公开(公告)号：US07772711B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11430117

申请日：2006-05-09

申请人： Takashi Noguchi ,  Hans S. Cho ,  Wenxu Xianyu ,  Do-young Kim ,  Jang-yeong Kwon ,  Huaxiang Yin ,  Kyung-bae Park ,  Xiaoxin Zhang

发明人： Takashi Noguchi ,  Hans S. Cho ,  Wenxu Xianyu ,  Do-young Kim ,  Jang-yeong Kwon ,  Huaxiang Yin ,  Kyung-bae Park ,  Xiaoxin Zhang

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7842 ,  Y10S257/903

摘要： A semiconductor device including a substrate, a P-MOS single crystal TFT formed on the substrate, and an N-MOS single crystal TFT formed on the P-MOS single crystal TFT. The source region of the P-MOS single crystal TFT and the source region of the N-MOS single crystal TFT may be connected to each other. The P-MOS single crystal TFT and the N-MOS single crystal TFT may share a common gate. Also, the P-MOS single crystal TFT may include a single crystal silicon layer with a crystal plane of (100) and a crystal direction of . The N-MOS single crystal TFT may include a single crystal silicon layer having the same crystal direction as the single crystal silicon layer of the P-MOS single crystal TFT and having a tensile stress greater than the single crystal silicon layer of the P-MOS single crystal TFT.

摘要翻译： 包括基板，形成在基板上的P-MOS单晶TFT的半导体器件和形成在P-MOS单晶TFT上的N-MOS单晶TFT。 P-MOS单晶TFT的源极区域和N-MOS单晶TFT的源极区域可以彼此连接。 P-MOS单晶TFT和N-MOS单晶TFT可以共用公共栅极。 此外，P-MOS单晶TFT可以包括具有（100）的晶面并且晶体方向<100的单晶硅层。 N-MOS单晶TFT可以包括与P-MOS单晶TFT的单晶硅层相同的晶体方向的单晶硅层，其拉应力大于P-MOS的单晶硅层 单晶TFT。

公开(公告)号：US07560317B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11493182

申请日：2006-07-26

申请人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Hans S. Cho ,  Kyung-bae Park

发明人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Hans S. Cho ,  Kyung-bae Park

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66772

摘要： Provided are a method of forming a single crystalline silicon layer, a structure including the same, and method of fabricating a thin film transistor (“TFT”) using the same. The method of forming the single crystalline silicon layer includes forming a silicon nitride layer on a substrate, forming an insulating layer on the silicon nitride layer, forming a hole in the insulating layer to a predetermined dimension, depositing a first silicon layer on an exposed bottom of the hole using a selective deposition process, depositing a second silicon layer on the insulating layer and the first silicon layer formed in the hole, and crystallizing the second silicon layer using a thermal process. In this method, a high-quality single crystalline silicon layer can be obtained.

摘要翻译： 提供了形成单晶硅层的方法，包括其的结构，以及使用其制造薄膜晶体管（“TFT”）的方法。 形成单晶硅层的方法包括在衬底上形成氮化硅层，在氮化硅层上形成绝缘层，在绝缘层中形成预定尺寸的孔，在暴露的底部上沉积第一硅层 使用选择性沉积工艺，在绝缘层上沉积第二硅层和在孔中形成的第一硅层，并使用热处理使第二硅层结晶。 在该方法中，可以获得高品质的单晶硅层。

公开(公告)号：US07662678B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11473067

申请日：2006-06-23

申请人： Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Young-Soo Park ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Kyung-Bae Park ,  Suk-Pil Kim

发明人： Wenxu Xianyu ,  Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Young-Soo Park ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Kyung-Bae Park ,  Suk-Pil Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/76

CPC分类号： C30B29/06 ,  Y10T428/10

摘要： Provided are methods of forming a more highly-oriented silicon thin layer having a larger grain size, and a substrate having the same. The methods may include forming an aluminum (Al) layer on a base substrate, forming a more highly-oriented Al layer by recrystallizing the Al layer under vacuum, forming a more highly-oriented γ-Al2O3 layer on the more highly-oriented Al layer and/or epitaxially growing a silicon layer on the more highly-oriented γ-Al2O3 layer. The method may be used to manufacture a semiconductor device having higher carrier mobility.

