公开(公告)号：US09406871B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US14807267

申请日：2015-07-23

申请人： Masahiko Nakayama ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Tadashi Kai ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Jae Geun Oh ,  Keum Bum Lee ,  Choon Kun Ryu ,  Hyung Suk Lee ,  Sook Joo Kim

发明人： Masahiko Nakayama ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Tadashi Kai ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Jae Geun Oh ,  Keum Bum Lee ,  Choon Kun Ryu ,  Hyung Suk Lee ,  Sook Joo Kim

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The magnetoresistive element includes a reference layer, a tunnel barrier layer, a storage layer. The storage layer includes a first region and a second region provided outside the first region to surround the first region, the second region including element included in the first region and another element being different from the element. The magnetoresistive element further includes a cap layer including a third region and a fourth region provided outside the third region to surround the third region, the fourth region including an element included in the third region and the another element.

公开(公告)号：US09236563B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US14200894

申请日：2014-03-07

申请人： Yutaka Hashimoto ,  Tadashi Kai ,  Masahiko Nakayama ,  Hiroaki Yoda ,  Toshihiko Nagase ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yasuyuki Sonoda

发明人： Yutaka Hashimoto ,  Tadashi Kai ,  Masahiko Nakayama ,  Hiroaki Yoda ,  Toshihiko Nagase ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yasuyuki Sonoda

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory device includes a magnetoresistance effect element having a structure in which a first magnetic layer, a nonmagnetic layer, a second magnetic layer, and a third magnetic layer are stacked, wherein the third magnetic layer comprises a first region and a plurality of second regions, and each of the second regions is surrounded by the first region, has conductivity, and has a greater magnetic property than the first region.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储器件包括具有其中堆叠第一磁性层，非磁性层，第二磁性层和第三磁性层的结构的磁阻效应元件，其中第三磁性层包括第一区域 和多个第二区域，并且每个第二区域被第一区域包围，具有导电性，并且具有比第一区域更大的磁特性。

公开(公告)号：US09184374B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13963762

申请日：2013-08-09

申请人： Kazuya Sawada ,  Toshihiko Nagase ,  Youngmin Eeh ,  Koji Ueda ,  Daisuke Watanabe ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Hiroaki Yoda

发明人： Kazuya Sawada ,  Toshihiko Nagase ,  Youngmin Eeh ,  Koji Ueda ,  Daisuke Watanabe ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes first, second and third magnetic layers, and first and second nonmagnetic layers. The third magnetic layer has stack layers including a first stack layer close to the second magnetic layer, and a second stack layer far from the second magnetic layer. Each of the first and second stack layers includes a first layer made of a ferromagnetic material and a second layer made of a nonmagnetic material, and a first ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the first stack layer is higher than a second ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the second stack layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一，第二和第三磁性层以及第一和第二非磁性层。 第三磁性层具有包括靠近第二磁性层的第一堆叠层和远离第二磁性层的第二堆叠层的堆叠层。 第一和第二堆叠层中的每一个包括由铁磁材料制成的第一层和由非磁性材料制成的第二层，并且第一层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第一比率 高于第二层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第二比率。

公开(公告)号：US09368717B2

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：US14200742

申请日：2014-03-07

申请人： Masaru Toko ,  Masahiko Nakayama ,  Kuniaki Sugiura ,  Yutaka Hashimoto ,  Tadashi Kai ,  Akiyuki Murayama ,  Tatsuya Kishi

发明人： Masaru Toko ,  Masahiko Nakayama ,  Kuniaki Sugiura ,  Yutaka Hashimoto ,  Tadashi Kai ,  Akiyuki Murayama ,  Tatsuya Kishi

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The magnetoresistive element includes a reference layer. The reference layer includes a first region, and a second region provided outside the first region to surround the same. The second region contains an element contained in the first region and another element being different from the element. The magnetoresistive element further includes a storage layer, and a tunnel barrier layer provided between the reference layer and the storage layer. The storage layer is free from the another element.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁阻元件。 磁阻元件包括参考层。 参考层包括第一区域和设置在第一区域外部以包围该第一区域的第二区域。 第二区域包含包含在第一区域中的元素，而另一元素与元素不同。 磁阻元件还包括存储层，以及设置在参考层和存储层之间的隧道势垒层。 存储层没有另一个元素。

公开(公告)号：US09385304B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US14203249

申请日：2014-03-10

申请人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Hyung Suk Lee ,  Jae Geun Oh ,  Choon Kun Ryu ,  Min Suk Lee

发明人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Hyung Suk Lee ,  Jae Geun Oh ,  Choon Kun Ryu ,  Min Suk Lee

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory is disclosed. The memory includes a conductive layer containing a first metal material, a stacked body above the conductive layer, and including a first magnetization film containing a second metal material, a second magnetization film, and a tunnel barrier layer between the first magnetization film and the second magnetization film, and an insulating layer on a side face of the stacked body, and containing an oxide of the first metal material. The first magnetization film and/or the second magnetization film includes a first region positioned in a central portion, and a second region positioned in an edge portion and containing As, P, Ge, Ga, Sb, In, N, Ar, He, F, Cl, Br, I, Si, B, C, O, Zr, Tb, S, Se, or Ti.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁存储器。 该存储器包括一个包含第一金属材料的导电层，在该导电层上方的层叠体，并且包括一个第一磁化膜，该第一磁化膜含有第二金属材料，第二磁化膜和第一磁化膜与第二磁化膜之间的隧道势垒层 磁化膜和层叠体的侧面上的绝缘层，并且含有第一金属材料的氧化物。 第一磁化膜和/或第二磁化膜包括位于中心部分的第一区域和位于边缘部分中并且包含As，P，Ge，Ga，Sb，In，N，Ar，He的第二区域， F，Cl，Br，I，Si，B，C，O，Zr，Tb，S，Se或Ti。

