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    Method of fabricating a differential doped solar cell
    1.
    发明授权
    Method of fabricating a differential doped solar cell 失效
    制造差分掺杂太阳能电池的方法

    公开(公告)号：US07816167B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US12368707

    申请日：2009-02-10

    申请人： Cheng-Yeh Yu ,  Ming-Chin Kuo ,  Nai-Tien Ou ,  Tien-Szu Chen

    发明人： Cheng-Yeh Yu ,  Ming-Chin Kuo ,  Nai-Tien Ou ,  Tien-Szu Chen

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a differential doped solar cell is described. The method includes the following steps. First, a substrate is provided. A doping process is conducted thereon to form a doped layer. A heavy doping portion of the doped layer is partially or fully removed. Subsequently, an anti-reflection coating layer is formed thereon. A metal conducting paste is printed on the anti-reflection coating layer and is fired to form the metal electrodes for the solar cell.

    摘要翻译： 描述了制造差分掺杂太阳能电池的方法。 该方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 在其上进行掺杂工艺以形成掺杂层。 部分或完全去除掺杂层的重掺杂部分。 随后，在其上形成防反射涂层。 将金属导电膏印刷在防反射涂层上并被烧制以形成用于太阳能电池的金属电极。

    Storage structure and method utilizing multiple protocol processor units
    2.
    发明授权
    Storage structure and method utilizing multiple protocol processor units 有权
    使用多协议处理器单元的存储结构和方法

    公开(公告)号：US07460550B2

    公开(公告)日：2008-12-02

    申请号：US10979133

    申请日：2004-11-03

    申请人： Jun-Yao Wang ,  Chung-Ho Chen ,  Chao-Lin Su ,  Chao-Hsien Hsu ,  Cheng-Yeh Yu ,  I-Cheng Chung

    发明人： Jun-Yao Wang ,  Chung-Ho Chen ,  Chao-Lin Su ,  Chao-Hsien Hsu ,  Cheng-Yeh Yu ,  I-Cheng Chung

    IPC分类号： H04L12/26

    CPC分类号： H04L67/1097 ,  G06F3/0601 ,  G06F2003/0692

    摘要： A storage structure and method having multiple protocol processor units are disclosed. The storage structure comprises a host CPU, a main memory, a storage device, a switch fabric, and a host bus adapter module. The host bus adapter module includes a plurality of protocol processor nodes for processing frames received from a network, and storing those frames into the storage device. A processing module of the host bus adapter module extracts the session information of each frame and compares it with entries recorded in a look-up table. If the connection information hits one entry of the look-up table, the frame can be bypassed into a corresponding protocol processor node according to the definition of the look-up table. Otherwise, a new entry will be inserted into the look-up table for designating a corresponding protocol processor node.

    摘要翻译： 公开了具有多个协议处理器单元的存储结构和方法。 存储结构包括主机CPU，主存储器，存储设备，交换结构和主机总线适配器模块。 主机总线适配器模块包括用于处理从网络接收的帧的多个协议处理器节点，并将这些帧存储到存储设备中。 主机总线适配器模块的处理模块提取每个帧的会话信息，并将其与查找表中记录的条目进行比较。 如果连接信息匹配查找表的一个条目，则可以根据查找表的定义将帧绕过相应的协议处理器节点。 否则，将在查找表中插入一个新条目，以指定相应的协议处理器节点。

    Transistor device with strained germanium (Ge) layer by selectively growth and fabricating method thereof
    3.
    发明申请
    Transistor device with strained germanium (Ge) layer by selectively growth and fabricating method thereof 审中-公开
    具有应变锗（Ge）层的晶体管器件通过选择性生长及其制造方法

    公开(公告)号：US20070045610A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：US11293275

    申请日：2005-12-05

    申请人： Min-Hung Lee ,  Cheng-Yeh Yu ,  Chee-Wee Liu

    发明人： Min-Hung Lee ,  Cheng-Yeh Yu ,  Chee-Wee Liu

    IPC分类号： H01L31/109

    CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/78

    摘要： A transistor device with strained Ge layer by selectively growth and a fabricating method thereof are provided. A strained Ge layer is selectively grown on a substrate, so that the material of source/drain region is still the same as that of the substrate, and the strained Ge layer serves as a carry transport channel. Therefore, the performance of the device characteristics can be improved and the leakage current of the transistor may be approximately commensurate with that of a Si substrate field effect transistor (FET).

    摘要翻译： 提供了通过选择性生长具有应变Ge层的晶体管器件及其制造方法。 应变Ge层选择性地生长在衬底上，使得源极/漏极区的材料与衬底的材料仍然相同，并且应变Ge层用作携带传输沟道。 因此，可以提高器件特性的性能，并且晶体管的漏电流可以与Si衬底场效应晶体管（FET）的漏电流近似相当。

    STRAINED GERMANIUM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    4.
    发明申请
    STRAINED GERMANIUM FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    应变锗场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20090302349A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：US12540216

    申请日：2009-08-12

    申请人： Min Hung Lee ,  Cheng Yeh Yu ,  Chee Wee Liu

    发明人： Min Hung Lee ,  Cheng Yeh Yu ,  Chee Wee Liu

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664

    摘要： A strained germanium field effect transistor (FET) and method of fabricating the same is related to the strained Ge field effect transistor with a thin and pure Ge layer as a carrier channel. The pure Ge layer with the thickness between 1 nm and 10 nm is formed between an unstrained substrate and a gate insulation layer, and directly contacts with the unstrained substrate. The gate is disposed on the gate insulation layer. The germanium layer is used as a carrier transport channel of the strained Ge FET to improve the drive current and the carrier mobility, and to increase the devices performance effectively. Furthermore, a Si protective layer with extremely thin thickness can be deposed between and directly contacts with the gate insulation layer and the pure Ge layer.

