公开(公告)号：US20060213430A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11248579

申请日：2005-10-12

申请人： Jason Jenny ,  David Malta ,  Hudson Hobgood ,  Stephan Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri Tsvetkov ,  George Fechko ,  Calvin Carter

发明人： Jason Jenny ,  David Malta ,  Hudson Hobgood ,  Stephan Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri Tsvetkov ,  George Fechko ,  Calvin Carter

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324

摘要： A method is disclosed for producing a high quality bulk single crystal of silicon carbide in a seeded growth system and in the absence of a solid silicon carbide source, by reducing the separation between a silicon carbide seed crystal and a seed holder until the conductive heat transfer between the seed crystal and the seed holder dominates the radiative heat transfer between the seed crystal and the seed holder over substantially the entire seed crystal surface that is adjacent the seed holder.

摘要翻译： 公开了一种用于在种子生长系统中生产高质量大块碳化硅单晶并且在不存在固体碳化硅源的情况下，通过减少碳化硅晶种和种子保持器之间的分离直到导电传热 晶种和种子保持器之间的种子晶种和种子保持器之间的辐射热传递在基本上与种子保持器相邻的整个晶种表面上。

公开(公告)号：US20060073707A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US10957806

申请日：2004-10-04

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Stephen Mueller ,  Valeri Tsvetkov ,  Robert Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Stephen Mueller ,  Valeri Tsvetkov ,  Robert Leonard

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  Y10T428/21

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 3 inches and a 1 c screw dislocation density of less than about 2000 cm−2.

摘要翻译： 公开了一种高质量的SiC晶圆，其直径至少​​为约3英寸，螺旋位错密度小于约2000cm -2。

公开(公告)号：US20050126471A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10876963

申请日：2004-06-25

申请人： Jason Jenny ,  David Malta ,  Hudson Hobgood ,  Stephan Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri Tsvetkov

发明人： Jason Jenny ,  David Malta ,  Hudson Hobgood ,  Stephan Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri Tsvetkov

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31

摘要： A single polytype single crystal silicon carbide wafer is disclosed having a diameter greater than three inches and less than five inches, resistivity greater than 10,000 ohm-cm, a micropipe density less than 200 cm−2, and a combined concentration of shallow level dopants less than 5E16 cm−3.

摘要翻译： 公开了单个多型单晶碳化硅晶片，其直径大于3英寸且小于5英寸，电阻率大于10,000欧姆 - 厘米，微管密度小于200厘米-2，以及 浅层掺杂剂的组合浓度小于5E16 cm -3。

公开(公告)号：US20070209577A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US10957807

申请日：2004-10-04

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Leonard

IPC分类号： H01L31/00 ,  C30B25/00 ,  C01B31/36 ,  C30B23/00

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/04

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 100 mm and a micropipe density of less than about 25 cm−2.

摘要翻译： 公开了一种高质量的SiC晶圆，其直径至少​​为约100mm，微管密度小于约25cm -2。

公开(公告)号：US20060118037A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11006997

申请日：2004-12-08

申请人： Adrian Powell ,  Valeri Tsvetkov ,  Mark Brady ,  Robert Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Valeri Tsvetkov ,  Mark Brady ,  Robert Leonard

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： The invention is an improvement in the method of producing a high quality bulk single crystal of silicon carbide in a seeded sublimation system. In a first embodiment, the improvement comprises reducing the number of macrosteps in a growing crystal by incorporating a high concentration of nitrogen atoms in the initial one (1) millimeter of crystal growth.

公开(公告)号：US08147991B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12772254

申请日：2010-05-03

申请人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri F. Tsvetkov

发明人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri F. Tsvetkov

IPC分类号： B32B19/00 ,  H01L31/0312

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31

摘要： A method is disclosed for producing a high quality bulk single crystal of silicon carbide in a seeded growth system by reducing the separation between a silicon carbide seed crystal and a seed holder until the conductive heat transfer between the seed crystal and the seed holder dominates the radiative heat transfer between the seed crystal and the seed holder over substantially the entire seed crystal surface that is adjacent the seed holder.

