公开(公告)号：US08968934B2

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US12578096

申请日：2009-10-13

申请人： Il Doo Kim

发明人： Il Doo Kim

IPC分类号： H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/131 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/02

CPC分类号： H01M4/1391 ,  H01M4/0419 ,  H01M4/043 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/131 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122

摘要： The present invention relates to an electrode for a secondary battery, comprising a collector and a porous electrode active material layer disposed on at least one surface of the collector by spraying metal oxide nanoparticle dispersion, wherein the porous electrode active material comprises one selected from the group consisting of aggregated metal oxide nanoparticles, metal oxide nanoparticles and a mixture thereof, which is capable of undergoing stable high speed charging/discharging cycles under a high-energy-density and high-current condition.

摘要翻译： 二次电池用电极技术领域本发明涉及一种二次电池用电极，其特征在于，包括通过喷射金属氧化物纳米粒子分散体而设置在集电体的至少一个表面上的集电体和多孔电极活性物质层，其中，所述多孔电极活性物质包含选自 由聚集的金属氧化物纳米颗粒，金属氧化物纳米颗粒及其混合物组成，其能够在高能量密度和高电流条件下经历稳定的高速充电/放电循环。

公开(公告)号：US08518178B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13012440

申请日：2011-01-24

申请人： Il Doo Kim ,  Seung Hun Choi ,  Seong Mu Jo ,  Jae-Min Hong

发明人： Il Doo Kim ,  Seung Hun Choi ,  Seong Mu Jo ,  Jae-Min Hong

IPC分类号： C30B29/20

CPC分类号： D01D5/0038 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/956 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/571 ,  C04B35/62281 ,  C04B2235/483 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/298

摘要： Disclosed is: a single crystalline silicon carbide nanofiber having improved thermal and mechanical stability as well as a large specific surface area which is applicable to a system for purifying exhaust gas, silicon carbide fiber filter, diesel particulate filter having a high temperature stability and may be used in the form of nanostructures such as nanorods and nanoparticles.

摘要翻译： 公开了具有改善的热和机械稳定性的单晶碳化硅纳米纤维以及适用于净化废气的系统的大比表面积，碳化硅纤维过滤器，具有高温稳定性的柴油微粒过滤器，并且可以是 以纳米结构和纳米颗粒的形式使用。

公开(公告)号：US20120042713A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13266815

申请日：2010-04-30

申请人： Il-Doo Kim ,  Dong-Young Kim ,  Sung-Yeon Jang ,  Seong-Mu Jo ,  Jae-Min Hong ,  Yun-Seok Lee ,  Sung-Chul Yang

发明人： Il-Doo Kim ,  Dong-Young Kim ,  Sung-Yeon Jang ,  Seong-Mu Jo ,  Jae-Min Hong ,  Yun-Seok Lee ,  Sung-Chul Yang

IPC分类号： G01N27/12 ,  B05D1/04 ,  B05D5/12

CPC分类号： C23C24/04 ,  B05B5/0255 ,  C23C4/18 ,  C23C24/00 ,  C23C24/02 ,  C23C26/00 ,  G01N27/127 ,  G01N33/0036

摘要： The present invention provides a gas sensor, including: a sensor substrate provided with an electrode; and a thin layer of sensor material formed by spraying a solution in which metal oxide nanoparticles are dispersed onto the sensor substrate. The gas sensor is advantageous in that a sensor material is formed into a porous thin layer containing metal oxide nanoparticles having a large specific surface area, thus realizing high sensitivity on the ppb scale and a high reaction rate. Further, the gas sensor is advantageous in that it can be manufactured at room temperature, and the thickness of a sensor material can be easily adjusted by adjusting the spray time, so that a thin gas sensor or a thick gas sensor can be easily manufactured.

