公开(公告)号：US07615441B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11998236

申请日：2007-11-29

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

摘要翻译： 可以在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高k金属氧化物电介质。 衬底平滑度可能降低高k金属氧化物栅极电介质的柱生长。 在沉积之前，衬底的表面可能被羟基终止物饱和。

公开(公告)号：US07323423B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US10882734

申请日：2004-06-30

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

摘要翻译： 可以在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高k金属氧化物电介质。 衬底平滑度可能降低高k金属氧化物栅极电介质的柱生长。 在沉积之前，衬底的表面可能被羟基终止物饱和。

公开(公告)号：US20090042405A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12157796

申请日：2008-06-12

申请人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, a trench within the first dielectric layer, and a second dielectric layer on the substrate. The second dielectric layer has a first part that is formed in the trench and a second part. After a first metal layer with a first workfunction is formed on the first and second parts of the second dielectric layer, part of the first metal layer is converted into a second metal layer with a second workfunction.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成第一电介质层，在第一介电层内形成沟槽，在衬底上形成第二电介质层。 第二电介质层具有形成在沟槽中的第一部分和第二部分。 在第二电介质层的第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一金属层之后，第一金属层的一部分被转换成具有第二功函数的第二金属层。

公开(公告)号：US20080211033A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12151483

申请日：2008-05-07

申请人： Robert B. Turkot ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Robert B. Turkot ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层上形成金属层。 在金属层上形成掩模层之后，介电层的暴露侧面被聚合物扩散阻挡层覆盖。

公开(公告)号：US20080124857A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11556025

申请日：2006-11-02

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/762 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semoiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅极电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅极电极。

公开(公告)号：US07176090B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US10936114

申请日：2004-09-07

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian S. Doyle ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian S. Doyle ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/82385 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a dielectric layer and a sacrificial structure that comprises a first layer and a second layer, such that the second layer is formed on the first layer and is wider than the first layer. After the sacrificial structure is removed to generate a trench, a metal gate electrode is formed within the trench.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成在第一层上并且比第一层更宽。 在除去牺牲结构以产生沟槽之后，在沟槽内形成金属栅电极。

公开(公告)号：US06869889B1

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10819789

申请日：2004-04-07

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Terence Bacuita ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Terence Bacuita ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/4966

摘要： A metal carbide film may be etched in an etchant bath using sonication. The sonication may drive the reaction and, particularly, the gaseous byproducts in the form of carbon dioxide. Thus, the use of sonication invokes a favorable equilibrium to pattern metal carbide films, for example, for use as metal gate electrodes.

摘要翻译： 可以使用超声处理在蚀刻液浴中蚀刻金属碳化物膜。 超声处理可以驱动反应，特别是二氧化碳形式的气态副产物。 因此，使用超声处理引起对图案金属碳化物膜的有利平衡，例如用作金属栅电极。

公开(公告)号：US20090280608A9

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US11556025

申请日：2006-11-02

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/762 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semoiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅极电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅极电极。

公开(公告)号：US07390947B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11037512

申请日：2005-01-18

申请人： Amlan Majumdar ,  Justin K. Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian S. Doyle ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

发明人： Amlan Majumdar ,  Justin K. Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian S. Doyle ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/938

摘要： A nanotube transistor, such as a carbon nanotube transistor, may be formed with a top gate electrode and a spaced source and drain. Conduction along the transistor from source to drain is controlled by the gate electrode. Underlying the gate electrode are at least two nanotubes. In some embodiments, the substrate may act as a back gate.

摘要翻译： 诸如碳纳米管晶体管的纳米管晶体管可以形成有顶栅电极和间隔开的源极和漏极。 沿晶体管从源极到漏极的导通由栅电极控制。 栅电极底部至少有两个纳米管。 在一些实施例中，衬底可用作背栅。

公开(公告)号：US07883951B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US11556025

申请日：2006-11-02

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。