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    Silicon-based dielectric stack passivation of Si-epitaxial thin-film solar cells
    2.
    发明授权
    Silicon-based dielectric stack passivation of Si-epitaxial thin-film solar cells 有权
    Si外延薄膜太阳能电池的硅基介质堆叠钝化

    公开(公告)号：US08283559B2

    公开(公告)日：2012-10-09

    申请号：US12421470

    申请日：2009-04-09

    申请人： Chentao Yu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng

    发明人： Chentao Yu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a solar cell. The solar cell includes a metallurgical-grade Si (MG-Si) substrate, a first layer of heavily doped crystalline-Si situated above the MG-Si substrate, a layer of lightly doped crystalline-Si situated above the first heavily doped crystalline-Si layer, a backside ohmic-contact layer situated on the backside of the MG-Si substrate, a second layer of heavily doped crystalline-Si situated above the lightly doped crystalline-Si layer, a first layer of dielectric situated above the second heavily doped crystalline-Si layer, a second layer of dielectric situated above the first dielectric layer, and front electrodes situated above the second dielectric layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种太阳能电池。 太阳能电池包括冶金级Si（MG-Si）衬底，位于MG-Si衬底上方的重掺杂晶体Si的第一层，位于第一重掺杂晶体Si上方的轻掺杂晶体Si层 层，位于MG-Si衬底的背面上的背面欧姆接触层，位于轻掺杂晶体Si层上方的重掺杂晶体Si的第二层，位于第二重掺杂结晶 -Si层，位于第一介电层上方的第二层电介质，以及位于第二介电层上方的前电极。

    Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design
    3.
    发明授权
    Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design 有权
    异质结太阳能电池基于外延晶体硅薄膜在冶金硅基板上的设计

    公开(公告)号：US08283557B2

    公开(公告)日：2012-10-09

    申请号：US12401314

    申请日：2009-03-10

    申请人： Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jianjun Liang

    发明人： Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jianjun Liang

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a heterojunction solar cell. The solar cell includes a metallurgical-grade Si (MG-Si) substrate, a layer of heavily doped crystalline-Si situated above the MG-Si substrate, a layer of lightly doped crystalline-Si situated above the heavily doped crystalline-Si layer, a backside ohmic-contact layer situated on the backside of the MG-Si substrate, a passivation layer situated above the heavily doped crystalline-Si layer, a layer of heavily doped amorphous Si (a-Si) situated above the passivation layer, a layer of transparent-conducting-oxide (TCO) situated above the heavily doped a-Si layer, and a front ohmic-contact electrode situated above the TCO layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了异质结太阳能电池。 太阳能电池包括冶金级Si（MG-Si）衬底，位于MG-Si衬底上方的重掺杂晶体层Si，位于重掺杂晶体Si层上方的轻掺杂晶体层Si， 位于MG-Si衬底背面的背面欧姆接触层，位于重掺杂晶体Si层上方的钝化层，位于钝化层上方的重掺杂非晶Si层（a-Si）层， 位于重掺杂的a-Si层上方的透明导电氧化物（TCO）和位于TCO层上方的前欧姆接触电极。

    SOLAR CELL WITH SHADE-FREE FRONT ELECTRODE
    7.
    发明申请
    SOLAR CELL WITH SHADE-FREE FRONT ELECTRODE 审中-公开
    太阳能电池与无电镀前电极

    公开(公告)号：US20110277816A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：US13048804

