公开(公告)号：US20080099875A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US12003040

申请日：2007-12-19

申请人： Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

发明人： Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a strained SOI structure and a method of manufacturing the strained SOI structure. The strained SOI structure includes an insulating substrate, a SiO2 layer formed on the insulating substrate, and a strained silicon layer formed on the SiO2 layer.

公开(公告)号：US20070284611A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11843166

申请日：2007-08-22

申请人： Young-soo PARK ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

发明人： Young-soo PARK ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a strained SOI structure and a method of manufacturing the strained SOI structure. The strained SOI structure includes an insulating substrate, a SiO2 layer formed on the insulating substrate, and a strained silicon layer formed on the SiO2 layer.

摘要翻译： 提供了一种应变SOI结构和制造应变SOI结构的方法。 应变SOI结构包括绝缘衬底，形成在绝缘衬底上的SiO 2层以及形成在SiO 2层上的应变硅层。

公开(公告)号：US07679140B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US12003040

申请日：2007-12-19

申请人： Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

发明人： Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

IPC分类号： H01L27/01

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a strained SOI structure and a method of manufacturing the strained SOI structure. The strained SOI structure includes an insulating substrate, a SiO2 layer formed on the insulating substrate, and a strained silicon layer formed on the SiO2 layer.

摘要翻译： 提供了一种应变SOI结构和制造应变SOI结构的方法。 应变SOI结构包括绝缘衬底，形成在绝缘衬底上的SiO 2层和形成在SiO 2层上的应变硅层。

公开(公告)号：US20050139882A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11024469

申请日：2004-12-30

申请人： Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi ,  In-kyeong Yoo ,  Young-soo Park

发明人： Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi ,  In-kyeong Yoo ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L21/3205 ,  G11C11/22 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

摘要： In an electronic device, and a method of manufacturing the same, the electronic device includes a first substrate, a first lower capacitor on the first substrate, a first lower switching element on the first lower capacitor, and a second substrate on the first lower switching element. The electronic device may further include a second lower switching element which is isolated from the first lower capacitor, and an upper capacitor on the second substrate, the lower electrode of the upper capacitor being connected to the second lower switching element.

摘要翻译： 在电子设备及其制造方法中，电子设备包括第一基板，第一基板上的第一下部电容器，第一下部电容器上的第一下部开关元件，以及第一下部开关 元件。 电子设备还可以包括与第一下电容器隔离的第二下开关元件和第二基板上的上电容器，上电容器的下电极连接到第二下开关元件。

公开(公告)号：US20100193797A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12662272

申请日：2010-04-08

申请人： Huaxing Yin ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Kyung-bae Park

发明人： Huaxing Yin ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Kyung-bae Park

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281

摘要： Stacked transistors and electronic devices including the stacked transistors. An electronic device includes a substrate, a first transistor on the substrate and including a first active layer, a first gate, and a first gate insulating layer between the first active layer and the first gate, a first metal line spaced apart from the first gate on the substrate, a first insulating layer covering the first transistor and the first metal line, and a second transistor on the first insulating layer between the first transistor and the first metal line, and including a second active layer, a second gate, and a second gate insulating layer between the second active layer and the second gate.

摘要翻译： 堆叠晶体管和包括堆叠晶体管的电子器件。 电子器件包括衬底，衬底上的第一晶体管，并且在第一有源层和第一栅极之间包括第一有源层，第一栅极和第一栅极绝缘层，与第一栅极间隔开的第一金属线 在所述基板上，覆盖所述第一晶体管和所述第一金属线的第一绝缘层，以及在所述第一晶体管和所述第一金属线之间的所述第一绝缘层上的第二晶体管，并且包括第二有源层，第二栅极和 第二栅极绝缘层，位于第二有源层和第二栅极之间。

公开(公告)号：US07560317B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11493182

申请日：2006-07-26

申请人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Hans S. Cho ,  Kyung-bae Park

发明人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Hans S. Cho ,  Kyung-bae Park

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66772

摘要： Provided are a method of forming a single crystalline silicon layer, a structure including the same, and method of fabricating a thin film transistor (“TFT”) using the same. The method of forming the single crystalline silicon layer includes forming a silicon nitride layer on a substrate, forming an insulating layer on the silicon nitride layer, forming a hole in the insulating layer to a predetermined dimension, depositing a first silicon layer on an exposed bottom of the hole using a selective deposition process, depositing a second silicon layer on the insulating layer and the first silicon layer formed in the hole, and crystallizing the second silicon layer using a thermal process. In this method, a high-quality single crystalline silicon layer can be obtained.

