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    Chemically amplified negative resist composition for EB or EUV lithography and patterning process
    4.
    发明授权
    Chemically amplified negative resist composition for EB or EUV lithography and patterning process 有权
    用于EB或EUV光刻和图案化工艺的化学放大负光刻胶组合物

    公开(公告)号：US08470511B2

    公开(公告)日：2013-06-25

    申请号：US13027446

    申请日：2011-02-15

    申请人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon

    发明人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/038

    摘要： A chemically amplified negative resist composition is provided comprising (A) an alkali-soluble polymer, (B) an acid generator, and (C) a nitrogen-containing compound as a basic component, the polymer (A) turning alkali insoluble under the catalysis of acid. A basic polymer having a secondary or tertiary amine structure on a side chain serves as components (A) and (C). Processing the negative resist composition by EB or EUV lithography process may form a fine size resist pattern with advantages including uniform diffusion of base, improved LER, controlled deactivation of acid at the substrate interface, and a reduced degree of undercut.

    摘要翻译： 提供一种化学放大型负性抗蚀剂组合物，其包含（A）碱溶性聚合物，（B）酸产生剂和（C）含氮化合物作为碱性成分，所述聚合物（A）在催化下使碱不溶 的酸。 在侧链上具有仲胺结构或叔胺结构的基本聚合物用作组分（A）和（C）。 通过EB或EUV光刻工艺处理负光刻胶组合物可形成精细尺寸的抗蚀剂图案，其优点包括碱的均匀扩散，改进的LER，在底物界面处控制的酸的失活，以及降低的底切度。

    POLYMERIZABLE MONOMERS
    6.
    发明申请
    POLYMERIZABLE MONOMERS 有权
    聚合单体

    公开(公告)号：US20120029193A1

    公开(公告)日：2012-02-02

    申请号：US13190689

    申请日：2011-07-26

    申请人： Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe

    发明人： Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe

    IPC分类号： C07D239/10

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  C07D239/10 ,  C08F26/06 ,  G03F7/2059

    摘要： A monomer of formula (1) is provided wherein R1 is hydrogen or a monovalent C1-C6 hydrocarbon group, and R2 is a group having polymerization functionality. Using the monomer, crosslinking units can be incorporated into a polymer chain. A chemically amplified negative resist composition comprising a base polymer having crosslinking units incorporated therein has a high sensitivity and forms a resist pattern with minimized LER.

    摘要翻译： 提供式（1）的单体，其中R1是氢或一价C1-C6烃基，R2是具有聚合官能团的基团。 使用单体，可以将交联单元引入聚合物链中。 包含其中结合有交联单元的基础聚合物的化学放大型负性抗蚀剂组合物具有高灵敏度并形成具有最小LER的抗蚀剂图案。

    CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR EB OR EUV LITHOGRAPHY AND PATTERNING PROCESS
    7.
    发明申请
    CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR EB OR EUV LITHOGRAPHY AND PATTERNING PROCESS 有权
    用于EB或EUV光刻和图案处理的化学放大正电阻组合物

    公开(公告)号：US20110200941A1

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：US13027356

    申请日：2011-02-15

    申请人： Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu TANAKA ,  Daisuke DOMON

    发明人： Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu TANAKA ,  Daisuke DOMON

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

    摘要： A chemically amplified positive resist composition for EB or EUV lithography is provided comprising (A) a polymer or a blend of polymers wherein a film of the polymer or polymer blend is insoluble in alkaline developer, but turns soluble under the action of acid, (B) an acid generator, (C) a basic compound, and (D) a solvent. The basic compound (C) is a polymer comprising recurring units bearing a side chain having a secondary or tertiary amine structure as a basic active site and constitutes a part or the entirety of the polymer or polymers as component (A).

    摘要翻译： 提供了用于EB或EUV光刻的化学放大型正性抗蚀剂组合物，其包含（A）聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的膜不溶于碱性显影剂，但在酸的作用下变得可溶，（B ）酸产生剂，（C）碱性化合物和（D）溶剂。 碱性化合物（C）是包含具有作为碱性活性位点的具有仲胺结构或叔胺结构的侧链的重复单元并且构成作为组分（A）的聚合物或聚合物的一部分或全部的聚合物。

    NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
    8.
    发明申请
    NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 有权
    负极组合物和图案过程

    公开(公告)号：US20110143266A1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：US12911338

    申请日：2010-10-25

    申请人： Akinobu Tanaka ,  Keiichi Masunaga ,  Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe

    发明人： Akinobu Tanaka ,  Keiichi Masunaga ,  Daisuke Domon ,  Satoshi Watanabe

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F1/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/20 ,  Y10S430/111

    摘要： There is disclosed a negative resist composition comprising at least: (A) a base polymer that is alkaline-soluble and is made alkaline-insoluble by action of an acid; (B) an acid generator; and (C) a basic component, wherein the base polymer at least contains a polymer including repeating units represented by the following general formula (1) and general formula (2) and having a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000. There can be a negative resist composition hardly causing a bridge in forming a pattern and providing a high resolution and a patterning process using the same.

    摘要翻译： 公开了一种负性抗蚀剂组合物，其至少包含：（A）碱溶性碱性聚合物，并且通过酸的作用使其不溶于碱; （B）酸发生剂; 和（C）碱性成分，其中，所述基础聚合物至少含有包含由以下通式（1）和通式（2）表示的重均分子量为1,000〜10,000的聚合物。 可以存在在形成图案时难以引起桥的负的抗蚀剂组合物，并且提供高分辨率和使用其的图案化工艺。

    CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
    9.
    发明申请
    CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS 有权
    化学稳定组合物和图案形成过程

    公开(公告)号：US20100304302A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：US12789747

    申请日：2010-05-28

    申请人： Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon

    发明人： Keiichi MASUNAGA ,  Satoshi Watanabe ,  Akinobu Tanaka ,  Daisuke Domon

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

    摘要： A chemically amplified resist composition comprises a polymer comprising units having polarity to impart adhesion and acid labile units adapted to turn alkali soluble under the action of acid. The polymer comprises recurring units having formula (1) wherein R1 is H, F, CH3 or CF3, Rf is H, F, CF3 or CF2CF3, A is a divalent hydrocarbon group, R2, R3 and R4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl. Recurring units containing an aromatic ring structure are present in an amount ≧60 mol % and the recurring units having formula (1) are present in an amount

    摘要翻译： 化学放大抗蚀剂组合物包含含有极性赋予粘合性的单元的聚合物和适于在酸的作用下使碱溶性变成酸性不稳定单元。 聚合物包含具有式（1）的重复单元，其中R 1是H，F，CH 3或CF 3，R f是H，F，CF 3或CF 2 CF 3，A是二价烃基，R 2，R 3和R 4是烷基，烯基， 芳基，芳烷基或芳氧基烷基。 含有芳环结构的重复单元的存在量为≥60mol％，并且具有式（1）的重复单元以<5mol％的量存在。