利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

9 条记录 (耗时 0.012 秒)

    Membrane for use in X-ray mask and method for preparing the same
    1.
    发明授权
    Membrane for use in X-ray mask and method for preparing the same 失效
    用于X射线掩模的膜及其制备方法

    公开(公告)号：US4940851A

    公开(公告)日：1990-07-10

    申请号：US111996

    申请日：1987-10-21

    申请人： Akira Oyobe ,  Toshihiko Maeda ,  Hiroyuki Nakae ,  Toshio Hirai ,  Tsuyoshi Masumoto

    发明人： Akira Oyobe ,  Toshihiko Maeda ,  Hiroyuki Nakae ,  Toshio Hirai ,  Tsuyoshi Masumoto

    IPC分类号： C01B35/14 ,  G03F1/00 ,  G03F1/22 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F1/22

    摘要： A membrane for use in an X-ray mask composed of a compound comprising at least three kinds of elements of boron (B), silicon (Si) and nitrogen (N) in which the content of silicon in the compound is at least 15 atomic percent, but less than 100 atomic percent, and the atomic ratio of Si/(B+Si) in the compound is at least 0.2, but less than one. The membrane is synthesized from source gases including at least the foregoing three kinds of elements by chemical reaction under such conditions that the ratio of nitrogen to boron plus silicon is at least one in the source gases and thereby depositing a film of the compound onto a substrate. Since the membrane thus prepared has a high transmittance in the visible region and X-ray and their residual stress can be readily controlled by adjusting the conditions for the formation of the membrane, it is suitable for the preparation of X-ray masks.

    摘要翻译： 一种用于由包含硼（B），硅（Si）和氮（N））的至少三种元素的化合物构成的X射线掩模的膜，其中化合物中的硅含量为至少15原子 百分比但小于100原子％，化合物中Si /（B + Si）的原子比为至少0.2，但小于1。 在源气体中氮与硼与硅的比例至少为1的条件下，通过化学反应在至少包含上述3种元素的源气体中合成膜，由此将化合物的膜沉积在基材上 。 由于如此制备的膜在可见光区域具有高透射率，并且通过调节形成膜的条件可以容易地控制X射线及其残余应力，因此适用于制备X射线掩模。

    Polycrystalline rhombohedral boron nitride and method of producing the same
    2.
    发明授权
    Polycrystalline rhombohedral boron nitride and method of producing the same 失效
    多晶菱方氮化硼及其制造方法

    公开(公告)号：US4900526A

    公开(公告)日：1990-02-13

    申请号：US887096

    申请日：1986-07-03

    申请人： Toshitsugu Matsuda ,  Hiroyuki Nakae ,  Toshio Hirai

    发明人： Toshitsugu Matsuda ,  Hiroyuki Nakae ,  Toshio Hirai

    IPC分类号： C01B21/064 ,  C04B35/583 ,  C04B35/5831 ,  C23C16/34 ,  C30B35/00

    CPC分类号： C23C16/342 ,  C01B21/064 ,  C04B35/583 ,  C04B35/5831 ,  C30B35/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  Y10S148/113

    摘要： The specification discloses a polycrystalline boron nitride of high purity and high density consisting essentially of rhombohedral crystals in which the three-fold rotation axes, parallel to the c-axis in the notation of hexagonal crystal system, of the crystals have a preferred orientation. The polycrystalline rhombohedral boron nitride can be obtained as bulk or thin film articles with desired shapes by chemical vapor deposition including the steps of introducing a source gas of boron and a source gas into a reactor containing a heated substrate and depositing boron nitride onto the heated substrate, wherein a diffusion layer of the source gas of nitrogen and/or the carrier gas is formed around the substrate. The polycrystalline rhombohedral boron nitride such obtained is very useful in applications such as crucibles for melting semiconductors, various jigs for high temperature services, high-frequency insulator, microwave transmission window and source material of boron for semiconductor. Further, the boron nitride is also ideal as a starting material for high pressure phase cubic boron nitride.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP86 / 00095 Sec。 371日期1986年7月3日 102（e）日期1986年7月3日PCT提交1986年2月27日PCT公布。 公开号WO86 / 05169 日本公报1986年9月12日。本说明书公开了一种高纯度和高密度的多晶氮化硼，主要由菱方晶构成，其中三重旋转轴与六方晶系的符号中的c轴平行 晶体具有优选的取向。 可以通过化学气相沉积获得具有所需形状的本体或薄膜制品的多晶菱方氮化硼，包括以下步骤：将硼源和源气体引入含有加热衬底的反应器中并将氮化硼沉积到加热衬底上 其中，在所述基板的周围形成有氮源和/或载气的原料气体的扩散层。 这样获得的多晶菱方氮化硼在诸如用于熔融半导体的坩埚，用于高温服务的各种夹具，高频绝缘体，微波透射窗和用于半导体的硼的源材料的应用中非常有用。 此外，氮化硼作为高压相立方氮化硼的原料也是理想的。

