公开(公告)号：US07696303B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US10514137

申请日：2003-05-09

申请人： Richard O'Dell ,  Carl Towns ,  Brian Tierney ,  Stephen O'Connor ,  Ilaria Grizzi ,  Clare L. Foden ,  Nalinkumar Patel ,  Mark L. Leadbeater ,  Lorraine Murtagh

发明人： Richard O'Dell ,  Carl Towns ,  Brian Tierney ,  Stephen O'Connor ,  Ilaria Grizzi ,  Clare L. Foden ,  Nalinkumar Patel ,  Mark L. Leadbeater ,  Lorraine Murtagh

IPC分类号： H01L51/54 ,  H05B33/14 ,  C09K11/06 ,  C08G61/12

CPC分类号： H01L51/0043 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/026 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1408 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/5012 ,  Y10S428/917

摘要： A polymer for use in an optical device comprising a first, optionally substituted, repeat unit of formula and a second, optionally substituted, repeat unit of formula wherein each Ar and Ar′ is the same or different and comprises an optionally substituted aryl or heteroaryl group and optionally a third, optionally substituted, repeat unit in a molar ratio of no greater than 5%, the third repeat unit having a formula —Ar—N(Ar)—Ar— and having a single nitrogen atom in its backbone.

摘要翻译： 一种用于光学器件的聚合物，其包含第一，任选取代的式的重复单元和第二，任选取代的重复单元，其中每个Ar和Ar'相同或不同，并且包含任选取代的芳基或杂芳基 和任选的第三，任选取代的重复单元，其摩尔比不大于5％，第三重复单元具有式-Ar-N（Ar）-Ar-，并且在其主链中具有单个氮原子。

公开(公告)号：US5169485A

公开(公告)日：1992-12-08

申请号：US665665

申请日：1991-03-07

申请人： Silas J. Allen, Jr. ,  James P. Harbison ,  Mark L. Leadbeater ,  Ramamoorthy Ramesh ,  Timothy D. Sands

发明人： Silas J. Allen, Jr. ,  James P. Harbison ,  Mark L. Leadbeater ,  Ramamoorthy Ramesh ,  Timothy D. Sands

IPC分类号： C30B1/02 ,  G11C11/14 ,  G11C11/18 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01F41/32

CPC分类号： B82Y25/00 ,  C30B1/023 ,  C30B29/52 ,  G11C11/14 ,  G11C11/18 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01F41/32

摘要： A non-volatile memory element based upon a thin epitaxial film of manganese aluminum upon a III-V semiconductor is described. The film is stable at elevated temperatures required for III-V semiconductor device processing, so permitting the monolithic integration of non-volatile memory elements with III-V semiconductor electronic and photonic devices.

摘要翻译： 描述了基于III-V半导体上的锰铝的薄外延膜的非易失性存储元件。 该膜在III-V半导体器件处理所需的高温下是稳定的，因此允许非易失性存储元件与III-V半导体电子和光子器件的单片集成。

公开(公告)号：US5962864A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US912925

申请日：1997-08-15

申请人： Mark L. Leadbeater ,  Nalin K. Patel

发明人： Mark L. Leadbeater ,  Nalin K. Patel

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/334 ,  H01L29/66 ,  H01L29/68 ,  H01L29/772 ,  H01L33/06 ,  H01S5/062 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/66939 ,  H01L29/772 ,  H01S5/34 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/3081 ,  H01S5/3425

摘要： A semiconductor device comprises mutually separated first and third barrier layers interposed between the first and second patterned terminals. The device operates by the resonant tunneling of carriers from the second terminal to the first terminal. The first terminal is patterned into a section and a plurality of layers comprising the mutually separated first and second barrier layers are formed on top of the first terminal. A second terminal is then formed on top of the plurality of semiconductor layers. The second terminal is then patterned so that it only overlies the first terminal in confined region. A front-gate is then formed on top of the patterned second terminal.

摘要翻译： 半导体器件包括介于第一和第二图案化端子之间的相互分离的第一和第三阻挡层。 该装置通过从第二端子到第一端子的载流子的谐振隧穿来工作。 第一端子被图案化为一部分，并且包括相互分离的第一和第二阻挡层的多个层形成在第一端子的顶部上。 然后在多个半导体层的顶部上形成第二端子。 然后将第二端子图案化，使得其仅在有限区域中的第一端子上方覆盖。 然后在图案化的第二端子的顶部上形成前栅极。