公开(公告)号：US20160108951A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14515541

申请日：2014-10-16

申请人： Chia-Che HSU

发明人： Chia-Che HSU

IPC分类号： F16B37/00

CPC分类号： F16B41/005 ,  F16B31/021

摘要： A nut includes a body having a neck connected to one end thereof and the neck has a breaking portion formed on the first end thereof. The breaking portion is connected to the end of the body. The thickness of the breaking portion is smaller than that of the neck. A polygonal holding portion is formed to the second end of the neck. The body has a threaded hole defined axially therethrough and the holding portion has a through hole which communicating with the threaded hole. Once the body of the nut is locked to a bolt, the breaking portion is broken and only the body is mounted onto the bolt. The body has a smooth cylindrical outer face.

摘要翻译： 螺母包括具有连接到其一端的颈部的主体，并且颈部具有形成在其第一端上的断裂部分。 断开部分连接到主体的端部。 断裂部分的厚度小于颈部的厚度。 在颈部的第二端形成多边形保持部。 主体具有轴向穿过的螺纹孔，并且保持部具有与螺纹孔连通的通孔。 一旦螺母的主体被锁定到螺栓上，断裂部分就被破坏，并且只有主体被安装到螺栓上。 身体有一个光滑的圆柱形外表面。

公开(公告)号：US20070238228A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11393436

申请日：2006-03-29

申请人： Ta-Jung Su ,  Chin-Tzu Kao ,  Chia-Che Hsu

发明人： Ta-Jung Su ,  Chin-Tzu Kao ,  Chia-Che Hsu

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： A manufacturing method for a thin film transistor (TFT) is provided. In the manufactured TFT, after a source structure, a drain structure and a channel structure are formed, a first photoresist layer is not removed and a second photoresist is formed on the first photoresist layer through which a semiconductor structure is formed. Further, n-type amorphous silicon, poly silicon or an organic metallic compound is used in replace of the conventional metal to form the source and drain structures so as to reduce step number of manufacturing for the TFT.

摘要翻译： 提供了薄膜晶体管（TFT）的制造方法。 在制造的TFT中，在源极结构形成漏极结构和沟道结构之后，不去除第一光致抗蚀剂层，并且在形成半导体结构的第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂。 此外，使用n型非晶硅，多晶硅或有机金属化合物代替常规金属以形成源极和漏极结构，以便减少TFT的制造步骤数量。

公开(公告)号：US20090075443A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11963866

申请日：2007-12-24

申请人： Chia-Che Hsu ,  Rex Young ,  Pin-Yao Wang

发明人： Chia-Che Hsu ,  Rex Young ,  Pin-Yao Wang

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/40114

摘要： A method of fabricating a flash memory includes providing a substrate with a mask layer thereon, forming pluralities of shallow trenches in the substrate, forming a first oxide layer on the substrate and in the shallow trenches, removing a portion of the first oxide layer above the mask layer, forming a second oxide layer on the mask layer and the first oxide layer, wherein the first and second oxide layers have different etching ratios, removing a portion of the second oxide layer positioned above the mask layer so that an STI is formed with the first and the second oxide layers in each shallow trench, removing the mask layer to form recess portions between adjacent STIs, and filling the recess portions with a conductive layer to form floating gates in the recess portions.

摘要翻译： 制造闪速存储器的方法包括在其上提供掩模层的衬底，在衬底中形成多个浅沟槽，在衬底上和浅沟槽中形成第一氧化物层，在第一氧化物层的上方去除部分第一氧化物层 掩模层，在掩模层和第一氧化物层上形成第二氧化物层，其中第一和第二氧化物层具有不同的蚀刻比率，去除位于掩模层上方的第二氧化物层的一部分，使得STI形成有 每个浅沟槽中的第一和第二氧化物层，去除掩模层以形成相邻STI之间的凹部，并且用导电层填充凹部，以在凹部中形成浮栅。

公开(公告)号：USD796947S1

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：US29570153

申请日：2016-07-06

申请人： Chia-Che Hsu

设计人： Chia-Che Hsu

公开(公告)号：US07754509B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US11393436

申请日：2006-03-29

申请人： Ta-Jung Su ,  Chin-Tzu Kao ,  Chia-Che Hsu

发明人： Ta-Jung Su ,  Chin-Tzu Kao ,  Chia-Che Hsu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： A manufacturing method for a thin film transistor (TFT) is provided. In the manufactured TFT, after a source structure, a drain structure and a channel structure are formed, a first photoresist layer is not removed and a second photoresist is formed on the first photoresist layer through which a semiconductor structure is formed. Further, n-type amorphous silicon, poly silicon or an organic metallic compound is used in replace of the conventional metal to form the source and drain structures so as to reduce step number of manufacturing for the TFT.

摘要翻译： 提供了薄膜晶体管（TFT）的制造方法。 在制造的TFT中，在源极结构形成漏极结构和沟道结构之后，不去除第一光致抗蚀剂层，并且在形成半导体结构的第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂。 此外，使用n型非晶硅，多晶硅或有机金属化合物代替常规金属以形成源极和漏极结构，以便减少TFT的制造步骤数量。

公开(公告)号：US20070155180A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11325323

申请日：2006-01-05

申请人： Chia-Che Hsu ,  Yea-Chung Shih ,  Mien-Jen Cheng ,  Cheng-Chang Wu ,  Jui-Chung Chang

发明人： Chia-Che Hsu ,  Yea-Chung Shih ,  Mien-Jen Cheng ,  Cheng-Chang Wu ,  Jui-Chung Chang

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/4908

摘要： A thin film etching method is provided, which is used for manufacturing semiconductor device or thin film transistor (TFT) array and through which no undercut may be presented or a good after-etching shape may be achieved with respect to a thin film thus etched. The thin film etching method is performed in a two-stage manner by an etchant and between the two stages a photoresist removing process is inserted where another etchant is used. With execution of the photoresist removing process, the thin film may have an increased contact area with the etchant. As such, any undercut or undesired after-etching shape existed in the thin film etched by the prior art may be eliminated or improved.

摘要翻译： 提供了一种薄膜蚀刻方法，其用于制造半导体器件或薄膜晶体管（TFT）阵列，并且通过该薄膜蚀刻方法可能不会产生底切，或者相对于如此蚀刻的薄膜可以实现良好的蚀刻后形状。 通过蚀刻剂以两级方式进行薄膜蚀刻方法，并且在两个阶段之间插入使用另一蚀刻剂的光致抗蚀剂去除工艺。 通过执行光致抗蚀剂去除工艺，薄膜可以具有与蚀刻剂的增加的接触面积。 因此，可以消除或改进由现有技术蚀刻的薄膜中存在的任何底切或不期望的后蚀刻形状。