公开(公告)号：US07910932B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12131697

申请日：2008-06-02

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

摘要翻译： 公开了具有高场效应迁移率的完全透明的纳米线晶体管。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管包括一个或多个纳米线，由透明无机或有机材料制备的栅极电介质，以及制造在透明衬底上的透明源极，漏极和栅极触点。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管也可以是机械灵活的。

公开(公告)号：US07902363B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11986019

申请日：2007-11-19

申请人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  He Yan

发明人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  He Yan

IPC分类号： C07D471/08 ,  H01L51/50

CPC分类号： C07D471/06 ,  C07D487/06 ,  C09B5/62 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Diimide-based semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the diimide-based semiconductor materials also are provided.

摘要翻译： 二酰亚胺类半导体材料具有制备该半导体材料的方法。 还提供了包括二酰亚胺类半导体材料的复合材料和电子器件。

公开(公告)号：US07842198B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12113662

申请日：2008-05-01

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01B1/128 ,  C08G61/126 ,  H01B1/127 ,  H01L27/32 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： The new fluorocarbon-functionalized and/or heterocycle-modified polythiophenes, in particular, α,ω-diperfluorohexylsexithiophene DFH-6T can be straightforwardly prepared in high yield and purity. Introduction of such modifications to a thiophene core affords enhanced thermal stability and volatility, and increased electron affinity versus the unmodified compositions of the prior art. Evaporated films behave as n-type semiconductors, and can be used to fabricate thin film transistors with FET mobilities ˜0.01 cm2/Vs—some of the highest reported to date for n-type organic semiconductors.

摘要翻译： 新的氟碳官能化和/或杂环改性的聚噻吩，特别是α，ω-二全氟己基硫氧化物DFH-6T可以以高产率和纯度直接制备。 引入噻吩核心的这种修饰提供了增强的热稳定性和挥发性，并且相对于现有技术的未改性组合物提高了电子亲和力。 蒸发膜表现为n型半导体，可用于制造FET迁移率〜0.01cm2 / Vs的薄膜晶体管，这是迄今为止报道的n型有机半导体的最高值。

公开(公告)号：US20100173165A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12724891

申请日：2010-03-16

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： B32B25/20 ,  C08K13/02 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L51/0529 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0579 ,  Y10T428/31536 ,  Y10T428/31663

摘要： Compositions, methods of using inorganic moieties for dielectric modulation, and related device structures.

摘要翻译： 组合物，使用无机部分进行介电调制的方法以及相关的器件结构。

公开(公告)号：US07679079B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11181132

申请日：2005-07-14

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/055 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/308

摘要： Organic thin film transistor and related composite and device structures comprising an organic dielectric medium comprising, for instance, a non-linear optical chromophoric moiety.

摘要翻译： 有机薄膜晶体管和相关的复合和器件结构包括有机介电介质，其包括例如非线性光学发色部分。

公开(公告)号：US07671202B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11043814

申请日：2005-01-26

申请人： Tobin J. Marks ,  Michael R. Wasielewski ,  Antonio Facchetti ,  Michael J. Ahrens ,  Brooks A. Jones ,  Myung-Han Yoon

发明人： Tobin J. Marks ,  Michael R. Wasielewski ,  Antonio Facchetti ,  Michael J. Ahrens ,  Brooks A. Jones ,  Myung-Han Yoon

IPC分类号： C07D471/02 ,  C07D471/00

CPC分类号： H01L51/0053 ,  C07D221/14 ,  C07D221/18 ,  C07D471/06 ,  C09B5/62 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.

摘要翻译： 用于制造各种器件结构的单酰胺和二酰亚胺苝和萘化合物，N-和核取代的吸电子基团。

公开(公告)号：US20100038630A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US11975911

申请日：2007-10-22

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  He Yan

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  He Yan

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0094 ,  C08K5/18 ,  H01L51/0043 ,  C08L65/00

摘要： Semiconducting siloxane compositions and methods for manufacturing and use thereof in preparing organic thin-film transistors (OTFTs) are described. The semiconducting siloxane compositions can be crosslinked products of polymeric/monomeric compositions that include silane-derivatized crosslinkable organic p-type compounds and p-type semiconducting polymers.

摘要翻译： 描述了半导体硅氧烷组合物及其在制备有机薄膜晶体管（OTFT）中的制造及其应用的方法。 半导体硅氧烷组合物可以是聚合物/单体组合物的交联产物，其包括硅烷衍生的可交联的有机p型化合物和p型半导体聚合物。

公开(公告)号：US20100019237A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12562800

申请日：2009-09-18

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

IPC分类号： H01L51/10 ,  C08L33/06 ,  C08L25/06 ,  C08K5/1535 ,  C08K5/159 ,  C08K5/01 ,  C08K5/101 ,  C08K5/053 ,  C08K5/10 ,  C08K3/22 ,  B05D3/02 ,  B05D3/12 ,  B05D5/00 ,  B32B27/32

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078

摘要： Dielectric compositions comprising siloxane and polymeric components, as can be used in a range of transistor and related device configurations.

摘要翻译： 包含硅氧烷和聚合物组分的介电组合物，可用于晶体管和相关器件配置的范围。

公开(公告)号：US07605394B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11315076

申请日：2005-12-22

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078

摘要： Dielectric compositions comprising siloxane and polymeric components, as can be used in a range of transistor and related device configurations.

摘要翻译： 包含硅氧烷和聚合物组分的介电组合物，可用于晶体管和相关器件配置的范围。

公开(公告)号：US20090036643A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12221123

申请日：2008-07-31

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Hakan Usta

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Hakan Usta

IPC分类号： C08G75/00 ,  C07D409/10 ,  C08L81/00

CPC分类号： C07C49/697 ,  C07C17/12 ,  C07C45/46 ,  C07C45/63 ,  C07C45/65 ,  C07C49/665 ,  C07C255/34 ,  C07C255/35 ,  C07C2603/10 ,  C07C2603/52 ,  C07D333/22 ,  C07D333/24 ,  C07D333/28 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  C07C25/02

摘要： Disclosed are new conjugated compounds (e.g., monomers and polymers) that include ladder-type moieties which can be used for preparing semiconducting materials. Such conjugated compounds can exhibit high n-type carrier mobility and/or good current modulation characteristics. Compounds of the present teachings also can exhibit ambipolar semiconducting activity. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability in ambient conditions.

摘要翻译： 公开了包括可用于制备半导体材料的梯型部分的新的共轭化合物（例如单体和聚合物）。 这种共轭化合物可表现出高的n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。 本发明的化合物还可以显示出双极半导体活性。 此外，本发明的化合物可以具有某些加工优点，例如在环境条件下的溶液加工性和/或良好的稳定性。