摘要翻译： 本发明提供一种气体传感器，包括：具有电极的传感器基板; 以及通过将金属氧化物纳米粒子分散在传感器基板上的溶液喷雾形成的薄层传感器材料。 气体传感器的优点在于，传感器材料形成为具有大比表面积的金属氧化物纳米粒子的多孔薄层，因此在ppb量程上实现高灵敏度和高反应速率。 此外，气体传感器的优点在于其可以在室温下制造，并且通过调节喷射时间可以容易地调节传感器材料的厚度，从而可以容易地制造薄气体传感器或厚气体传感器。

公开(公告)号：US08048567B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12112423

申请日：2008-04-30

申请人： Il-Doo Kim ,  Jae-Min Hong ,  Seong-Mu Jo

发明人： Il-Doo Kim ,  Jae-Min Hong ,  Seong-Mu Jo

IPC分类号： H01M4/58 ,  H01M4/62

CPC分类号： H01M4/131 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62231 ,  C04B35/6225 ,  C04B35/62254 ,  C04B35/62259 ,  C04B35/624 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5454 ,  D01D5/0007 ,  D01F9/10 ,  H01M4/0435 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027 ,  Y10S977/948

摘要： There is provided a metal oxide having a continuous nano-fiber network structure as a negative active material for a secondary battery. A method for fabricating such negative active material for a secondary battery comprises spinning a mixed solution of a metal oxide precursor and a polymer onto a collector to form composite fibers mixed with the metal oxide precursor and the polymer, thermally compressing or thermally pressurizing the composite fibers, and thermally treating the thermally compressed or thermally pressurized composite fibers to remove the polymer from the composite fiber.

摘要翻译： 提供具有连续纳米纤维网络结构的金属氧化物作为二次电池的负极活性材料。 制造这种二次电池用负极活性物质的方法包括将金属氧化物前体和聚合物的混合溶液旋转到集电体上，以形成与金属氧化物前体和聚合物混合的复合纤维，热压缩或热加压复合纤维 并且热处理热压缩或热加压复合纤维以从复合纤维中除去聚合物。

公开(公告)号：US20110114953A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12771180

申请日：2010-04-30

申请人： Il Doo KIM ,  Dong Hun KIM ,  Seung Hun CHOI

发明人： Il Doo KIM ,  Dong Hun KIM ,  Seung Hun CHOI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02266 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are a transistor including a gate insulation layer and an organic passivation layer of a polymer thin film, and a fabrication method thereof. The transistor comprises a substrate, a gate electrode formed on the substrate, a gate insulation layer including a polymethacrylic acid thin film, formed on the gate electrode and the substrate, a channel layer formed on the gate insulation layer, source electrode and drain electrode formed on the channel layer so as to expose at least a part of the channel layer, and an organic passivation layer including a polymethacrylic acid thin film, formed on the source electrode, drain electrode and the partially exposed channel layer. The method for fabricating a transistor comprises steps of forming a gate electrode on a substrate, forming a gate insulation layer of a polymethacrylic acid thin film on the gate electrode and the substrate, forming a channel layer on the gate insulation layer, forming source electrode and drain electrode on the channel layer so as to expose at least a part of the channel layer, and forming an organic passivation layer of a polymethacrylic acid thin film on the source electrode, drain electrode and the partially exposed channel layer.

摘要翻译： 公开了一种包括聚合物薄膜的栅极绝缘层和有机钝化层的晶体管及其制造方法。 晶体管包括基板，形成在基板上的栅电极，形成在栅电极和基板上的聚甲基丙烯酸薄膜的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的沟道层，形成的源电极和漏电极 在沟道层上露出沟道层的至少一部分，以及形成在源电极，漏电极和部分曝光沟道层上的包含聚甲基丙烯酸薄膜的有机钝化层。 制造晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极，在栅电极和衬底上形成聚甲基丙烯酸薄膜的栅极绝缘层，在栅绝缘层上形成沟道层，形成源电极和 在电极层上露出至少一部分沟道层，在源电极，漏电极和部分露出的沟道层上形成聚甲基丙烯酸薄膜的有机钝化层。

公开(公告)号：US20100033903A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12580098

申请日：2009-10-15

申请人： Il Doo Kim ,  Doo Young Youn

发明人： Il Doo Kim ,  Doo Young Youn

IPC分类号： H01G9/058 ,  H01M4/50 ,  C04B35/64

CPC分类号： C01G41/00 ,  B82Y30/00 ,  C01G45/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62231 ,  C04B35/6325 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5256 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/6562 ,  D01D5/0007 ,  H01G11/28 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01M4/50 ,  Y02E60/13

摘要： The present invention provides an electrode for a supercapacitor, a fabrication method thereof, and a supercapacitor comprising the same. The electrode exhibits enhanced specific capacitance and electrical conductivity, among others, due to the fact that it comprises a porous composite metal oxide layer which has the structure of a web of entangled nanofibers or has a nanoparticle network structure.