    申请日：2011-03-15

    申请人： Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Chentao Yu

    发明人： Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Chentao Yu

    IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52

    摘要： One embodiment of the present invention provides a solar cell with shade-free front electrode. The solar cell includes a photovoltaic body, a front-side ohmic contact layer situated above the photovoltaic body, a back-side ohmic contact layer situated below the photovoltaic body, a front-side electrode situated above the front-side ohmic contact layer, and a back-side electrode situated below the back-side ohmic contact layer. The front-side electrode includes a plurality of parallel metal grid lines, and the surface of at least one metal grid line is curved, thereby allowing incident light hitting the curved surface to be reflected downward and absorbed by the solar cell surface adjacent to the metal grid line.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种具有无遮蔽的前电极的太阳能电池。 太阳能电池包括光电体，位于光电体上方的前侧欧姆接触层，位于光伏体下方的背面欧姆接触层，位于前侧欧姆接触层上方的前侧电极，以及 位于背侧欧姆接触层下方的背面电极。 前侧电极包括多个平行的金属网格线，并且至少一个金属网格线的表面是弯曲的，从而允许入射到该曲面的入射光向下反射并被靠近金属的太阳能电池表面吸收 网格线。

    SILICON-BASED DIELECTRIC STACK PASSIVATION OF SI-EPITAXIAL THIN-FILM SOLAR CELLS
    8.
    发明申请
    SILICON-BASED DIELECTRIC STACK PASSIVATION OF SI-EPITAXIAL THIN-FILM SOLAR CELLS 有权
    硅绝缘薄膜太阳能电池的硅基电介质堆积

    公开(公告)号：US20100258168A1

    公开(公告)日：2010-10-14

    申请号：US12421470

    申请日：2009-04-09

    申请人： Chentao Yu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng

    发明人： Chentao Yu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a solar cell. The solar cell includes a metallurgical-grade Si (MG-Si) substrate, a first layer of heavily doped crystalline-Si situated above the MG-Si substrate, a layer of lightly doped crystalline-Si situated above the first heavily doped crystalline-Si layer, a backside ohmic-contact layer situated on the backside of the MG-Si substrate, a second layer of heavily doped crystalline-Si situated above the lightly doped crystalline-Si layer, a first layer of dielectric situated above the second heavily doped crystalline-Si layer, a second layer of dielectric situated above the first dielectric layer, and front electrodes situated above the second dielectric layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种太阳能电池。 太阳能电池包括冶金级Si（MG-Si）衬底，位于MG-Si衬底上方的重掺杂晶体Si的第一层，位于第一重掺杂晶体Si上方的轻掺杂晶体Si层 层，位于MG-Si衬底的背面上的背面欧姆接触层，位于轻掺杂晶体Si层上方的重掺杂晶体Si的第二层，位于第二重掺杂结晶 -Si层，位于第一介电层上方的第二层电介质，以及位于第二介电层上方的前电极。

    TUNNELING-JUNCTION SOLAR CELL WITH SHALLOW COUNTER DOPING LAYER IN THE SUBSTRATE
    10.
    发明申请
    TUNNELING-JUNCTION SOLAR CELL WITH SHALLOW COUNTER DOPING LAYER IN THE SUBSTRATE 审中-公开
    隧道连接太阳能电池与基板中的微计数器层

    公开(公告)号：US20130298973A1

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：US13601521

    申请日：2012-08-31

    申请人： Zhigang Xie ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Jianming Fu ,  Zheng Xu

    发明人： Zhigang Xie ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Jianming Fu ,  Zheng Xu

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/035272 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a tunneling junction solar cell. The solar cell includes a base layer, an emitter layer situated adjacent to the shallow counter doping layer, a surface field layer situated adjacent to a side of the base layer opposite to the shallow counter doping layer, a front-side electrode, and a back-side electrode. The base layer includes a shallow counter doping layer having a conduction doping type that is opposite to a remainder of the base layer. The emitter layer has a bandgap that is wider than that of the base layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种隧道结太阳能电池。 太阳能电池包括基底层，位于浅反相掺杂层附近的发射极层，位于与浅反相掺杂层相对的基底层侧面附近的表面场层，前侧电极和背面 侧电极。 基层包括具有与基层的其余部分相反的导电掺杂类型的浅反掺杂层。 发射极层具有比基底层宽的带隙。