyOz表示的第一复合化合物形成的记录层（其中 “A”和“M”是彼此不同的阳离子元素;“O”氧; 0.5 <= x <= 1.5,0.5 <= y <= 2.5和1.5 <= z <= 4.5）和第二复合化合物 含有至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位。

公开(公告)号：US20070285971A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11761808

申请日：2007-06-12

申请人： HARUKI TODA ,  KOICHI KUBO

发明人： HARUKI TODA ,  KOICHI KUBO

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C11/36 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A resistance change memory device including: a substrate; cell arrays stacked thereabove, each including a matrix layout of memory cells; a write circuit configured to write a pair cell constituted by two neighboring memory cells; and a read circuit configured to read complementary resistance value states of the pair cell as one bit of data, wherein the memory cell includes a variable resistance element for storing as information a resistance value. The variable resistance element has: a recording layer formed of a composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion; and electrodes formed on the opposite sides of the recording layer, one of the electrodes serving as a cation source in a write or erase mode for supplying a cation to the recording layer to be housed in the cavity site therein.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：衬底; 单元阵列堆叠在其上，每个包括存储单元的矩阵布局; 写入电路，被配置为写入由两个相邻存储器单元构成的对单元; 以及读取电路，被配置为读取所述对单元的互补电阻值状态作为数据的一位，其中所述存储单元包括用于存储作为信息电阻值的可变电阻元件。 可变电阻元件具有：由包含至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位的复合化合物形成的记录层; 以及形成在记录层的相对侧上的电极，其中一个电极用作写入或擦除模式中的阳离子源，用于将阳离子供应到要容纳在其中的空腔位置的记录层。

公开(公告)号：US20070285969A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11761738

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C11/36 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： A resistance change memory device including: a substrate; cell arrays stacked thereabove, each including a matrix layout of memory cells; a write circuit configured to write a pair cell constituted by two neighboring memory cells; and a read circuit configured to read complementary resistance value states of the pair cell as one bit of data, wherein the memory cell includes a variable resistance element for storing as information a resistance value, and wherein the variable resistance element has a recording layer formed of a first composite compound expressed by AxMyOz (where “A” and “M” are cation elements different from each other; “O” oxygen; and 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦2.5 and 1.5≦z≦4.5) and a second composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：衬底; 单元阵列堆叠在其上，每个包括存储单元的矩阵布局; 写入电路，被配置为写入由两个相邻存储器单元构成的对单元; 以及读取电路，被配置为读取所述对单元的互补电阻值状态作为数据的一位，其中所述存储单元包括用于存储作为信息的电阻值的可变电阻元件，并且其中所述可变电阻元件具有由 由A M和Y M表示的第一复合化合物（其中“A”和“M”是彼此不同的阳离子元素; “O”氧;和0.5 <= x <= 1.5,0.5 <= y <= 2.5和1.5 <= z <= 4.5）和第二复合化合物，其含有至少一个过渡元素和用于容纳阳离子离子的空腔部位 。

公开(公告)号：US20070285968A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11761400

申请日：2007-06-12

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; at least one cell array formed above the semiconductor substrate, each memory cell having a stack structure of a variable resistance element and an access element, the access element having such an off-state resistance value in a certain voltage range that is ten times or more as high as that in a select state; and a read/write circuit formed on the semiconductor substrate as underlying the cell array for data reading and writing, wherein the variable resistance element comprises a recording layer composed of a composite compound containing at least two types of cation elements, at least one type of the cation element being a transition element having “d” orbit, in which electrons are incompletely filled, the shortest distance between adjacent cation elements being 0.32 nm or less.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的至少一个单元阵列，每个存储单元具有可变电阻元件和存取元件的堆叠结构，所述存取元件具有在十倍或更多的一定电压范围内的截止电阻值 与选择状态一样高; 以及形成在半导体基板上的用于数据读写的单元阵列下面的读/写电路，其中可变电阻元件包括由包含至少两种类型的阳离子元素的复合化合物组成的记录层，至少一种 阳离子元素是具有“d”轨道的过渡元素，其中电子未完全填充，相邻阳离子元素之间的最短距离为0.32nm以下。

公开(公告)号：US20070285965A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11761333

申请日：2007-06-11

申请人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

发明人： Haruki Toda ,  Koichi Kubo

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  Y10S438/936

摘要： A resistance change memory device including: a semiconductor substrate; cell arrays stacked above the substrate, bit lines word lines; a read/write circuit formed on the semiconductor substrate; first and second vertical wirings disposed to connect the bit lines to the read/write circuit; and third vertical wirings disposed to connect the word lines to the read/write circuit, wherein the memory cell includes a variable resistance element for storing as information a resistance value, which has a recording layer formed of a first composite compound expressed by AxMyOz (where “A” and “M” are cation elements different from each other; “O” oxygen; and 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦2.5 and 1.5≦z≦4.5) and a second composite compound containing at least one transition element and a cavity site for housing a cation ion.

摘要翻译： 一种电阻变化存储器件，包括：半导体衬底; 单元阵列堆叠在基板上方，位线字线; 形成在半导体衬底上的读/写电路; 布置成将位线连接到读/写电路的第一和第二垂直布线; 以及第三垂直布线，用于将字线连接到读/写电路，其中存储单元包括可变电阻元件，用于存储作为信息的电阻值，该电阻值具有由A

公开(公告)号：US20070047418A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11495591

申请日：2006-07-31

申请人： Koichi Kubo ,  Hiroshi Watanabe ,  Katsuyuki Naito ,  Takahiro Hirai

发明人： Koichi Kubo ,  Hiroshi Watanabe ,  Katsuyuki Naito ,  Takahiro Hirai

IPC分类号： G11B7/00 ,  G11B9/00

CPC分类号： G11B9/08 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472 ,  G11B11/08

摘要： A recording/reproducing head includes a laminated body facing to a recording medium, the body including a first conductive layer, a first insulating layer and a second conductive layer which are sequentially stacked. The first conductive layer generates electrons and injects the electrons into the recording medium through the first insulating layer.

摘要翻译： 记录/再现头包括面向记录介质的层叠体，该主体包括依次层叠的第一导电层，第一绝缘层和第二导电层。 第一导电层产生电子并通过第一绝缘层将电子注入到记录介质中。

公开(公告)号：USD696721S1

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US29427618

申请日：2012-07-20

申请人： Takatoshi Kitagawa ,  Hideo Fukazawa ,  Takashi Kusanagi ,  Yasuo Kotaki ,  Tetsuya Ohashi ,  Hitoshi Takada ,  Koichi Kubo ,  Takeho Miyashita

设计人： Takatoshi Kitagawa ,  Hideo Fukazawa ,  Takashi Kusanagi ,  Yasuo Kotaki ,  Tetsuya Ohashi ,  Hitoshi Takada ,  Koichi Kubo ,  Takeho Miyashita