摘要翻译： 本发明提供一种用于超级电容器的电极，其制造方法和包含该电极的超级电容器。 电极表现出增强的比电容和导电性，其原因在于它包括具有缠结纳米纤维的网状结构或具有纳米颗粒网络结构的多孔复合金属氧化物层。

公开(公告)号：US20090091665A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US12140462

申请日：2008-06-17

申请人： Ho-woong KANG ,  Il-doo KIM

发明人： Ho-woong KANG ,  Il-doo KIM

IPC分类号： H04N5/66

CPC分类号： G09G5/006 ,  G06F3/14 ,  G09G2370/042 ,  G09G2370/20

摘要： A display apparatus connected to a video/audio output device includes at least two connecting portions to connect with the video/audio output device, a first storage unit to store extended display identification data (EDID) information to be provided to the video/audio output device, a second storage unit to store EDID information corresponding to the two connecting portions respectively, and a controller to change the EDID information stored in the first storage unit into one information of a currently connected connecting portion among the EDID information stored in the second storage unit when the connecting portion connected with the video/audio output device is changed.

摘要翻译： 连接到视频/音频输出设备的显示设备包括至少两个连接部分以与视频/音频输出设备连接;第一存储单元，用于存储要提供给视频/音频输出的扩展显示标识数据（EDID）信息 设备，分别存储对应于两个连接部分的EDID信息的第二存储单元和控制器，用于将存储在第一存储单元中的EDID信息改变为存储在第二存储器中的EDID信息中的当前连接的连接部分的一个信息 当与视频/音频输出设备连接的连接部分改变时，单元。

公开(公告)号：US20090058868A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12025946

申请日：2008-02-05

申请人： Ho-woong KANG ,  Il-doo Kim

发明人： Ho-woong KANG ,  Il-doo Kim

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： G09G5/006 ,  G09G2320/08 ,  G09G2370/047

摘要： An image display device and method of changing extended display identification data (EDID) information includes a first storage unit which stores extended display identification data (EDID) information to be provided to the source providing device, a second storage unit which stores at least one version of the EDID information which is different from the EDID information stored in the first storage unit, and a control unit which replaces the EDID information stored in the first storage unit with the different version of the EDID information stored in the second storage unit if an EDID information change request signal is input. Accordingly, compatibility of the EDID information between the source providing device and the image display device can be maintained.

摘要翻译： 改变扩展显示识别数据（EDID）信息的图像显示装置和方法包括存储要提供给源提供装置的扩展显示标识数据（EDID）信息的第一存储单元，存储至少一个版本的第二存储单元 的EDID信息与存储在第一存储单元中的EDID信息不同的控制单元，以及控制单元，其将存储在第一存储单元中的EDID信息替换为存储在第二存储单元中的EDID信息的不同版本，如果EDID 输入信息变更请求信号。 因此，可以保持源提供装置与图像显示装置之间的EDID信息的兼容性。

公开(公告)号：US20060076584A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US11221325

申请日：2005-09-07

申请人： Il-Doo Kim ,  Harry Tuller ,  Yong Choi ,  Akintunde Akinwande

发明人： Il-Doo Kim ,  Harry Tuller ,  Yong Choi ,  Akintunde Akinwande

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L41/313 ,  H01L51/0013

摘要： A transfer layer includes a transparent substrate. A buffer layer is formed on the transparent substrate that comprises PbO, GaN, PbTiO3, La0.5Sr0.5CoO3 (LSCO), or LaxPb1-xCoO3 (LPCO) so that separation between the buffer layer and the transparent substrate occurs at substantially high temperatures.

摘要翻译： 转印层包括透明基材。 在透明衬底上形成缓冲层，该衬底包括PbO，GaN，PbTiO 3，La 0.5 Sr 3 O 5 CoO 3， （LSCO）或La x Pb 1-x CoO 3（LPCO），使得缓冲层和透明基板之间的间隔 发生在基本高温下。

公开(公告)号：US20060060894A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11230186

申请日：2005-09-19

申请人： Il-Doo Kim ,  Harry Tuller

发明人： Il-Doo Kim ,  Harry Tuller

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01P1/181 ,  H01P1/203 ,  H01P3/003

摘要： A BST microwave device includes a single crystal oxide wafer. A silicon dioxide layer is formed on the single crystal oxide layer. A silicon substrate is bonded on the silicon dioxide layer. A BST layer is formed on the single crystal oxide layer.