摘要翻译： 提供了形成具有较大晶粒尺寸的更高取向硅薄层的方法以及具有其的基板。 所述方法可以包括在基底上形成铝（Al）层，通过在真空下重结晶Al层形成更高取向的Al层，在更高取向的Al层上形成更高取向的γ-Al 2 O 3层 和/或在更高取向的γ-Al 2 O 3层上外延生长硅层。 该方法可用于制造具有较高载流子迁移率的半导体器件。

公开(公告)号：US20060292313A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11473067

申请日：2006-06-23

申请人： Wenxu Xianyu ,  Hans Cho ,  Takashi Noguchi ,  Young-Soo Park ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Kyung-Bae Park ,  Suk-Pil Kim

发明人： Wenxu Xianyu ,  Hans Cho ,  Takashi Noguchi ,  Young-Soo Park ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin ,  Hyuck Lim ,  Kyung-Bae Park ,  Suk-Pil Kim

IPC分类号： C09K19/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  Y10T428/10

摘要： Provided are methods of forming a more highly-oriented silicon thin layer having a larger grain size, and a substrate having the same. The methods may include forming an aluminum (Al) layer on a base substrate, forming a more highly-oriented Al layer by recrystallizing the Al layer under vacuum, forming a more highly-oriented γ-Al2O3 layer on the more highly-oriented Al layer and/or epitaxially growing a silicon layer on the more highly-oriented γ-Al2O3 layer. The method may be used to manufacture a semiconductor device having higher carrier mobility.

摘要翻译： 提供了形成具有较大晶粒尺寸的更高取向硅薄层的方法以及具有其的基板。 所述方法可以包括在基底基板上形成铝（Al）层，通过在真空下重结晶Al层，形成更高取向的Al层，形成更高取向的γ-Al 2 O 在更高取向的Al层上和/或在更高取向的γ-Al 2 O 3上外延生长硅层3层 >层。 该方法可用于制造具有较高载流子迁移率的半导体器件。

公开(公告)号：US20070048912A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11493182

申请日：2006-07-26

申请人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Hans Cho ,  Kyung-bae Park

发明人： Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Hans Cho ,  Kyung-bae Park

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66772

摘要： Provided are a method of forming a single crystalline silicon layer, a structure including the same, and method of fabricating a thin film transistor (“TFT”) using the same. The method of forming the single crystalline silicon layer includes forming a silicon nitride layer on a substrate, forming an insulating layer on the silicon nitride layer, forming a hole in the insulating layer to a predetermined dimension, depositing a first silicon layer on an exposed bottom of the hole using a selective deposition process, depositing a second silicon layer on the insulating layer and the first silicon layer formed in the hole, and crystallizing the second silicon layer using a thermal process. In this method, a high-quality single crystalline silicon layer can be obtained.

摘要翻译： 提供了形成单晶硅层的方法，包括其的结构，以及使用其制造薄膜晶体管（“TFT”）的方法。 形成单晶硅层的方法包括在衬底上形成氮化硅层，在氮化硅层上形成绝缘层，在绝缘层中形成预定尺寸的孔，在暴露的底部上沉积第一硅层 使用选择性沉积工艺，在绝缘层上沉积第二硅层和在孔中形成的第一硅层，并使用热处理使第二硅层结晶。 在该方法中，可以获得高品质的单晶硅层。

公开(公告)号：US20100200834A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12659776

申请日：2010-03-22

申请人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

发明人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/04 ,  H01L29/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/943

摘要： Example embodiments relate to a crystalline nanowire substrate having a structure in which a crystalline nanowire film having a relatively fine line-width may be formed on a substrate, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a thin film transistor using the same. The method of manufacturing the crystalline nanowire substrate may include preparing a substrate, forming an insulating film on the substrate, forming a silicon film on the insulating film, patterning the insulating film and the silicon film into a strip shape, reducing the line-width of the insulating film by undercut etching at least one lateral side of the insulating film, and forming a self-aligned silicon nanowire film on an upper surface of the insulating film by melting and crystallizing the silicon film.

摘要翻译： 示例性实施例涉及具有其中可以在基板上形成具有相对较细的线宽的结晶纳米线膜的结构的晶体纳米线基板及其制造方法，以及使用其制造薄膜晶体管的方法 。 制造结晶纳米线基板的方法可以包括制备基板，在基板上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成硅膜，将绝缘膜和硅膜图案化成带状，减小线宽 绝缘膜通过底切蚀刻绝缘膜的至少一个侧面，并且通过使硅膜熔化和结晶而在绝缘膜的上表面上形成自对准硅纳米线膜。

公开(公告)号：US08022408B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12659776

申请日：2010-03-22

申请人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

发明人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/943

摘要： Example embodiments relate to a crystalline nanowire substrate having a structure in which a crystalline nanowire film having a relatively fine line-width may be formed on a substrate, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a thin film transistor using the same. The method of manufacturing the crystalline nanowire substrate may include preparing a substrate, forming an insulating film on the substrate, forming a silicon film on the insulating film, patterning the insulating film and the silicon film into a strip shape, reducing the line-width of the insulating film by undercut etching at least one lateral side of the insulating film, and forming a self-aligned silicon nanowire film on an upper surface of the insulating film by melting and crystallizing the silicon film.

