公开(公告)号：US09159872B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13485756

申请日：2012-05-31

申请人： Juanita Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven Hughes

发明人： Juanita Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven Hughes

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L33/04 ,  H01L21/02 ,  H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C01B19/00 ,  H01L33/06 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/00 ,  B01J13/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： Semiconductor structures having a nanocrystalline core and corresponding nanocrystalline shell are described. In an example, a semiconductor structure includes an anisotropic nanocrystalline core composed of a first semiconductor material and having an aspect ratio between, but not including, 1.0 and 2.0. The semiconductor structure also includes a nanocrystalline shell composed of a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the anisotropic nanocrystalline core.

摘要翻译： 描述了具有纳米晶核和对应的纳米晶体壳的半导体结构。 在一个示例中，半导体结构包括由第一半导体材料构成并且具有但不包括1.0和2.0之间的纵横比的各向异性纳米晶核。 半导体结构还包括由至少部分地围绕各向异性纳米晶核的第二不同的半导体材料组成的纳米晶体壳。

公开(公告)号：US20130112940A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13485756

申请日：2012-05-31

申请人： Juanita Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven Hughes

发明人： Juanita Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven Hughes

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： Semiconductor structures having a nanocrystalline core and corresponding nanocrystalline shell are described. In an example, a semiconductor structure includes an anisotropic nanocrystalline core composed of a first semiconductor material and having an aspect ratio between, but not including, 1.0 and 2.0. The semiconductor structure also includes a nanocrystalline shell composed of a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the anisotropic nanocrystalline core.

摘要翻译： 描述了具有纳米晶核和对应的纳米晶体壳的半导体结构。 在一个示例中，半导体结构包括由第一半导体材料构成并且具有但不包括1.0和2.0之间的纵横比的各向异性纳米晶核。 半导体结构还包括由至少部分地围绕各向异性纳米晶核的第二不同的半导体材料组成的纳米晶体壳。

公开(公告)号：US09153734B2

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：US13903875

申请日：2013-05-28

申请人： Juanita N. Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven M. Hughes

发明人： Juanita N. Kurtin ,  Matthew J. Carillo ,  Steven M. Hughes

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/04 ,  H01L21/02 ,  H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C01B19/00 ,  H01L33/06 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/00 ,  B01J13/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： A method of fabricating a semiconductor structure involves forming an anisotropic nanocrystalline core from a first semiconductor material, the anisotropic nanocrystalline core having an aspect ratio between, but not including, 1.0 and 2.0, and forming a nanocrystalline shell from a second, different, semiconductor material to at least partially surround the anisotropic nanocrystalline core.

摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括从第一半导体材料形成各向异性纳米晶体芯，所述各向异性纳米晶核具有但不包括1.0和2.0之间的纵横比，并且从第二不同的半导体材料形成纳米晶体壳 以至少部分地围绕各向异性纳米晶核。

公开(公告)号：US20150221838A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：US14685570

申请日：2015-04-13

申请人： Juanita Kurtin ,  Brian Theobald ,  Matthew J. Carillo ,  Oun-Ho Park ,  Georgeta Masson ,  Steven M. Hughes

发明人： Juanita Kurtin ,  Brian Theobald ,  Matthew J. Carillo ,  Oun-Ho Park ,  Georgeta Masson ,  Steven M. Hughes

IPC分类号： H01L33/56 ,  H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/744 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/95

摘要： Composites having semiconductor structures embedded in a matrix are described. In an example, a composite includes a matrix material. A plurality of semiconductor structures is embedded in the matrix material. Each semiconductor structure includes an anisotropic nanocrystalline core composed of a first semiconductor material. Each semiconductor structure also includes a nanocrystalline shell composed of a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the anisotropic nanocrystalline core. An insulator layer encapsulates each nanocrystalline shell and anisotropic nanocrystalline core pairing.

摘要翻译： 描述了具有嵌入矩阵中的半导体结构的复合材料。 在一个实例中，复合材料包括基体材料。 多个半导体结构嵌入基体材料中。 每个半导体结构包括由第一半导体材料组成的各向异性纳米晶核。 每个半导体结构还包括由至少部分地围绕各向异性纳米晶核的第二不同的半导体材料组成的纳米晶体壳。 绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶核心配对。

公开(公告)号：US20130256633A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13903890

申请日：2013-05-28

申请人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. HUGHES ,  Brian THEOBALD ,  Colin C. REESE ,  Oun-Ho PARK ,  Georgeta MASSON

发明人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. HUGHES ,  Brian THEOBALD ,  Colin C. REESE ,  Oun-Ho PARK ,  Georgeta MASSON

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/002 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： Lighting apparatus including a light emitting diode and a plurality of semiconductor structures. Each semiconductor structure includes a quantum dot comprising a nanocrystalline core comprising a first semiconductor material and a nanocrystalline shell comprising a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the nanocrystalline core, the quantum dot having a photoluminescence quantum yield (PLQY) of at least 90%. An insulator layer encapsulates the quantum dot.

