公开(公告)号：US07250625B2

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10922662

申请日：2004-08-20

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： An electronic device containing a polythiophene wherein R represents a side chain, m represents the number of R substituents; A is a divalent linkage; x, y and z represent, respectively, the number of Rm substituted thienylenes, unsubstituted thienylenes, and divalent linkages A, respectively, in the monomer segment subject to z being 0 or 1, and n represents the number of repeating monomer segments in the polymer or the degree of polymerization.

摘要翻译： 含有聚噻吩的电子器件，其中R表示侧链，m表示R取代基的数目; A是二价键; x，y和z分别表示在z为0或1的单体链段中的R m取代的噻吩基，未取代的噻吩基和二价键A的数目，n表示 聚合物中重复单体链段的数量或聚合度。

公开(公告)号：US07132682B2

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US10832504

申请日：2004-04-27

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Lu Jiang ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Lu Jiang ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device containing a polythiophene wherein R represents a side chain, m represents the number of R substituents; A is a divalent linkage; x, y and z represent, respectively, the number of Rm substituted thienylenes, unsubstituted thienylenes, and divalent linkages A, respectively, in the monomer segment subject to z being 0 or 1, and n represents the number of repeating monomer segments in the polymer or the degree of polymerization.

摘要翻译： 含有聚噻吩的电子器件，其中R表示侧链，m表示R取代基的数目; A是二价键; x，y和z分别表示在z为0或1的单体链段中的R m取代的噻吩基，未取代的噻吩基和二价键A的数目，n表示 聚合物中重复单体链段的数量或聚合度。

公开(公告)号：US20060124923A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11167485

申请日：2005-06-27

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0067

摘要： A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

公开(公告)号：US20060214155A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11167512

申请日：2005-06-27

申请人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

发明人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08 ,  C07D487/14 ,  C07D487/02 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C07D487/04 ,  C07D487/14 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A compound composed of a plurality of optionally substituted indolocarbazole moieties which are the same or different from each other.

公开(公告)号：US20060125009A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11011441

申请日：2004-12-14

申请人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L51/0072 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0541

摘要： A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

摘要翻译： 一种由包括任选取代的吲哚咔唑的半导体层组成的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20060124921A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11011678

申请日：2004-12-14

申请人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

发明人： Beng Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08 ,  C07D487/02

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C07D487/04 ,  C07D487/14 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A compound composed of a plurality of optionally substituted indolocarbazole moieties which are the same or different from each other.

摘要翻译： 由多个彼此相同或不同的任选取代的吲哚咔唑部分组成的化合物。

公开(公告)号：US07994495B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12014884

申请日：2008-01-16

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0529 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An organic thin film transistor has a gate dielectric layer which is formed from a block copolymer. The block copolymer comprises a polar block and a nonpolar block. The resulting dielectric layer has good adhesion to the gate electrode and good compatibility with the semiconducting layer.

摘要翻译： 有机薄膜晶体管具有由嵌段共聚物形成的栅极电介质层。 嵌段共聚物包括极性嵌段和非极性嵌段。 所得的电介质层对栅电极具有良好的粘合性，并且与半导体层具有良好的相容性。

公开(公告)号：US07491575B2

公开(公告)日：2009-02-17

申请号：US11497826

申请日：2006-08-02

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A process for fabricating at least one semiconductor layer of an electronic device including: performing on a composition including a hydrolyzable zinc compound a number of activities including: (a) hydrolyzing at least a portion of the hydrolyzable zinc compound to form zinc oxide; (b) liquid depositing; and (c) optionally heating, wherein the activities (a), (b), and (c) are each accomplished a number of times in any effective arrangement, resulting in the at least one semiconductor layer comprising the zinc oxide.

摘要翻译： 一种用于制造电子器件的至少一个半导体层的方法，包括：对包含可水解锌化合物的组合物进行多种活性，包括：（a）水解可水解的锌化合物的至少一部分以形成氧化锌; （b）液体沉积; 和（c）可选地加热，其中活性（a），（b）和（c）各自以任何有效布置实现多次，导致至少一个包含氧化锌的半导体层。

公开(公告)号：US20080237581A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11695138

申请日：2007-04-02

申请人： Yiliang Wu ,  Hadi K. Mahabadi ,  Beng S. Ong ,  Paul F. Smith

发明人： Yiliang Wu ,  Hadi K. Mahabadi ,  Beng S. Ong ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L23/58 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device including in any sequence: (a) a semiconductor layer; and (b) a phase-separated dielectric structure comprising a lower-k dielectric polymer and a higher-k dielectric polymer, wherein the lower-k dielectric polymer is in a higher concentration than the higher-k dielectric polymer in a region of the dielectric structure closest to the semiconductor layer.

摘要翻译： 一种电子设备，包括以下任何顺序：（a）半导体层; 和（b）包含低k介电聚合物和较高k电介质聚合物的相分离电介质结构，其中所述低k电介质聚合物在所述电介质区域中比所述较高k电介质聚合物更高的浓度 最接近半导体层的结构。

公开(公告)号：US07170093B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10982472

申请日：2004-11-05

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A dielectric material prepared from a siloxy/metal oxide hybrid composition, and electronic devices such as thin film transistors comprising such dielectric material are provided herein. The siloxy/metal oxide hybrid composition comprises a siloxy component such as, for example, a siloxane or silsesquioxane. The siloxy/metal oxide hybrid composition is useful for the preparation of dielectric layers for thin film transistors using solution deposition techniques.

摘要翻译： 本文提供由甲硅烷氧基/金属氧化物杂化组合物制备的电介质材料，以及包括这种介电材料的电子器件如薄膜晶体管。 甲硅烷氧基/金属氧化物杂化组合物包含甲硅烷氧基组分，例如硅氧烷或倍半硅氧烷。 甲硅烷氧基/金属氧化物杂化组合物可用于使用溶液沉积技术制备用于薄膜晶体管的电介质层。