公开(公告)号：US07816791B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11854296

申请日：2007-09-12

申请人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

发明人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.

摘要翻译： 衬底上的接合焊盘具有在器件和接合区域之间建立电连接的第一金属结构和布置在接合区域处的第二金属结构。 所述第一金属结构在所述接合区域内延伸所述基板与所述第二金属结构之间的所述接合区域的至少一部分以与所述第二金属结构接触，所述第二金属结构比所述第一金属结构硬。

公开(公告)号：US20080067682A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11854296

申请日：2007-09-12

申请人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

发明人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.

摘要翻译： 衬底上的接合焊盘具有在器件和接合区域之间建立电连接的第一金属结构和布置在接合区域处的第二金属结构。 所述第一金属结构在所述接合区域内延伸所述基板与所述第二金属结构之间的所述接合区域的至少一部分以与所述第二金属结构接触，所述第二金属结构比所述第一金属结构硬。

公开(公告)号：US09236290B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US13365774

申请日：2012-02-03

申请人： Carsten Ahrens ,  Rudolf Berger ,  Manfred Frank ,  Uwe Hoeckele ,  Bernhard Knott ,  Ulrich Krumbein ,  Wolfgang Lehnert ,  Berthold Schuderer ,  Juergen Wagner ,  Stefan Willkofer

发明人： Carsten Ahrens ,  Rudolf Berger ,  Manfred Frank ,  Uwe Hoeckele ,  Bernhard Knott ,  Ulrich Krumbein ,  Wolfgang Lehnert ,  Berthold Schuderer ,  Juergen Wagner ,  Stefan Willkofer

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a semiconductor device having a sidewall insulation includes providing a semiconductor body having a first side and a second side lying opposite the first side. At least one first trench is at least partly filled with insulation material proceeding from the first side in the direction toward the second side into the semiconductor body. The at least one first trench is produced between a first semiconductor body region for a first semiconductor device and a second semiconductor body region for a second semiconductor device. An isolating trench extends from the first side of the semiconductor body in the direction toward the second side of the semiconductor body between the first and second semiconductor body regions in such a way that at least part of the insulation material of the first trench adjoins at least a sidewall of the isolating trench. The second side of the semiconductor body is partly removed as far as the isolating trench.

摘要翻译： 一种制造具有侧壁绝缘体的半导体器件的方法包括提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体本体。 至少一个第一沟槽至少部分地填充有绝缘材料，该绝缘材料从朝向第二侧的方向的第一侧进入半导体本体。 在第一半导体器件的第一半导体体区域和第二半导体器件的第二半导体本体区域之间产生至少一个第一沟槽。 隔离沟槽从半导体本体的第一侧沿第一和第二半导体主体区域之间的半导体本体的第二侧的方向延伸，使得第一沟槽的绝缘材料的至少一部分至少与第一沟槽的绝缘材料相邻 隔离沟槽的侧壁。 半导体主体的第二面部分地被去除到隔离沟槽的一侧。

公开(公告)号：US20120289023A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13365774

申请日：2012-02-03

申请人： Carsten Ahrens ,  Rudolf Berger ,  Manfred Frank ,  Uwe Hoeckele ,  Bernhard Knott ,  Ulrich Krumbein ,  Wolfgang Lehnert ,  Berthold Schuderer ,  Juergen Wagner ,  Stefan Willkofer

发明人： Carsten Ahrens ,  Rudolf Berger ,  Manfred Frank ,  Uwe Hoeckele ,  Bernhard Knott ,  Ulrich Krumbein ,  Wolfgang Lehnert ,  Berthold Schuderer ,  Juergen Wagner ,  Stefan Willkofer

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a semiconductor device having a sidewall insulation includes providing a semiconductor body having a first side and a second side lying opposite the first side. At least one first trench is at least partly filled with insulation material proceeding from the first side in the direction toward the second side into the semiconductor body. The at least one first trench is produced between a first semiconductor body region for a first semiconductor device and a second semiconductor body region for a second semiconductor device. An isolating trench extends from the first side of the semiconductor body in the direction toward the second side of the semiconductor body between the first and second semiconductor body regions in such a way that at least part of the insulation material of the first trench adjoins at least a sidewall of the isolating trench. The second side of the semiconductor body is partly removed as far as the isolating trench.

摘要翻译： 一种制造具有侧壁绝缘体的半导体器件的方法包括提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体本体。 至少一个第一沟槽至少部分地填充有绝缘材料，该绝缘材料从朝向第二侧的方向的第一侧进入半导体本体。 在第一半导体器件的第一半导体体区域和第二半导体器件的第二半导体本体区域之间产生至少一个第一沟槽。 隔离沟槽从半导体本体的第一侧沿第一和第二半导体主体区域之间的半导体本体的第二侧的方向延伸，使得第一沟槽的绝缘材料的至少一部分至少邻接 隔离沟槽的侧壁。 半导体主体的第二面部分地被去除到隔离沟槽的一侧。

公开(公告)号：US06949799B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10479310

申请日：2002-05-10

申请人： Klaus Diefenbeck ,  Klaus Gnannt ,  Jakob Huber ,  Ulrich Krumbein

发明人： Klaus Diefenbeck ,  Klaus Gnannt ,  Jakob Huber ,  Ulrich Krumbein

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L29/1004 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure including a substrate, a device layer and a contact arranged on the substrate, comprises an ESD protective means, arranged between the substrate and the contact, such, that in the ESD case a breakthrough from the ESD protective means to the contact occurs.

