公开(公告)号：US09507260B2

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：US12592160

申请日：2009-11-19

申请人： Deyan Wang ,  Chunyi Wu ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

发明人： Deyan Wang ,  Chunyi Wu ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： New photoresist compositions are provided that are useful for immersion lithography. In one preferred aspect, photoresist composition are provided that comprise: (i) one or more resins that comprise photoacid-labile groups, (ii) a photoactive component, and (iii) one or more materials that comprise photoacid labile groups and that are distinct from the one or more resins; wherein the deprotection activation energy of photoacid-labile groups of the one or more materials is about the same as or lower than the deprotection activation energy of photoacid-labile groups of the one or more resins. In another preferred aspect, photoresist compositions are provided that comprise (i) one or more resins, (ii) a photoactive component, and (iii) one or more materials that comprise a sufficient amount of acidic groups to provide a dark field dissolution rate of at least one angstrom per second.

摘要翻译： 提供了可用于浸没式光刻的新的光致抗蚀剂组合物。 在一个优选的方面，提供光致抗蚀剂组合物，其包含：（i）一种或多种包含光酸不稳定基团的树脂，（ii）光活性组分，和（iii）一种或多种包含光致酸不稳定基团并且是不同的 从一种或多种树脂; 其中所述一种或多种材料的光致酸不稳定基团的去保护活化能大约等于或低于所述一种或多种树脂的光致酸不稳定基团的去保护活化能。 在另一个优选的方面，提供光致抗蚀剂组合物，其包含（i）一种或多种树脂，（ii）光活性组分，和（iii）一种或多种包含足够量的酸性基团以提供暗场溶解速率的材料 每秒至少一埃。

公开(公告)号：US09436082B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US13341067

申请日：2011-12-30

申请人： Deyan Wang ,  Shintaro Yamada ,  Cong Liu ,  Mingqi Li ,  Joon-Seok Oh ,  Chunyi Wu ,  Doris Kang ,  Cheng-Bai Xu

发明人： Deyan Wang ,  Shintaro Yamada ,  Cong Liu ,  Mingqi Li ,  Joon-Seok Oh ,  Chunyi Wu ,  Doris Kang ,  Cheng-Bai Xu

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30

摘要： New photoresist compositions are provided that comprise one or more materials that have base-reactive groups and are particularly useful for dry lithography. Particularly preferred photoresists of the invention can exhibit reduced defects following development of a coating layer of the resist.

摘要翻译： 提供新的光致抗蚀剂组合物，其包含一种或多种具有碱反应性基团并且特别用于干式光刻的材料。 本发明的特别优选的光致抗蚀剂可以在抗蚀剂的涂层开发之后表现出减少的缺陷。

公开(公告)号：US08927190B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13013780

申请日：2011-01-25

申请人： Cong Liu ,  Chunyi Wu ,  Gerhard Pohlers ,  Gregory P. Prokopowicz ,  Cheng-Bai Xu

发明人： Cong Liu ,  Chunyi Wu ,  Gerhard Pohlers ,  Gregory P. Prokopowicz ,  Cheng-Bai Xu

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C07C261/00

CPC分类号： C07C271/16 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32

摘要： New nitrogen-containing compounds are provided that comprise multiple hydroxyl moieties and photoresist compositions that comprise such nitrogen-containing compounds. Preferred nitrogen-containing compounds comprise 1) multiple hydroxyl substituents (i.e. 2 or more) and 2) one or more photoacid-labile groups.

摘要翻译： 提供新的含氮化合物，其包含多个羟基部分和包含这种含氮化合物的光致抗蚀剂组合物。 优选的含氮化合物包括1）多个羟基取代基（即2个或更多个）和2）一个或多个光致酸不稳定基团。

公开(公告)号：US20130344438A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13925926

申请日：2013-06-25

申请人： Emad AQAD ,  Irvinder KAUR ,  Cong LIU ,  Cheng-bai XU ,  Mingqi LI ,  Gregory P. PROKOPOWICZ

发明人： Emad AQAD ,  Irvinder KAUR ,  Cong LIU ,  Cheng-bai XU ,  Mingqi LI ,  Gregory P. PROKOPOWICZ

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/20

摘要： A photoacid generator has the formula (I): wherein R1, R2, R3, L1, L2, L3 X, Z+, a, b, c, d, p, q, and r, are defined herein. A photoresist comprises the photoacid generator, and a coated article comprises the photoresist. The photoresist can be used to form an electronic device.