摘要翻译： 包括发光二极管和多个半导体结构的照明装置。 每个半导体结构包括量子点，其包括包含第一半导体材料的纳米晶核和包含至少部分地围绕纳米晶核的第二不同的半导体材料的纳米晶体壳，所述量子点具有至少的光致发光量子产率（PLQY） 90％。 绝缘体层封装了量子点。

公开(公告)号：US20170271563A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：US15458882

申请日：2017-03-14

申请人： Chris Durgan ,  Matthew Bertram ,  Matthew J. Carillo ,  Paul Archer

发明人： Chris Durgan ,  Matthew Bertram ,  Matthew J. Carillo ,  Paul Archer

IPC分类号： H01L33/50 ,  C09K11/88 ,  C09K11/02

CPC分类号： H01L33/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/883 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

摘要： Techniques and mechanisms for synthesizing quantum dot structures. In an embodiment, a first reaction is performed to dissolve a precursor of a semiconductor material, wherein water is created as a by-product of the first reaction. Some or all of the water is removed and another chemical compound is added, wherein the chemical compound is a primary alcohol or a 1,2-diol. After the addition of the chemical compound, a second reaction is performed to grow at least some nanocrystalline portion of the quantum dot. In another embodiment, the chemical compound is 1,2-hexanediol, 1,2-dodecanediol or 1-octadecanol.

公开(公告)号：US20160276527A9

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：US13903890

申请日：2013-05-28

申请人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. HUGHES ,  Brian THEOBALD ,  Colin C. REESE ,  Oun-Ho PARK ,  Georgeta MASSON

发明人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. HUGHES ,  Brian THEOBALD ,  Colin C. REESE ,  Oun-Ho PARK ,  Georgeta MASSON

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： Lighting apparatus including a light emitting diode and a plurality of semiconductor structures. Each semiconductor structure includes a quantum dot comprising a nanocrystalline core comprising a first semiconductor material and a nanocrystalline shell comprising a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the nanocrystalline core, the quantum dot having a photoluminescence quantum yield (PLQY) of at least 90%. An insulator layer encapsulates the quantum dot.

公开(公告)号：US20160141463A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：US15004478

申请日：2016-01-22

申请人： Juanita Kurtin ,  Brian Theobald ,  Matthew J. Carillo ,  Oun-Ho Park ,  Georgeta Masson ,  Steven M. Hughes

发明人： Juanita Kurtin ,  Brian Theobald ,  Matthew J. Carillo ,  Oun-Ho Park ,  Georgeta Masson ,  Steven M. Hughes

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/744 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/95

摘要： Semiconductor structures having a nanocrystalline core and corresponding nanocrystalline shell and insulator coating, wherein the semiconductor structure includes an anisotropic nanocrystalline core composed of a first semiconductor material, and an anisotropic nanocrystalline shell composed of a second, different, semiconductor material surrounding the anisotropic nanocrystalline core. The anisotropic nanocrystalline core and the anisotropic nanocrystalline shell form a quantum dot. An insulator layer encapsulates the nanocrystalline shell and anisotropic nanocrystalline core.

摘要翻译： 具有纳米晶核和对应的纳米晶体壳和绝缘体涂层的半导体结构，其中所述半导体结构包括由第一半导体材料构成的各向异性纳米晶核和由围绕所述各向异性纳米晶核的第二不同半导体材料组成的各向异性纳米晶体壳。 各向异性纳米晶核和各向异性纳米晶体壳形成量子点。 绝缘体层封装纳米晶体壳和各向异性纳米晶核。

公开(公告)号：US20130323872A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13903875

申请日：2013-05-28

申请人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. Hughes

发明人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. Hughes

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： A method of fabricating a semiconductor structure involves forming an anisotropic nanocrystalline core from a first semiconductor material, the anisotropic nanocrystalline core having an aspect ratio between, but not including, 1.0 and 2.0, and forming a nanocrystalline shell from a second, different, semiconductor material to at least partially surround the anisotropic nanocrystalline core.

摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括从第一半导体材料形成各向异性纳米晶体芯，所述各向异性纳米晶核具有但不包括1.0和2.0之间的纵横比，并且从第二不同的半导体材料形成纳米晶体壳 以至少部分地围绕各向异性纳米晶核。

公开(公告)号：US20130320298A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13903883

申请日：2013-05-28

申请人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. HUGHES ,  Brian THEOBALD ,  Colin C. REESE ,  Oun-Ho PARK ,  Georgeta MASSON

发明人： Juanita N. KURTIN ,  Matthew J. CARILLO ,  Steven M. HUGHES ,  Brian THEOBALD ,  Colin C. REESE ,  Oun-Ho PARK ,  Georgeta MASSON

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/002 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/502

摘要： A semiconductor structure comprises a nanocrystalline core of a first semiconductor material, a nanocrystalline shell of a second, different, semiconductor material at least partially surrounding the nanocrystalline core, and an insulator layer encapsulating the nanocrystalline shell and core, wherein an outer surface of the insulator layer is ligand-functionalized.

摘要翻译： 半导体结构包括第一半导体材料的纳米晶核，至少部分地围绕纳米晶核的第二不同半导体材料的纳米晶体壳，以及封装纳米晶体壳和芯的绝缘体层，其中绝缘体的外表面 层是配体官能化的。