    摘要翻译： 应变锗场效应晶体管（FET）及其制造方法涉及具有薄而纯的Ge层作为载流子通道的应变Ge场效应晶体管。 在无应变衬底和栅极绝缘层之间形成厚度在1nm和10nm之间的纯Ge层，并且与无约束衬底直接接触。 栅极设置在栅极绝缘层上。 锗层用作应变Ge FET的载流子传输通道，以改善驱动电流和载流子迁移率，并有效提高器件性能。 此外，具有极薄厚度的Si保护层可以被放置在栅绝缘层和纯Ge层之间并直接接触。

    METHOD OF FABRICATING A DIFFERENTIAL DOPED SOLAR CELL
    7.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING A DIFFERENTIAL DOPED SOLAR CELL 失效
    制造差异放电太阳能电池的方法

    公开(公告)号：US20100068886A1

    公开(公告)日：2010-03-18

    申请号：US12368707

    申请日：2009-02-10

    申请人： Cheng-Yeh YU ,  Ming-Chin Kuo ,  Nai-Tien Ou ,  Tien-Szu Chen

    发明人： Cheng-Yeh YU ,  Ming-Chin Kuo ,  Nai-Tien Ou ,  Tien-Szu Chen

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a differential doped solar cell is described. The method includes the following steps. First, a substrate is provided. A doping process is conducted thereon to form a doped layer. A heavy doping portion of the doped layer is partially or fully removed. Subsequently, an anti-reflection coating layer is formed thereon. A metal conducting paste is printed on the anti-reflection coating layer and is fired to form the metal electrodes for the solar cell.

    摘要翻译： 描述了制造差分掺杂太阳能电池的方法。 该方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 在其上进行掺杂工艺以形成掺杂层。 部分或完全去除掺杂层的重掺杂部分。 随后，在其上形成防反射涂层。 将金属导电膏印刷在防反射涂层上并被烧制以形成用于太阳能电池的金属电极。

    Strained germanium field effect transistor and method of making the same
    9.
    发明申请
    Strained germanium field effect transistor and method of making the same 审中-公开
    应变锗场效应晶体管及其制作方法

    公开(公告)号：US20060284164A1

    公开(公告)日：2006-12-21

    申请号：US11216179

    申请日：2005-09-01

    申请人： Min-Hung Lee ,  Cheng-Yeh Yu ,  Chee-Wee Liu

    发明人： Min-Hung Lee ,  Cheng-Yeh Yu ,  Chee-Wee Liu

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

    摘要： A strained germanium field effect transistor (FET) and method of making the same, comprise forming a germanium layer on a substrate, then forming a Si protective layer on the germanium layer, next forming a gate insulation layer on the Si protective layer, and fmally positioning a gate on the gate insulation layer. The germanium layer is used as a carrier transport channel of the strained germanium FET to improve the drive current and the carrier mobility, and to increase the devices performance effectively. And because the Si protective layer is on the germanium layer, the interface property between the germanium layer and the gate insulation layer is improved.

    摘要翻译： 应变锗场效应晶体管（FET）及其制造方法包括在衬底上形成锗层，然后在锗层上形成Si保护层，接着在Si保护层上形成栅极绝缘层，并且最终形成 在栅极绝缘层上定位栅极。 锗层用作应变锗FET的载流子传输通道，以提高驱动电流和载流子迁移率，并有效提高器件性能。 并且由于Si保护层在锗层上，所以锗层和栅极绝缘层之间的界面性能得到改善。

    Storage structure and method utilizing multiple protocol processor units
    10.
    发明申请
    Storage structure and method utilizing multiple protocol processor units 有权
    使用多协议处理器单元的存储结构和方法

    公开(公告)号：US20050281286A1

    公开(公告)日：2005-12-22

    申请号：US10979133

    申请日：2004-11-03

    申请人： Jun-Yao Wang ,  Chung-Ho Chen ,  Chao-Lin Su ,  Chao-Hsien Hsu ,  Cheng-Yeh Yu ,  I-Cheng Chung

    发明人： Jun-Yao Wang ,  Chung-Ho Chen ,  Chao-Lin Su ,  Chao-Hsien Hsu ,  Cheng-Yeh Yu ,  I-Cheng Chung

    IPC分类号： G06F3/06 ,  H04L12/28 ,  H04L29/08

    CPC分类号： H04L67/1097 ,  G06F3/0601 ,  G06F2003/0692

    摘要： A storage structure and method having multiple protocol processor units are disclosed. The storage structure comprises a host CPU, a main memory, a storage device, a switch fabric, and a host bus adapter module. The host bus adapter module includes a plurality of protocol processor nodes for processing frames received from a network, and storing those frames into the storage device. A processing module of the host bus adapter module extracts the session information of each frame and compares it with entries recorded in a look-up table. If the connection information hits one entry of the look-up table, the frame can be bypassed into a corresponding protocol processor node according to the definition of the look-up table. Otherwise, a new entry will be inserted into the look-up table for designating a corresponding protocol processor node.

    摘要翻译： 公开了具有多个协议处理器单元的存储结构和方法。 存储结构包括主机CPU，主存储器，存储设备，交换结构和主机总线适配器模块。 主机总线适配器模块包括用于处理从网络接收的帧的多个协议处理器节点，并将这些帧存储到存储设备中。 主机总线适配器模块的处理模块提取每个帧的会话信息，并将其与查找表中记录的条目进行比较。 如果连接信息匹配查找表的一个条目，则可以根据查找表的定义将帧绕过相应的协议处理器节点。 否则，将在查找表中插入一个新条目，以指定相应的协议处理器节点。