摘要翻译： 光酸产生剂具有式（I）：其中R1，R2，R3，L1，L2，L3X，Z +，a，b，c，d，p，q和r在本文中定义。 光致抗蚀剂包括光致酸产生剂，并且涂覆制品包括光致抗蚀剂。 光致抗蚀剂可用于形成电子器件。

公开(公告)号：US08338077B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12820331

申请日：2010-06-22

申请人： Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Emad Aqad ,  Cong Liu

发明人： Mingqi Li ,  Cheng-Bai Xu ,  Emad Aqad ,  Cong Liu

IPC分类号： G03F7/028 ,  G03F7/029 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： This invention relates to new photoacid generator compounds and photoresist compositions that comprise such compounds. In particular, the invention relates to photoacid generator compounds that comprise a multi cyclic lactone moiety.

摘要翻译： 本发明涉及包含这些化合物的新的光酸产生剂化合物和光致抗蚀剂组合物。 特别地，本发明涉及包含多环内酯部分的光酸产生剂化合物。

公开(公告)号：US20120156595A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13297261

申请日：2011-11-15

申请人： Joon-Seok OH ,  Deyan WANG ,  Cong LIU ,  Mingqi LI ,  Chunyi WU ,  Cheng-Bai XU

发明人： Joon-Seok OH ,  Deyan WANG ,  Cong LIU ,  Mingqi LI ,  Chunyi WU ,  Cheng-Bai XU

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： New photoresist compositions are provided that are useful for immersion lithography. Preferred photoresist compositions of the invention comprise one or more materials that have sugar substitution. Particularly preferred photoresists of the invention can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid contacting the resist layer during immersion lithography processing.

摘要翻译： 提供了可用于浸没式光刻的新的光致抗蚀剂组合物。 本发明优选的光致抗蚀剂组合物包含一种或多种具有糖替代的材料。 本发明的特别优选的光致抗蚀剂可以在浸没光刻处理期间将抗蚀剂材料的浸出降低到与抗蚀剂层接触的浸没流体中。

公开(公告)号：US20110250542A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US12968130

申请日：2010-12-14

申请人： Cong LIU ,  Cheng-Bai XU

发明人： Cong LIU ,  Cheng-Bai XU

IPC分类号： G03F7/20 ,  C07C69/74

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C309/17 ,  C07C311/48 ,  C07C313/04 ,  C07C321/28 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/162 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322

摘要： New bis(sulfonyl)imide and tri(sulfonyl)methide photoacid generator compounds (“PAGs”) are provided as well as photoresist compositions that comprise such PAG compounds.

摘要翻译： 提供新的双（磺酰基）酰亚胺和三（磺酰基）甲基化光致酸发生剂化合物（“PAG”）以及包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US20110039210A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12782528

申请日：2010-05-18

申请人： Cheng-Bai Xu ,  Anthony Zampini

发明人： Cheng-Bai Xu ,  Anthony Zampini

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F224/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： C08F20/10 ,  C08F220/30 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： Provided are new resins that comprise lactone units and photoresist compositions that comprise such resins.

摘要翻译： 提供了包含内酯单元和包含这种树脂的光致抗蚀剂组合物的新树脂。

公开(公告)号：US20090117489A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12290980

申请日：2008-11-05

申请人： Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

发明人： Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu ,  George G. Barclay

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/2041 ,  C08F220/22 ,  C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274

摘要： New photoresist compositions are provided that are useful for immersion lithography. Preferred photoresist compositions of the invention comprises two or more distinct materials that can be substantially non-mixable with a resin component of the resist. Particularly preferred photoresists of the invention can exhibit reduced leaching of resist materials into an immersion fluid contacting the resist layer during immersion lithography processing.

摘要翻译： 提供了可用于浸没式光刻的新的光致抗蚀剂组合物。 本发明优选的光致抗蚀剂组合物包含两种或多种不同的材料，其可以与抗蚀剂的树脂组分基本上不可混合。 本发明的特别优选的光致抗蚀剂可以在浸没光刻处理期间将抗蚀剂材料的浸出降低到与抗蚀剂层接触的浸没流体中。

公开(公告)号：US20070087286A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11542563

申请日：2006-10-03

申请人： Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu

发明人： Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

摘要： Overcoating layer compositions that are applied above a photoresist composition including for immersion lithography processing as well as non-immersion imaging.

摘要翻译： 涂覆在光致抗蚀剂组合物上方的包覆层组合物，包括浸没式光刻处理以及非浸没成像。