公开(公告)号：US4689288A

公开(公告)日：1987-08-25

申请号：US777611

申请日：1985-09-19

申请人： Francois Buiguez ,  Louis Giral ,  Charles Rosilio ,  Francois Schue

发明人： Francois Buiguez ,  Louis Giral ,  Charles Rosilio ,  Francois Schue

IPC分类号： G03C5/00 ,  C08F30/08 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/26 ,  G03C1/495 ,  G03C1/71 ,  G03C1/72

CPC分类号： C08F30/08 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/127

摘要： Photosensitive film which is photosensitive in a given wavelength range comprises at least one silicon-containing polymer, at least one salt which can be converted into a Brunsted acid by irradiation and optionally at least one photosensitizer. The silicon-containing polymer-based photosensitive film can be used as a masking resin in a lithography process for producing electronic components.

摘要翻译： 在给定波长范围内是感光的感光膜包括至少一种含硅聚合物，至少一种盐，其可以通过照射和任选的至少一种光敏剂转化成布朗斯台德酸。 含硅聚合物类感光膜可以用作用于制造电子部件的光刻工艺中的掩模树脂。

公开(公告)号：US4636281A

公开(公告)日：1987-01-13

申请号：US744339

申请日：1985-06-13

申请人： Francois Buiguez ,  Joel Hartmann

发明人： Francois Buiguez ,  Joel Hartmann

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/763 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/763 ,  Y10S148/05

摘要： Process for the autopositioning of a local field oxide relative to an insulating trench.This process consists of forming at least one first insulating coating on a silicon substrate, producing a second insulating coating on the first coating, anisotropically etching the first and second coating until the region of the substrate in which the trench is to be formed is exposed, forming insulating spacers on the etched flanks of the first and second coatings, anisotropically etching the substrate region in order to form the trench, the second etched coating and the spacers used as a mask for said etching, eliminating the mask, forming the insulating edges in the trench, filling said trench with a material and forming the field oxide.

摘要翻译： 局部场氧化物相对于绝缘沟槽自动定位的方法。 该方法包括在硅衬底上形成至少一个第一绝缘涂层，在第一涂层上产生第二绝缘涂层，各向异性地蚀刻第一和第二涂层，直到其中要形成沟槽的衬底的区域被暴露， 在第一和第二涂层的蚀刻侧面上形成绝缘间隔物，各向异性地蚀刻衬底区域以形成沟槽，第二蚀刻涂层和间隔物用作所述蚀刻的掩模，消除掩模，形成绝缘边缘 沟槽，用材料填充所述沟槽并形成场氧化物。

公开(公告)号：US4770977A

公开(公告)日：1988-09-13

申请号：US46913

申请日：1987-05-07

申请人： Francois Buiguez ,  Louis Giral ,  Charles Rosilio ,  Francois Schue

发明人： Francois Buiguez ,  Louis Giral ,  Charles Rosilio ,  Francois Schue

IPC分类号： C08F30/08 ,  G03F7/075 ,  G03C5/16

CPC分类号： C08F30/08 ,  G03F7/0758

摘要： Photosensitive film which is photosensitive in a given wavelength range comprises at least one silicon-containing polymer, at least one salt which can be converted into a Brunsted acid by irradiation and optionally at least one photosensitizer. The silicon-containing polymer-based photosensitive film can be used as a masking resin in a lithography process for producing electronic components.

摘要翻译： 在给定波长范围内是感光的感光膜包括至少一种含硅聚合物，至少一种盐，其可以通过照射和任选的至少一种光敏剂转化成布朗斯台德酸。 含硅聚合物类感光膜可以用作用于制造电子部件的光刻工艺中的掩模树脂。

公开(公告)号：US4124474A

公开(公告)日：1978-11-07

申请号：US848133

申请日：1977-11-03

申请人： Guillermo Bomchil ,  Francois Buiguez ,  Sylvie Galzin ,  Alain Monfret ,  Louise Peccoud

发明人： Guillermo Bomchil ,  Francois Buiguez ,  Sylvie Galzin ,  Alain Monfret ,  Louise Peccoud

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/54 ,  C23C15/00

CPC分类号： C23C14/0042 ,  C23C14/544

摘要： The method consists in establishing the ion bombardment parameters, in varying a regulation parameter in order to initiate deposition, in measuring at each instant the total pressure drop within the vacuum chamber with respect to the initial pressure and in controlling the total pressure drop by controllably varying the regulation parameter.

摘要翻译： 该方法包括建立离子轰击参数，改变调节参数以引发沉积，在每一时刻测量真空室内相对于初始压力的总压降，并通过可控地变化来控制总压降 调节参数。