公开(公告)号：US5965929A

公开(公告)日：1999-10-12

申请号：US623905

申请日：1996-03-27

申请人： Klaus Gnannt ,  Jakob Huber

发明人： Klaus Gnannt ,  Jakob Huber

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/167 ,  H01L29/732 ,  H01L27/082 ,  H01L27/102 ,  H01L29/70 ,  H01L31/11

CPC分类号： H01L29/66303 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7322 ,  Y10S257/919

摘要： A bipolar silicon transistor includes at least one emitter zone with n.sup.+ arsenic doping and with a phosphorus doping. The ratio between arsenic dopant concentration and phosphorus dopant concentration is between 10:1 and 500:1 in the at least one emitter zone. The at least one emitter zone may also have a penetration depth of less than 0.5 .mu.m. A method for producing a bipolar silicon transistor includes implanting a n.sup.+ -doped emitter zone with arsenic, implanting the n.sup.+ -doped emitter zone with phosphorus, setting a ratio in the n.sup.+ -doped emitter zone between the arsenic dopant concentration and phosphorus dopant concentration to between 10:1 and 500:1, and annealing crystal defects.

摘要翻译： 双极硅晶体管包括具有n +砷掺杂和磷掺杂的至少一个发射区。 在至少一个发射区中，砷掺杂剂浓度与磷掺杂剂浓度之比在10:1和500:1之间。 该至少一个发射区也可具有小于0.5μm的穿透深度。 一种用于制造双极硅晶体管的方法，包括用砷注入n +掺杂的发射极区，用磷注入n +掺杂的发射极区，将n +掺杂发射区中的砷掺杂浓度与磷掺杂剂浓度之间的比设定为 10：1和500：1，退火晶体缺陷。

公开(公告)号：US06949799B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10479310

申请日：2002-05-10

申请人： Klaus Diefenbeck ,  Klaus Gnannt ,  Jakob Huber ,  Ulrich Krumbein

发明人： Klaus Diefenbeck ,  Klaus Gnannt ,  Jakob Huber ,  Ulrich Krumbein

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L29/1004 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure including a substrate, a device layer and a contact arranged on the substrate, comprises an ESD protective means, arranged between the substrate and the contact, such, that in the ESD case a breakthrough from the ESD protective means to the contact occurs.

摘要翻译： 包括衬底，器件层和布置在衬底上的触点的半导体结构包括布置在衬底和触点之间的ESD保护装置，在ESD情况下，从ESD保护装置到接触的突破发生 。

公开(公告)号：US07816791B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11854296

申请日：2007-09-12

申请人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

发明人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.

摘要翻译： 衬底上的接合焊盘具有在器件和接合区域之间建立电连接的第一金属结构和布置在接合区域处的第二金属结构。 所述第一金属结构在所述接合区域内延伸所述基板与所述第二金属结构之间的所述接合区域的至少一部分以与所述第二金属结构接触，所述第二金属结构比所述第一金属结构硬。

公开(公告)号：US20080067682A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11854296

申请日：2007-09-12

申请人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

发明人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.

摘要翻译： 衬底上的接合焊盘具有在器件和接合区域之间建立电连接的第一金属结构和布置在接合区域处的第二金属结构。 所述第一金属结构在所述接合区域内延伸所述基板与所述第二金属结构之间的所述接合区域的至少一部分以与所述第二金属结构接触，所述第二金属结构比所述第一金属结构硬。