摘要翻译： 公开了一种用于通过减少碳化硅晶种和种子保持器之间的分离直到在晶种和种子保持器之间的导电传热主导辐射的方式在种子生长系统中生产高质量的碳化硅块状单晶的方法 晶种和种子保持器之间的基本上在种子保持器附近的整个晶种表面上的热传递。

公开(公告)号：US07314521B2

公开(公告)日：2008-01-01

申请号：US10957807

申请日：2004-10-04

申请人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard

发明人： Adrian Powell ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard

IPC分类号： C30B25/12 ,  C30B25/14

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/04

摘要： A high quality single crystal wafer of SiC is disclosed having a diameter of at least about 100 mm and a micropipe density of less than about 25 cm−2.

摘要翻译： 公开了一种高质量的SiC晶圆，其直径至少​​为约100mm，微管密度小于约25cm -2。

公开(公告)号：US08980445B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US11428954

申请日：2006-07-06

申请人： Robert T. Leonard ,  Mark Brady ,  Adrian Powell

发明人： Robert T. Leonard ,  Mark Brady ,  Adrian Powell

IPC分类号： C01B31/36 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00 ,  C30B29/36 ,  C30B23/00

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

摘要： A semiconductor crystal and associated growth method are disclosed. The crystal includes a seed portion and a growth portion on the seed portion. The seed portion and the growth portion form a substantially right cylindrical single crystal of silicon carbide. A seed face defines an interface between the growth portion and the seed portion, with the seed face being substantially parallel to the bases of the right cylindrical crystal and being off-axis with respect to a basal plane of the single crystal. The growth portion replicates the polytype of the seed portion and the growth portion has a diameter of at least about 100 mm.

摘要翻译： 公开了半导体晶体和相关生长方法。 晶体包括种子部分和种子部分上的生长部分。 种子部分和生长部分形成基本上为圆柱形的碳化硅单晶。 种子面限定了生长部分和种子部分之间的界面，种子面基本上平行于右圆柱形晶体的基部并且相对于单晶的基面偏离轴。 生长部分复制种子部分的多型，并且生长部分具有至少约100mm的直径。

公开(公告)号：US20110024766A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12772254

申请日：2010-05-03

申请人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri F. Tsvetkov

发明人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valeri F. Tsvetkov

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31

摘要： A method is disclosed for producing a high quality bulk single crystal of silicon carbide in a seeded growth system by reducing the separation between a silicon carbide seed crystal and a seed holder until the conductive heat transfer between the seed crystal and the seed holder dominates the radiative heat transfer between the seed crystal and the seed holder over substantially the entire seed crystal surface that is adjacent the seed holder.

摘要翻译： 公开了一种用于通过减少碳化硅晶种和种子保持器之间的分离直到在晶种和种子保持器之间的导电传热主导辐射的方式在种子生长系统中生产高质量的碳化硅块状单晶的方法 晶种和种子保持器之间的基本上在种子保持器附近的整个晶种表面上的热传递。

公开(公告)号：US07601441B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US10876963

申请日：2004-06-25

申请人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valerl F. Tsvetkov

发明人： Jason Ronald Jenny ,  David Phillip Malta ,  Hudson McDonald Hobgood ,  Stephan Georg Mueller ,  Mark Brady ,  Robert Tyler Leonard ,  Adrian Powell ,  Valerl F. Tsvetkov

IPC分类号： B32B19/00 ,  H01L31/0312

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31

摘要： A single polytype single crystal silicon carbide wafer is disclosed having a diameter greater than three inches and less than five inches, resistivity greater than 10,000 ohm-cm, a micropipe density less than 200 cm−2, and a combined concentration of shallow level dopants less than 5E16 cm−3.

摘要翻译： 公开了单个多型单晶碳化硅晶片，其直径大于3英寸且小于5英寸，电阻率大于10,000欧姆 - 厘米，微管密度小于200厘米-2，并且浅层掺杂剂的组合浓度较小 比5E16厘米-3。