摘要翻译： 提供了形成单晶硅层的方法，包括其的结构，以及使用其制造薄膜晶体管（“TFT”）的方法。 形成单晶硅层的方法包括在衬底上形成氮化硅层，在氮化硅层上形成绝缘层，在绝缘层中形成预定尺寸的孔，在暴露的底部上沉积第一硅层 使用选择性沉积工艺，在绝缘层上沉积第二硅层和在孔中形成的第一硅层，并使用热处理使第二硅层结晶。 在该方法中，可以获得高品质的单晶硅层。

公开(公告)号：US07544585B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US12003039

申请日：2007-12-19

申请人： Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

发明人： Young-soo Park ,  Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76259 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/933 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a strained SOI structure and a method of manufacturing the strained SOI structure. The strained SOI structure includes an insulating substrate, a SiO2 layer formed on the insulating substrate, and a strained silicon layer formed on the SiO2 layer.

摘要翻译： 提供了应变SOI结构和制造应变SOI结构的方法。 应变SOI结构包括绝缘衬底，形成在绝缘衬底上的SiO 2层和形成在SiO 2层上的应变硅层。

公开(公告)号：US07482648B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11024469

申请日：2004-12-30

申请人： Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi ,  In-kyeong Yoo ,  Young-soo Park

发明人： Wenxu Xianyu ,  Takashi Noguchi ,  In-kyeong Yoo ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L31/119

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

摘要： In an electronic device, and a method of manufacturing the same, the electronic device includes a first substrate, a first lower capacitor on the first substrate, a first lower switching element on the first lower capacitor, and a second substrate on the first lower switching element. The electronic device may further include a second lower switching element which is isolated from the first lower capacitor, and an upper capacitor on the second substrate, the lower electrode of the upper capacitor being connected to the second lower switching element.

摘要翻译： 在电子设备及其制造方法中，电子设备包括第一基板，第一基板上的第一下部电容器，第一下部电容器上的第一下部开关元件，以及第一下部开关 元件。 电子设备还可以包括与第一下电容器隔离的第二下开关元件和第二基板上的上电容器，上电容器的下电极连接到第二下开关元件。

公开(公告)号：US20060099777A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US11270607

申请日：2005-11-10

申请人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu

发明人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

摘要： A method for forming a single-crystal silicon film of high quality is provided. The method includes the operations of: growing single-crystal silicon to a predetermined thickness of a crystal growth plate; depositing a buffer layer on the single-crystal silicon layer; forming a partition layer at a predetermined depth in the single-crystal silicon layer by implanting hydrogen ions in the single-crystal silicon layer from an upper portion of an insulating layer; attaching a substrate onto the buffer layer; and cutting the partition layer of the single-crystal silicon layer by heating the partition layer from the crystal growth plate to obtain a single-crystal silicon layer of a predetermined thickness on the substrate.

摘要翻译： 提供了一种形成高质量单晶硅膜的方法。 该方法包括以下操作：将单晶硅生长至预定厚度的晶体生长板; 在单晶硅层上沉积缓冲层; 通过从绝缘层的上部注入单晶硅层中的氢离子，在单晶硅层中形成预定深度的分隔层; 将衬底附着到缓冲层上; 以及通过从晶体生长板加热分隔层来切割单晶硅层的分隔层，以在基板上获得预定厚度的单晶硅层。

公开(公告)号：US07402465B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11270607

申请日：2005-11-10

申请人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu

发明人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

摘要： A method for forming a single-crystal silicon film of high quality is provided. The method includes the operations of: growing single-crystal silicon to a predetermined thickness of a crystal growth plate; depositing a buffer layer on the single-crystal silicon layer; forming a partition layer at a predetermined depth in the single-crystal silicon layer by implanting hydrogen ions in the single-crystal silicon layer from an upper portion of an insulating layer; attaching a substrate onto the buffer layer; and cutting the partition layer of the single-crystal silicon layer by heating the partition layer from the crystal growth plate to obtain a single-crystal silicon layer of a predetermined thickness on the substrate.

摘要翻译： 提供了一种形成高质量单晶硅膜的方法。 该方法包括以下操作：将单晶硅生长至预定厚度的晶体生长板; 在单晶硅层上沉积缓冲层; 通过从绝缘层的上部注入单晶硅层中的氢离子，在单晶硅层中形成预定深度的分隔层; 将衬底附着到缓冲层上; 以及通过从晶体生长板加热分隔层来切割单晶硅层的分隔层，以在基板上获得预定厚度的单晶硅层。