公开(公告)号：US09178134B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US14203198

申请日：2014-03-10

申请人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Toshihiko Nagase ,  Hiroaki Yoda

发明人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Toshihiko Nagase ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00 ,  H01L29/82 ,  H01L27/24 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/06

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The element includes a first magnetic film, a second magnetic film, and a first nonmagnetic layer formed between the first magnetic film and the second magnetic film. The second magnetic film includes a first magnetic layer formed on a side of the first nonmagnetic layer, a second magnetic layer formed on a side opposite to the first nonmagnetic layer, and a second nonmagnetic layer formed between the first magnetic layer and the second magnetic layer and containing TiN.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁阻元件。 元件包括第一磁性膜，第二磁性膜和形成在第一磁性膜和第二磁性膜之间的第一非磁性层。 第二磁性膜包括形成在第一非磁性层一侧的第一磁性层，形成在与第一非磁性层相反的一侧的第二磁性层和形成在第一磁性层和第二磁性层之间的第二非磁性层 并含有TiN。

公开(公告)号：US09123879B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US14202802

申请日：2014-03-10

申请人： Masahiko Nakayama ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Tadashi Kai ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Jae Geun Oh ,  Keum Bum Lee ,  Choon Kun Ryu ,  Hyung Suk Lee ,  Sook Joo Kim

发明人： Masahiko Nakayama ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Tadashi Kai ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Jae Geun Oh ,  Keum Bum Lee ,  Choon Kun Ryu ,  Hyung Suk Lee ,  Sook Joo Kim

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The magnetoresistive element includes a reference layer, a tunnel barrier layer, a storage layer. The storage layer includes a first region and a second region provided outside the first region to surround the first region, the second region including element included in the first region and another element being different from the element. The magnetoresistive element further includes a cap layer including a third region and a fourth region provided outside the third region to surround the third region, the fourth region including an element included in the third region and the another element.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁阻元件。 磁阻元件包括参考层，隧道势垒层，存储层。 存储层包括第一区域和设置在第一区域外部以围绕第一区域的第二区域，第二区域包括包含在第一区域中的元素，而另一个元素不同于元件。 磁阻元件进一步包括盖层，该盖层包括第三区域和设置在第三区域外部以包围第三区域的第四区域，第四区域包括包括在第三区域中的元件和另一元件。

公开(公告)号：US20060082933A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11244153

申请日：2005-10-06

申请人： Tatsuya Kishi ,  Masahiko Nakayama ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Tadashi Kai

发明人： Tatsuya Kishi ,  Masahiko Nakayama ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Tadashi Kai

IPC分类号： G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： G11C11/15

摘要： A magnetoresistive element according to an example of the present invention has a stacked structure comprised first and second ferromagnetic layers and a nonmagnetic layer disposed between these ferromagnetic layers, and a planar shape of at least one of the first and second ferromagnetic layers has a shape formed by combining two or more parts each having a shape of a character C.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的磁阻元件具有包括第一和第二铁磁层和设置在这些铁磁层之间的非磁性层的堆叠结构，并且第一和第二铁磁层中的至少一个的平面形状形成 通过组合两个或更多个具有字符C形状的部分。

公开(公告)号：US07599156B2

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US11244153

申请日：2005-10-06

申请人： Tatsuya Kishi ,  Masahiko Nakayama ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Tadashi Kai

发明人： Tatsuya Kishi ,  Masahiko Nakayama ,  Yoshiaki Fukuzumi ,  Tadashi Kai

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11C11/15

摘要： A magnetoresistive element according to an example of the present invention has a stacked structure comprised first and second ferromagnetic layers and a nonmagnetic layer disposed between these ferromagnetic layers, and a planar shape of at least one of the first and second ferromagnetic layers has a shape formed by combining two or more parts each having a shape of a character C.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的磁阻元件具有包括第一和第二铁磁层和设置在这些铁磁层之间的非磁性层的堆叠结构，并且第一和第二铁磁层中的至少一个的平面形状形成 通过组合两个或更多个具有字符C形状的部分。

公开(公告)号：US06972923B2

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：US10396514

申请日：2003-03-26

申请人： Junichi Akiyama ,  Akira Kikitsu ,  Tadashi Kai ,  Toshihiko Nagase ,  Tomoyuki Maeda ,  Hisanori Aikawa

发明人： Junichi Akiyama ,  Akira Kikitsu ,  Tadashi Kai ,  Toshihiko Nagase ,  Tomoyuki Maeda ,  Hisanori Aikawa

IPC分类号： G11B5/65 ,  G11B5/00 ,  G11B5/596 ,  G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/738 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/59633 ,  G11B5/59683 ,  G11B5/667 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B2005/0029

摘要： A magnetic recording medium has a substrate, and a servo signal recording magnetic layer whose magnetization is oriented in a direction perpendicular to a surface thereof, a non-magnetic layer and a data recording magnetic layer, which are stacked on the substrate in the order mentioned. The servo signal recording magnetic layer has a coercivity higher than that of the data recording magnetic layer. The servo signal recording magnetic layer has servo tracks formed with a track pitch Tps, the servo tracks adjacent to each other in a track width direction being magnetized to opposite directions perpendicular to the film surface.

摘要翻译： 磁记录介质具有基板，磁化沿与其表面垂直的方向取向的伺服信号记录磁性层，非磁性层和数据记录磁性层，按照所述顺序堆叠在基板上 。 伺服信号记录磁性层的矫顽力高于数据记录磁性层的矫顽力。 伺服信号记录磁性层具有形成有磁道间距Tps的伺服磁道，在磁道宽度方向上彼此相邻的伺服磁道被磁化成垂直于膜表面的相反方向。