    Boron nitride containing titanium nitride, method of producing the same and composite ceramics produced therefrom
    5.
    发明授权
    Boron nitride containing titanium nitride, method of producing the same and composite ceramics produced therefrom 失效
    含有氮化钛的氮化硼，其制造方法以及由其制造的复合陶瓷

    公开(公告)号：US4565747A

    公开(公告)日：1986-01-21

    申请号：US670154

    申请日：1984-11-09

    申请人： Hiroyuki Nakae ,  Toshitsugu Matsuda ,  Naoki Uno ,  Yukio Matsunami ,  Toshio Hirai ,  Tsuyoshi Masumoto

    发明人： Hiroyuki Nakae ,  Toshitsugu Matsuda ,  Naoki Uno ,  Yukio Matsunami ,  Toshio Hirai ,  Tsuyoshi Masumoto

    IPC分类号： B32B18/00 ,  C03C17/22 ,  C04B35/583 ,  C23C16/34 ,  C04B35/58

    CPC分类号： C03C17/225 ,  C04B35/583 ,  C23C16/34 ,  C03C2217/281 ,  C03C2218/152

    摘要： Boron nitride containing titanium nitride in an amount of 0.05 to 10 wt. % which is produced at a relatively low temperature, utilizing a chemical vapor deposition technique. In the deposition process, boron, titanium and nitrogen source gases are introduced into an evacuated reactor together with a carrier and/or diluent gas and contacted with a heated substrate previously mounted in the reactor, whereby boron nitride with titanium nitride is deposited onto the substrate. The deposit thus obtained has a high density, a significantly improved heat-shielding ability, a high degree of anisotropy with respect to thermal diffusivity and a high chemical stability. By using such anisotropic boron nitride with BN ceramics, very useful BN type composite ceramics can be produced.

    摘要翻译： 含有氮化钛的氮化硼含量为0.05〜10重量％ 使用化学气相沉积技术在相对较低的温度下生产的。 在沉积过程中，将硼，钛和氮源气体与载体和/或稀释气体一起引入抽真空的反应器中，并与预先安装在反应器中的加热衬底接触，由此将氮化钛与氮化钛沉积在衬底上 。 由此获得的沉积物具有高密度，显着提高的热屏蔽能力，相对于热扩散率的高度各向异性和高化学稳定性。 通过使用这种各向异性氮化硼与BN陶瓷，可以制造非常有用的BN型复合陶瓷。

    Polyethylene base resin composition having highly filled with an inorganic material
    8.
    发明授权
    Polyethylene base resin composition having highly filled with an inorganic material 失效
    具有高填充无机材料的聚乙烯基础树脂组合物

    公开(公告)号：US4353817A

    公开(公告)日：1982-10-12

    申请号：US201066

    申请日：1980-04-18

    申请人： Hiroyuki Nakae ,  Isamu Noguchi ,  Morikuni Hasebe

    发明人： Hiroyuki Nakae ,  Isamu Noguchi ,  Morikuni Hasebe

    IPC分类号： C08L23/00 ,  C08K3/20 ,  C08K3/22 ,  C08L7/00 ,  C08L21/00 ,  C08L23/04 ,  C08L33/00 ,  C08L33/02 ,  C08L101/00 ,  C08K9/04 ,  C08K5/09

    CPC分类号： C08L23/0815 ,  C08K3/22 ,  C08L23/06 ,  C08L23/0853 ,  C08L23/0869 ,  C08L23/16 ,  C08L2205/03 ,  C08L23/10 ,  C08L23/20

    摘要： The composition of this invention is a polyethylene base resin composition containing a high concentration of an inorganic material, which has high flame retardancy and sufficient tensile elongation for practical application and is adapted to be used as a raw material for a field in which high flame retardancy is demanded such as coatings for flame retardant wires and cables and flame retardant raw material of foamed product. This composition mainly consists of a resin component formed of 10 to 75 parts by weight of polyethylene having a density ranging between 0.910 and 0.945 (g/cm.sup.3) and a melt index ranging from 0.01 to 2.0 (g/10 min) and 90 to 25 parts by weight of an ethylene-base copolymer and further contains 80 to 250 parts by weight of powder of a hydrated metal oxide on the basis of 100 parts by weight of the resin component of said polyethylene base resin composition.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP79 / 00230 Sec。 371日期1980年04月18日 102（e）日期1980年04月18日PCT申请日1979年8月29日PCT公布。 公开号WO80 / 00448 日本1980年3月20日。本发明的组合物是含有高浓度无机材料的聚乙烯基础树脂组合物，其具有高阻燃性和足够的拉伸伸长率，适用于实际应用，并适于用作 需要高阻燃性的领域，例如阻燃电线和电缆的涂层和发泡产品的阻燃原料。 该组合物主要由10〜75重量份密度为0.910〜0.945（g / cm 3），熔融指数为0.01〜2.0（g / 10分钟），90〜25的聚乙烯形成的树脂成分 重量份的乙烯 - 基共聚物，并且基于100重量份的所述聚乙烯基础树脂组合物的树脂组分，还含有80至250重量份的水合金属氧化物粉末。