公开(公告)号：US07405158B2

公开(公告)日：2008-07-29

申请号：US11038592

申请日：2005-01-19

申请人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Averginos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

发明人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Averginos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US07745333B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12179002

申请日：2008-07-24

申请人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

发明人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US20080280438A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US12179002

申请日：2008-07-24

申请人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

发明人： Ken Kaung Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos V. Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael X. Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Soo Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US20060009034A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11038592

申请日：2005-01-19

申请人： Ken Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Byun

发明人： Ken Lai ,  Ravi Rajagopalan ,  Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Srinivas Gandikota ,  Joseph Castro ,  Aygerinos Gelatos ,  Cheryl Knepfler ,  Ping Jian ,  Hongbin Fang ,  Chao-Ming Huang ,  Ming Xi ,  Michael Yang ,  Hua Chung ,  Jeong Byun

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： In one embodiment of the invention, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer disposed thereon in a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the nucleation layer to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride, the first and second soak processes independently comprise at least one reducing gas selected from the group consisting of hydrogen, silane, disilane, dichlorosilane, borane, diborane, derivatives thereof and combinations thereof and the nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process while the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.

摘要翻译： 在本发明的一个实施例中，提供了一种在衬底上形成含钨层的方法，其包括将包含设置在其上的阻挡层的衬底定位在处理室中，将衬底暴露于第一次浸泡过程第一时间段 以及通过使含钨前体和还原剂流入所述处理室，在所述阻挡层上沉积成核层。 该方法还包括将成核层暴露于第二次浸泡过程第二时间段，并将沉积层沉积在成核层上。 在一个实例中，阻挡层包含氮化钛，第一和第二浸泡工艺独立地包含选自氢，硅烷，乙硅烷，二氯硅烷，硼烷，乙硼烷，其衍生物及其组合中的至少一种还原气体和成核 层可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积，同时可以通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积主体层。

公开(公告)号：US07429402B2

公开(公告)日：2008-09-30

申请号：US11009331

申请日：2004-12-10

申请人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

发明人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12771 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12875

摘要： In one embodiment, a method for depositing a tungsten-containing film on a substrate is provided which includes depositing a barrier layer on the substrate, such as a titanium or tantalum containing barrier layer and depositing a ruthenium layer on the barrier layer. The method further includes depositing a tungsten nucleation layer on the ruthenium layer and depositing a tungsten bulk layer on the tungsten nucleation layer. The barrier layer, the ruthenium layer, the tungsten nucleation layer and the tungsten bulk layer are independently deposited by an ALD process, a CVD process or a PVD process, preferably by an ALD process. In some examples, the substrate is exposed to a soak process prior to depositing a subsequent layer, such as between the deposition of the barrier layer and the ruthenium layer, the ruthenium layer and the tungsten nucleation layer or the tungsten nucleation layer and the tungsten bulk layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底上沉积含钨膜的方法，其包括在衬底上沉积阻挡层，例如含有钛或钽的阻挡层，并在阻挡层上沉积钌层。 该方法还包括在钌层上沉积钨成核层并在钨成核层上沉积钨体层。 优选通过ALD工艺，通过ALD工艺，CVD工艺或PVD工艺独立地沉积阻挡层，钌层，钨成核层和钨体层。 在一些实例中，在沉积后续层之前，例如在阻挡层和钌层的沉积，钌层和钨成核层或钨成核层和钨体之间，将衬底暴露于浸泡工艺 层。

公开(公告)号：US20090142474A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12197049

申请日：2008-08-22

申请人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

发明人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12771 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12875

