公开(公告)号：US07745333B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12179002

申请日：2008-07-24

申请人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

发明人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US20060009034A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11038592

申请日：2005-01-19

申请人： Ken Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Byun

发明人： Ken Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US20080280438A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12179002

申请日：2008-07-24

申请人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

发明人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US07405158B2

公开(公告)日：2008-07-29

申请号：US11038592

申请日：2005-01-19

申请人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Averginos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

发明人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Averginos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。