摘要翻译： 包括衬底，器件层和布置在衬底上的触点的半导体结构包括布置在衬底和触点之间的ESD保护装置，在ESD情况下，从ESD保护装置到接触的突破发生 。

公开(公告)号：US08749056B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13116285

申请日：2011-05-26

申请人： Daniel Kehrer ,  Stefan Martens ,  Tze Yang Hin ,  Helmut Wietschorke ,  Horst Theuss ,  Beng Keh See ,  Ulrich Krumbein

发明人： Daniel Kehrer ,  Stefan Martens ,  Tze Yang Hin ,  Helmut Wietschorke ,  Horst Theuss ,  Beng Keh See ,  Ulrich Krumbein

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： A module and a method for manufacturing a module are disclosed. An embodiment of a module includes a first semiconductor device, a frame arranged on the first semiconductor device, the frame including a cavity, and a second semiconductor device arranged on the frame wherein the second semiconductor device seals the cavity.

摘要翻译： 公开了一种用于制造模块的模块和方法。 模块的实施例包括第一半导体器件，布置在第一半导体器件上的框架，包括空腔的框架和布置在框架上的第二半导体器件，其中第二半导体器件密封空腔。

公开(公告)号：US20120273935A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13097851

申请日：2011-04-29

申请人： Stefan Martens ,  Tze Yang Hin ,  Kian Pin Queck ,  Kathleen Ong ,  Chin Wei Ronnie Tan ,  Beng Keh See ,  Ulrich Krumbein ,  Horst Theuss

发明人： Stefan Martens ,  Tze Yang Hin ,  Kian Pin Queck ,  Kathleen Ong ,  Chin Wei Ronnie Tan ,  Beng Keh See ,  Ulrich Krumbein ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device are disclosed. An embodiment comprises forming a bump on a die, the bump having a solder top, melting the solder top by pressing the solder top directly on a contact pad of a support substrate, and forming a contact between the die and the support substrate.

摘要翻译： 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。 一个实施例包括在模具上形成凸块，凸块具有焊料顶部，通过将焊料顶部直接压在支撑衬底的接触焊盘上并在模具和支撑衬底之间形成接触来熔化焊料顶部。

公开(公告)号：US20130223023A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13531373

申请日：2012-06-22

申请人： Alfons Dehe ,  Matthias Herrmann ,  Ulrich Krumbein ,  Stefan Barzen ,  Wolfgang Klein

发明人： Alfons Dehe ,  Matthias Herrmann ,  Ulrich Krumbein ,  Stefan Barzen ,  Wolfgang Klein

IPC分类号： H05K7/02

CPC分类号： B81B7/0029 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/16152 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R2307/207 ,  H01L2924/00014

摘要： A MEMS structure includes a backplate, a membrane, and an adjustable ventilation opening configured to reduce a pressure difference between a first space contacting the membrane and a second space contacting an opposite side of the membrane. The adjustable ventilation opening is passively actuated as a function of the pressure difference between the first space and the second space.

摘要翻译： MEMS结构包括背板，膜和可调节的通风口，其被配置为减小接触膜的第一空间与接触膜的相对侧的第二空间之间的压力差。 根据第一空间和第二空间之间的压差，被调节的通风口被动地致动。

公开(公告)号：US20120309130A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13152021

申请日：2011-06-02

申请人： Tze Yang Hin ,  Stefan Martens ,  Werner Simbuerger ,  Helmut Wietschorke ,  Horst Theuss ,  Beng Keh See ,  Ulrich Krumbein

发明人： Tze Yang Hin ,  Stefan Martens ,  Werner Simbuerger ,  Helmut Wietschorke ,  Horst Theuss ,  Beng Keh See ,  Ulrich Krumbein

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment a method for manufacturing a semiconductor device comprises arranging a wafer on a carrier, the wafer comprising singulated chips; bonding the singulated chips to a support wafer, and removing the carrier.

摘要翻译： 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括将晶片布置在载体上，所述晶片包括单片化芯片; 将分割的芯片接合到支撑晶片，并移除载体。

公开(公告)号：US07663222B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11342294

申请日：2006-01-27

申请人： Gerhard Lohninger ,  Ulrich Krumbein

发明人： Gerhard Lohninger ,  Ulrich Krumbein

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： The semiconductor device includes a semiconductor body having a first and an opposite second main surface and side faces connecting the main surfaces, a circuit region in the semiconductor body adjacent to the first main surface, having a circuit contact terminal, a metallization region extending from the circuit contact terminal on the first main surface onto a side face of the semiconductor body to provide an exposed contacting region on the side face of the semiconductor body, and an insulation layer arranged between the metallization region and the semiconductor body, the insulation layer having an opening for electrically connecting the circuit contact terminal to the metallization region.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一和相对的第二主表面和连接主表面的侧面的半导体本体，与第一主表面相邻的半导体本体中的电路区域，具有电路接触端子，从该第二主表面延伸的金属化区域 在半导体主体的侧面上设置第一主表面上的电路接触端子，以在半导体主体的侧面上提供暴露的接触区域，以及布置在金属化区域和半导体本体之间的绝缘层，绝缘层具有 用于将电路接触端子电连接到金属化区域的开口。