摘要翻译： 示例性实施例涉及具有其中可以在基板上形成具有相对较细的线宽的结晶纳米线膜的结构的晶体纳米线基板及其制造方法，以及使用其制造薄膜晶体管的方法 。 制造结晶纳米线基板的方法可以包括制备基板，在基板上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成硅膜，将绝缘膜和硅膜图案化成带状，减小线宽 绝缘膜通过底切蚀刻绝缘膜的至少一个侧面，并且通过使硅膜熔化和结晶而在绝缘膜的上表面上形成自对准硅纳米线膜。

公开(公告)号：US20100041214A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US12461315

申请日：2009-08-07

申请人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin

发明人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02636 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686

摘要： A high quality single crystal substrate and a method of fabricating the same are provided. The method of fabricating a single crystal substrate includes: forming an insulator on a substrate; forming a window in the insulator, the window exposing a portion of the substrate; forming an epitaxial growth silicon or germanium seed layer on the portion of the substrate exposed through the window; depositing a silicon or germanium material layer, which are crystallization target material layers, on the epitaxial growth silicon 6r germanium seed layer and the insulator; and crystallizing the crystallization target material layer by melting and cooling the crystallization target material layer.

摘要翻译： 提供了高质量的单晶基板及其制造方法。 制造单晶衬底的方法包括：在衬底上形成绝缘体; 在所述绝缘体中形成窗口，所述窗口暴露所述基板的一部分; 在通过窗户暴露的衬底的部分上形成外延生长硅或锗种子层; 在外延生长硅6r锗种子层和绝缘体上沉积作为结晶靶材料层的硅或锗材料层; 并且通过熔化和冷却结晶化目标材料层来使结晶目标材料层结晶。

公开(公告)号：US07566364B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11483586

申请日：2006-07-11

申请人： Wenxu Xianyu ,  Young-Soo Park ,  Takashi Noguchi ,  Hans S. Cho ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin

发明人： Wenxu Xianyu ,  Young-Soo Park ,  Takashi Noguchi ,  Hans S. Cho ,  Xiaoxin Zhang ,  Huaxiang Yin

IPC分类号： C30B25/04

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/005 ,  C30B29/08 ,  C30B29/60

摘要： Provided may be a method of fabricating nanowires and a method of fabricating a transistor having the same. The method may include: forming a template layer on a substrate, the template layer having a first lateral surface and a second lateral surface facing the first surface; forming pores in the template layer, the pores disposed between the first lateral surface and the second lateral surface in the template layer and having first apertures in the first lateral surface; forming a single-crystalline material layer contacting the first apertures disposed in the first lateral surface of the template layer; forming second apertures connecting pores disposed in the second lateral surface; supplying gaseous crystal growth materials through the second apertures; and forming crystalline nanowires in the pores by crystal growth from the single-crystalline material layer. The nanowires may be made of crystalline materials, e.g., Si or SiGe, and may be formed parallel to the substrate. Higher quality nanowires, whose orientation may be controlled, may be formed. A higher quality transistor may be formed on the substrate by applying a method of fabricating the nanowires.

摘要翻译： 可以提供制造纳米线的方法和制造具有该纳米线的晶体管的方法。 该方法可以包括：在衬底上形成模板层，模板层具有第一侧表面和面向第一表面的第二侧表面; 在模板层中形成孔，孔设置在模板层中的第一侧表面和第二侧表面之间，并且在第一侧表面中具有第一孔; 形成与设置在模板层的第一侧表面中的第一孔接触的单晶材料层; 形成连接设置在所述第二侧表面中的孔的第二孔; 通过所述第二孔提供气态晶体生长材料; 以及通过从单晶材料层的晶体生长在孔中形成结晶纳米线。 纳米线可以由例如Si或SiGe的结晶材料制成，并且可以与基底平行地形成。 可以形成其取向可以被控制的更高质量的纳米线。 可以通过应用制造纳米线的方法在衬底上形成更高质量的晶体管。

公开(公告)号：US07714330B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11889471

申请日：2007-08-14

申请人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

发明人： Hans S. Cho ,  Takashi Noguchi ,  Wenxu Xianyu ,  Do-Young Kim ,  Huaxiang Yin ,  Xiaoxin Zhang

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/78654 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/938 ,  Y10T428/26

摘要： A silicon nanowire substrate having a structure in which a silicon nanowire film having a fine line-width is formed on a substrate, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a thin film transistor using the same. The method of manufacturing the silicon nanowire substrate includes preparing a substrate, forming an insulating film on the substrate, forming a silicon film on the insulating film, patterning the insulating film and the silicon film into a strip shape, reducing the line-width of the insulating film by undercut etching at least one lateral side of the insulating film, and forming a self-aligned silicon nanowire film on an upper surface of the insulating film by melting and crystallizing the silicon film.

摘要翻译： 具有其中在衬底上形成具有细线宽度的硅纳米线膜的结构的硅纳米线衬底，其制造方法以及使用其制造薄膜晶体管的方法。 制造硅纳米线基板的方法包括：准备基板，在基板上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成硅膜，将绝缘膜和硅膜图形化成带状，减小线宽 通过对绝缘膜的至少一个侧面进行底切蚀刻来绝缘膜，并且通过使硅膜熔化和结晶，在绝缘膜的上表面上形成自对准硅纳米线膜。