公开(公告)号：US08709897B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US12956090

申请日：2010-11-30

申请人： Hsueh-Chang Sung ,  Ming-Huan Tsai ,  Hsien-Hsin Lin ,  Chun-Fai Cheng ,  Wei-Han Fan

发明人： Hsueh-Chang Sung ,  Ming-Huan Tsai ,  Hsien-Hsin Lin ,  Chun-Fai Cheng ,  Wei-Han Fan

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method for forming a high performance strained source-drain structure includes forming a gate structure on a substrate and forming a pocket implant region proximate to the gate structure. Spacers are formed adjacent to the gate structure. A dry etch forms a recess with a first contour; a wet etch enlarge the recess to a second contour; and a thermal etch enlarges the recess to a third contour. The source-drain structure is then formed in the recess having the third contour.

摘要翻译： 用于形成高性能应变源极 - 漏极结构的方法包括在衬底上形成栅极结构并且形成靠近栅极结构的凹穴注入区域。 隔板与门结构相邻形成。 干蚀刻形成具有第一轮廓的凹部; 湿蚀刻将凹槽放大到第二轮廓; 并且热蚀刻将凹槽放大到第三轮廓。 然后在具有第三轮廓的凹槽中形成源极 - 漏极结构。

公开(公告)号：US08558289B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12795088

申请日：2010-06-07

申请人： Chun-Fai Cheng ,  Hsueh-Chang Sung ,  Kuan-Yu Chen ,  Hsien-Hsin Lin ,  Fung Ka Hing

发明人： Chun-Fai Cheng ,  Hsueh-Chang Sung ,  Kuan-Yu Chen ,  Hsien-Hsin Lin ,  Fung Ka Hing

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A transistor includes a gate electrode disposed over a substrate. At least one composite strain structure is disposed adjacent to a channel below the gate electrode. The at least one composite strain structure includes a first strain region within the substrate. A second strain region is disposed over the first strain region. At least a portion of the second strain region is disposed within the substrate.

摘要翻译： 晶体管包括设置在衬底上的栅电极。 至少一个复合应变结构邻近栅电极下方的沟道设置。 所述至少一个复合应变结构包括所述基底内的第一应变区。 第二应变区设置在第一应变区上。 第二应变区域的至少一部分设置在衬底内。

公开(公告)号：US08487354B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12545705

申请日：2009-08-21

申请人： Kuan-Yu Chen ,  Hsien-Hsin Lin ,  Chun-Feng Nieh ,  Hsueh-Chang Sung ,  Chien-Chang Su ,  Tsz-Mei Kwok

发明人： Kuan-Yu Chen ,  Hsien-Hsin Lin ,  Chun-Feng Nieh ,  Hsueh-Chang Sung ,  Chien-Chang Su ,  Tsz-Mei Kwok

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device that includes providing a semiconductor substrate, forming a gate structure over the substrate, forming a material layer over the substrate and the gate structure, implanting Ge, C, P, F, or B in the material layer, removing portions of the material layer overlying the substrate at either side of the gate structure, forming recesses in the substrate at either side of the gate structure, and depositing a semiconductor material in the recesses by an expitaxy process.

摘要翻译： 本公开提供一种制造半导体器件的方法，其包括提供半导体衬底，在衬底上形成栅极结构，在衬底上形成材料层和栅极结构，将Ge，C，P，F或B注入 所述材料层，去除所述栅极结构的任一侧上覆盖所述衬底的所述材料层的部分，在所述栅极结构的任一侧上在所述衬底中形成凹陷，以及通过开晶过程在所述凹部中沉积半导体材料。

公开(公告)号：US08404538B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12572743

申请日：2009-10-02

申请人： Kao-Ting Lai ,  Da-Wen Lin ,  Hsien-Hsin Lin ,  Yuan-Ching Peng ,  Chi-Hsi Wu

发明人： Kao-Ting Lai ,  Da-Wen Lin ,  Hsien-Hsin Lin ,  Yuan-Ching Peng ,  Chi-Hsi Wu

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method includes providing a substrate comprising a substrate material, a gate dielectric film above the substrate, and a first spacer adjacent the gate dielectric film. The spacer has a first portion in contact with a surface of the substrate and a second portion in contact with a side of the gate dielectric film. A recess is formed in a region of the substrate adjacent to the spacer. The recess is defined by a first sidewall of the substrate material. At least a portion of the first sidewall underlies at least a portion of the spacer. The substrate material beneath the first portion of the spacer is reflowed, so that a top portion of the first sidewall of the substrate material defining the recess is substantially aligned with a boundary between the gate dielectric film and the spacer. The recess is filled with a stressor material.

