公开(公告)号：US20080188041A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12079587

申请日：2008-03-26

申请人： Suman Datta ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Brian S. Doyle ,  Gilbert Dewey ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Brian S. Doyle ,  Gilbert Dewey ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78654

摘要： Embodiments of the invention provide a device with a metal gate, a high-k gate dielectric layer, source/drain extensions a distance beneath the metal gate, and lateral undercuts in the sides of the metal gate.

公开(公告)号：US20080135952A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US12031409

申请日：2008-02-14

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/49

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, then forming a trench within the first dielectric layer. After forming a second dielectric layer on the substrate, a first metal layer is formed within the trench on a first part of the second dielectric layer. A second metal layer is then formed on the first metal layer and on a second part of the second dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成第一介电层，然后在第一介电层内形成沟槽。 在衬底上形成第二电介质层之后，在第二介电层的第一部分上的沟槽内形成第一金属层。 然后在第一金属层上和第二介电层的第二部分上形成第二金属层。

公开(公告)号：US07384880B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US10964464

申请日：2004-10-12

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/823462

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises converting a hydrophobic surface of a substrate into a hydrophilic surface, and forming a high-k gate dielectric layer on the hydrophilic surface.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括将基底的疏水表面转化为亲水表面，以及在亲水表面上形成高k栅介质层。

公开(公告)号：US07323423B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US10882734

申请日：2004-06-30

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

摘要翻译： 可以在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高k金属氧化物电介质。 衬底平滑度可能降低高k金属氧化物栅极电介质的柱生长。 在沉积之前，衬底的表面可能被羟基终止物饱和。

公开(公告)号：US07279375B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US11173866

申请日：2005-06-30

申请人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Brian S. Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Brian S. Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L2029/7858

摘要： A contact architecture for nanoscale channel devices having contact structures coupling to and extending between source or drain regions of a device having a plurality of parallel semiconductor bodies. The contact structures being able to contact parallel semiconductor bodies having sub-lithographic pitch.

公开(公告)号：US07220635B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10742678

申请日：2003-12-19

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and forming a sacrificial layer on the high-k gate dielectric layer. After etching the sacrificial layer, first and second spacers are formed on opposite sides of the sacrificial layer. After removing the sacrificial layer to generate a trench that is positioned between the first and second spacers, a metal layer is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，并在高k栅极电介质层上形成牺牲层。 在蚀刻牺牲层之后，在牺牲层的相对侧上形成第一和第二间隔物。 在去除牺牲层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在高k栅介质层上形成金属层。

公开(公告)号：US07087476B2

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：US10900585

申请日：2004-07-28

申请人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

发明人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Complementary metal oxide semiconductor integrated circuits may be formed with NMOS and PMOS transistors having different gate dielectrics. The different gate dielectrics may be formed, for example, by a subtractive process. The gate dielectrics may differ in material, thickness, or formation techniques, as a few examples.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体集成电路可以由具有不同栅极电介质的NMOS和PMOS晶体管形成。 可以例如通过减法处理形成不同的栅极电介质。 作为几个示例，栅极电介质可能在材料，厚度或形成技术上不同。

公开(公告)号：US07064066B1

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US11006074

申请日：2004-12-07

申请人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

发明人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966

摘要： A method for making a titanium carbide layer is described. That method comprises alternately introducing a carbon containing precursor and a titanium containing precursor into a chemical vapor deposition reactor, while a substrate is maintained at a selected temperature. The reactor is operated for a sufficient time, and pulse times are selected for the carbon containing precursor and the titanium containing precursor, to form a titanium carbide layer of a desired thickness and workfunction on the substrate.

摘要翻译： 对碳化钛层的制造方法进行说明。 该方法包括在将基底保持在选定温度的同时将含碳前体和含钛前体交替引入化学气相沉积反应器。 反应器运行足够的时间，并且对于含碳的前体和含钛的前体选择脉冲时间，以在基底上形成所需厚度和功函数的碳化钛层。

公开(公告)号：US06887800B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：US10862169

申请日：2004-06-04

申请人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

发明人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L29/51 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/11 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises modifying a first surface, and forming a high-k gate dielectric layer on an unmodified second surface.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括修改第一表面，以及在未修改的第二表面上形成高k栅介质层。

公开(公告)号：US08129795B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US13013942

申请日：2011-01-26

申请人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Brian S. Doyle

发明人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Brian S. Doyle

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845

摘要： In a metal gate replacement process, strain may be selectively induced in the channels of NMOS and PMOS transistors. For example, a material having a higher coefficient of thermal expansion than the substrate may be used to form the gate electrodes of PMOS transistors. A material with a lower coefficient of thermal expansion than that of the substrate may be used to form the gate electrodes of NMOS transistors.

摘要翻译： 在金属栅极替换工艺中，可以在NMOS和PMOS晶体管的沟道中选择性地诱发应变。 例如，可以使用具有比衬底更高的热膨胀系数的材料来形成PMOS晶体管的栅电极。 可以使用具有比基板的热膨胀系数更低的热膨胀系数的材料来形成NMOS晶体管的栅电极。