摘要： Embodiments of the invention provide a method for depositing materials on substrates. In one embodiment, the method includes depositing a barrier layer containing tantalum or titanium on a substrate, depositing a ruthenium layer or a cobalt layer on the barrier layer, and depositing a tungsten bulk layer thereover. In some examples, the barrier layer may contain tantalum nitride deposited by an atomic layer deposition (ALD) process, the tungsten bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition (CVD) process, and the ruthenium or cobalt layer may be deposited by an ALD process. The ruthenium or cobalt layer may be exposed to a soak compound, such as hydrogen, diborane, silane, or disilane, during a soak process prior to depositing the tungsten bulk layer. In some examples, a tungsten nucleation layer may be deposited on the ruthenium or cobalt layer, such as by ALD, prior to depositing the tungsten bulk layer.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种在衬底上沉积材料的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上沉积含有钽或钛的阻挡层，在阻挡层上沉积钌层或钴层，并在其上沉积钨体层。 在一些示例中，阻挡层可以包含通过原子层沉积（ALD）工艺沉积的氮化钽，可以通过化学气相沉积（CVD）工艺沉积钨体层，并且钌或钴层可以通过 ALD过程。 在沉积钨体层之前的浸泡过程中，钌或钴层可以暴露于浸泡化合物，例如氢，乙硼烷，硅烷或乙硅烷。 在一些实例中，在沉积钨体层之前，例如通过ALD，钨成核层可沉积在钌或钴层上。

公开(公告)号：US07691442B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US12197049

申请日：2008-08-22

申请人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

发明人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

IPC分类号： B32B15/00 ,  B32B15/01 ,  C23C16/06

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12771 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12875

摘要： Embodiments of the invention provide a method for depositing materials on substrates. In one embodiment, the method includes depositing a barrier layer containing tantalum or titanium on a substrate, depositing a ruthenium layer or a cobalt layer on the barrier layer, and depositing a tungsten bulk layer thereover. In some examples, the barrier layer may contain tantalum nitride deposited by an atomic layer deposition (ALD) process, the tungsten bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition (CVD) process, and the ruthenium or cobalt layer may be deposited by an ALD process. The ruthenium or cobalt layer may be exposed to a soak compound, such as hydrogen, diborane, silane, or disilane, during a soak process prior to depositing the tungsten bulk layer. In some examples, a tungsten nucleation layer may be deposited on the ruthenium or cobalt layer, such as by ALD, prior to depositing the tungsten bulk layer.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种在衬底上沉积材料的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上沉积含有钽或钛的阻挡层，在阻挡层上沉积钌层或钴层，并在其上沉积钨体层。 在一些示例中，阻挡层可以包含通过原子层沉积（ALD）工艺沉积的氮化钽，可以通过化学气相沉积（CVD）工艺沉积钨体层，并且钌或钴层可以通过 ALD过程。 在沉积钨体层之前的浸泡过程中，钌或钴层可以暴露于浸泡化合物，例如氢，乙硼烷，硅烷或乙硅烷。 在一些实例中，在沉积钨体层之前，例如通过ALD，钨成核层可沉积在钌或钴层上。

公开(公告)号：US20060128150A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11009331

申请日：2004-12-10

申请人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

发明人： Srinivas Gandikota ,  Madhu Moorthy ,  Amit Khandelwal ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Kavita Shah ,  Seshadri Ganguli

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12771 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12875

摘要： In one embodiment, a method for depositing a tungsten-containing film on a substrate is provided which includes depositing a barrier layer on the substrate, such as a titanium or tantalum containing barrier layer and depositing a ruthenium layer on the barrier layer. The method further includes depositing a tungsten nucleation layer on the ruthenium layer and depositing a tungsten bulk layer on the tungsten nucleation layer. The barrier layer, the ruthenium layer, the tungsten nucleation layer and the tungsten bulk layer are independently deposited by an ALD process, a CVD process or a PVD process, preferably by an ALD process. In some examples, the substrate is exposed to a soak process prior to depositing a subsequent layer, such as between the deposition of the barrier layer and the ruthenium layer, the ruthenium layer and the tungsten nucleation layer or the tungsten nucleation layer and the tungsten bulk layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底上沉积含钨膜的方法，其包括在衬底上沉积阻挡层，例如含有钛或钽的阻挡层，并在阻挡层上沉积钌层。 该方法还包括在钌层上沉积钨成核层并在钨成核层上沉积钨体层。 优选通过ALD工艺，通过ALD工艺，CVD工艺或PVD工艺独立地沉积阻挡层，钌层，钨成核层和钨体层。 在一些实例中，在沉积后续层之前，例如在阻挡层和钌层的沉积，钌层和钨成核层或钨成核层和钨体之间，将衬底暴露于浸泡工艺 层。