摘要翻译： 一种方法包括提供包括衬底材料的衬底，在衬底上方的栅极电介质膜和与栅极电介质膜相邻的第一间隔物。 间隔物具有与基底的表面接触的第一部分和与栅极电介质膜的一侧接触的第二部分。 在与衬垫相邻的衬底的区域中形成凹部。 凹部由基底材料的第一侧壁限定。 第一侧壁的至少一部分位于间隔件的至少一部分的下面。 衬垫材料位于衬垫的第一部分下面被回流，使得限定凹陷的衬底材料的第一侧壁的顶部基本上与栅极电介质膜和间隔物之间​​的边界对齐。 凹陷部分填充有压力源材料。

公开(公告)号：US20130023094A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13189108

申请日：2011-07-22

申请人： Ming-Hsi YEH ,  Hsien-Hsin LIN ,  Ying-Hsueh CHANG CHIEN ,  Yi-Fang PAI ,  Chi-Ming YANG ,  Chin-Hsiang LIN

发明人： Ming-Hsi YEH ,  Hsien-Hsin LIN ,  Ying-Hsueh CHANG CHIEN ,  Yi-Fang PAI ,  Chi-Ming YANG ,  Chin-Hsiang LIN

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  Y10S438/976

摘要： A method for fabricating an integrated device is disclosed. A protective layer is formed over a gate structure when forming epitaxial (epi) features adjacent to another gate structure uncovered by the protective layer. The protective layer is thereafter removed after forming the epitaxial (epi) features. The disclosed method provides an improved method for removing the protective layer without substantial defects resulting. In an embodiment, the improved formation method is achieved by providing a protector over an oxide-base material, and then removing the protective layer using a chemical comprising hydrofluoric acid.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成器件的方法。 当形成与由保护层未覆盖的另一个栅极结构相邻的外延（epi）特征时，在栅极结构上形成保护层。 此后，在形成外延（epi）特征之后，去除保护层。 所公开的方法提供了用于去除保护层而没有实质缺陷的改进方法。 在一个实施方案中，改进的形成方法通过在氧化物基材料上提供保护剂，然后使用包含氢氟酸的化学品除去保护层来实现。

公开(公告)号：US08344447B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US11732889

申请日：2007-04-05

申请人： Hsien-Hsin Lin ,  Weng Chang ,  Chien-Chang Su ,  Kuan-Yu Chen ,  Hsueh-Chang Sung ,  Ming-Hua Yu

发明人： Hsien-Hsin Lin ,  Weng Chang ,  Chien-Chang Su ,  Kuan-Yu Chen ,  Hsueh-Chang Sung ,  Ming-Hua Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A composite semiconductor structure and method of forming the same are provided. The composite semiconductor structure includes a first silicon-containing compound layer comprising an element selected from the group consisting essentially of germanium and carbon; a silicon layer on the first silicon-containing compound layer, wherein the silicon layer comprises substantially pure silicon; and a second silicon-containing compound layer comprising the element on the silicon layer. The first and the second silicon-containing compound layers have substantially lower silicon concentrations than the silicon layer. The composite semiconductor structure may be formed as source/drain regions of metal-oxide-semiconductor (MOS) devices.

摘要翻译： 提供一种复合半导体结构及其形成方法。 复合半导体结构包括第一含硅化合物层，其包含选自基本上由锗和碳组成的组的元素; 所述第一含硅化合物层上的硅层，其中所述硅层包含基本上纯的硅; 以及在所述硅层上包含所述元素的第二含硅化合物层。 第一和第二含硅化合物层具有比硅层低的硅浓度。 复合半导体结构可以形成为金属氧化物半导体（MOS）器件的源极/漏极区域。

公开(公告)号：US20120299121A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13114910

申请日：2011-05-24

申请人： Chii-Ming Wu ,  Chien-Chang Su ,  Hsien-Hsin Lin ,  Yi-Fang Pai

发明人： Chii-Ming Wu ,  Chien-Chang Su ,  Hsien-Hsin Lin ,  Yi-Fang Pai

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/2257 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

摘要： A system and method for forming semiconductor structures is disclosed. An embodiment comprises forming a high diffusibility layer adjacent to a gate stack and forming a low diffusibility layer adjacent to the high diffusibility layer. After these two layers are formed, an anneal is performed to diffuse dopants from the high diffusibility layer underneath the gate stack to help form a channel region.

摘要翻译： 公开了一种用于形成半导体结构的系统和方法。 一个实施例包括形成与栅极堆叠相邻的高扩散层，并形成与高扩散层相邻的低扩散性层。 在形成这两层之后，进行退火以从栅叠层下方的高扩散层扩散掺杂剂以帮助形成沟道区。

公开(公告)号：US08263451B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12713573

申请日：2010-02-26

申请人： Chien-Chang Su ,  Tsz-Mei Kwok ,  Hsien-Hsin Lin ,  Hsueh-Chang Sung ,  Yi-Fang Pai ,  Kuan-Yu Chen

发明人： Chien-Chang Su ,  Tsz-Mei Kwok ,  Hsien-Hsin Lin ,  Hsueh-Chang Sung ,  Yi-Fang Pai ,  Kuan-Yu Chen

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/785

摘要： A method of forming an integrated circuit structure includes providing a wafer including a substrate and a semiconductor fin at a major surface of the substrate, and performing a deposition step to epitaxially grow an epitaxy layer on a top surface and sidewalls of the semiconductor fin, wherein the epitaxy layer includes a semiconductor material. An etch step is then performed to remove a portion of the epitaxy layer, with a remaining portion of the epitaxy layer remaining on the top surface and the sidewalls of the semiconductor fin.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法包括在衬底的主表面上提供包括衬底和半导体鳍片的晶片，并且执行沉积步骤以在半导体鳍片的顶表面和侧壁上外延生长外延层，其中 外延层包括半导体材料。 然后执行蚀刻步骤以去除外延层的一部分，其中外延层的剩余部分保留在半导体鳍片的顶表面和侧壁上。

公开(公告)号：US20120094448A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12904633

申请日：2010-10-14

申请人： Ming-Hsi YEH ,  Hsien-Hsin LIN ,  Hui OUYANG ,  Chi-Ming YANG

发明人： Ming-Hsi YEH ,  Hsien-Hsin LIN ,  Hui OUYANG ,  Chi-Ming YANG

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66628

摘要： A method for fabricating an integrated device is disclosed. The disclosed method provides improved formation selectivity of epitaxial films over a pre-determined region designed for forming an epi film and a protective layer preferred not to form an epi, polycrystalline, or amorphous film thereon during an epi film formation process. In an embodiment, the improved formation selectivity is achieved by providing a nitrogen-rich protective layer to decrease the amount of growth epi, polycrystalline, or amorphous film thereon.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成器件的方法。 所公开的方法提供改进的外延膜的形成选择性，其在设计用于形成epi膜的预定区域和优选在外延膜形成工艺期间不在其上形成外延，多晶或非晶膜的保护层。 在一个实施方案中，通过提供富氮保护层以减少其上的生长外延，多晶或非晶膜的量来实现改进的地层选择性。

公开(公告)号：US20110042729A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12545705

申请日：2009-08-21

申请人： Kuan-Yu Chen ,  Hsien-Hsin Lin ,  Chun-Feng Nieh ,  Hsueh-Chang Sung ,  Chien-Chang Su ,  Tsz-Mei Kwok

发明人： Kuan-Yu Chen ,  Hsien-Hsin Lin ,  Chun-Feng Nieh ,  Hsueh-Chang Sung ,  Chien-Chang Su ,  Tsz-Mei Kwok

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device that includes providing a semiconductor substrate, forming a gate structure over the substrate, forming a material layer over the substrate and the gate structure, implanting Ge, C, P, F, or B in the material layer, removing portions of the material layer overlying the substrate at either side of the gate structure, forming recesses in the substrate at either side of the gate structure, and depositing a semiconductor material in the recesses by an expitaxy process.

摘要翻译： 本公开提供一种制造半导体器件的方法，其包括提供半导体衬底，在衬底上形成栅极结构，在衬底上形成材料层和栅极结构，将Ge，C，P，F或B注入 所述材料层，去除所述栅极结构的任一侧上覆盖所述衬底的所述材料层的部分，在所述栅极结构的任一侧上在所述衬底中形成凹陷，以及通过开晶过程在所述凹部中沉积半导体材料。