公开(公告)号：US20120244699A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13491191

申请日：2012-06-07

申请人： AMIT KHANDELWAL ,  Madhu Moorthy ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Kai Wu

发明人： AMIT KHANDELWAL ,  Madhu Moorthy ,  Avgerinos V. Gelatos ,  Kai Wu

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： Embodiments of the invention provide a method for depositing tungsten-containing materials. In one embodiment, a method includes forming a tungsten nucleation layer over an underlayer disposed on the substrate while sequentially providing a tungsten precursor and a reducing gas into a process chamber during an atomic layer deposition (ALD) process and depositing a tungsten bulk layer over the tungsten nucleation layer, wherein the reducing gas contains hydrogen gas and a hydride compound (e.g., diborane) and has a hydrogen/hydride flow rate ratio of about 500:1 or greater. In some examples, the method includes flowing the hydrogen gas into the process chamber at a flow rate within a range from about 1 slm to about 20 slm and flowing a mixture of the hydride compound and a carrier gas into the process chamber at a flow rate within a range from about 50 sccm to about 500 sccm.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了一种沉积含钨材料的方法。 在一个实施例中，一种方法包括在设置在衬底上的底层上形成钨成核层，同时在原子层沉积（ALD）工艺期间依次提供钨前体和还原气体到处理室中，并在其上沉积钨体积层 钨成核层，其中所述还原气体包含氢气和氢化物化合物（例如乙硼烷），并且具有约500:1或更高的氢/氢化物流速比。 在一些实例中，该方法包括以约1slm至约20slm的流速将氢气流入处理室，并将氢化物化合物和载气的混合物以流速流动到处理室中 在约50sccm至约500sccm的范围内。

公开(公告)号：US07964505B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US12121209

申请日：2008-05-15

申请人： Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Avgerinog V. Gelatos ,  Kai Wu

发明人： Amit Khandelwal ,  Madhu Moorthy ,  Avgerinog V. Gelatos ,  Kai Wu

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： Embodiments of the invention provide an improved process for depositing tungsten-containing materials. The process utilizes soak processes and vapor deposition processes, such as atomic layer deposition (ALD) to provide tungsten films having significantly improved surface uniformity and production level throughput. In one embodiment, a method for forming a tungsten-containing material on a substrate is provided which includes positioning a substrate within a process chamber, wherein the substrate contains an underlayer disposed thereon, exposing the substrate sequentially to a tungsten precursor and a reducing gas to deposit a tungsten nucleation layer on the underlayer during an ALD process, wherein the reducing gas contains a hydrogen/hydride flow rate ratio of about 40:1, 100:1, 500:1, 800:1, 1,000:1, or greater, and depositing a tungsten bulk layer on the tungsten nucleation layer. The reducing gas contains a hydride compound, such as diborane, silane, or disilane.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了一种用于沉积含钨材料的改进方法。 该方法利用诸如原子层沉积（ALD）的浸泡工艺和气相沉积工艺来提供具有显着改善的表面均匀性和生产水平生产量的钨膜。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含钨材料的方法，其包括将衬底定位在处理室内，其中衬底包含设置在其上的底层，将衬底依次暴露于钨前体和还原气体 在ALD工艺期间，在底层上沉积钨成核层，其中还原气体含有约40:1,100:1,500:1,800:1,1,000:1或更高的氢氢化物流速比， 以及在钨成核层上沉积钨体层。 还原气体含有氢化物化合物，例如乙硼烷，硅烷或乙硅烷。