公开(公告)号：US09177715B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US12952429

申请日：2010-11-23

申请人： Jun-De Jin ,  Fan-Ming Kuo ,  Huan-Neng Chen ,  Ming Hsien Tsai ,  Hsieh-Hung Hsieh ,  Tzu-Jin Yeh

发明人： Jun-De Jin ,  Fan-Ming Kuo ,  Huan-Neng Chen ,  Ming Hsien Tsai ,  Hsieh-Hung Hsieh ,  Tzu-Jin Yeh

IPC分类号： H01F5/00 ,  H01F38/14 ,  H01F17/00

CPC分类号： H02J5/005 ,  H01F5/00 ,  H01F17/0006 ,  H01F38/14 ,  H01F2017/0086 ,  H02J17/00 ,  H02J50/12

摘要： A transformer includes first and second semiconductor substrates. The first semiconductor substrate includes a first circuit, a first coil providing a first impedance, and a first capacitor coupled in parallel with the first coil. The second semiconductor substrate includes a second circuit, a second coil providing a second impedance and inductively coupled with the first coil, and a second capacitor coupled in parallel with the second coil.

摘要翻译： 变压器包括第一和第二半导体衬底。 第一半导体衬底包括第一电路，提供第一阻抗的第一线圈和与第一线圈并联耦合的第一电容器。 第二半导体衬底包括第二电路，提供第二阻抗并与第一线圈感应耦合的第二线圈以及与第二线圈并联耦合的第二电容器。

公开(公告)号：US08958185B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US13029240

申请日：2011-02-17

申请人： Ming Hsien Tsai ,  Jun-De Jin ,  Hsieh-Hung Hsieh ,  Tzu-Jin Yeh

发明人： Ming Hsien Tsai ,  Jun-De Jin ,  Hsieh-Hung Hsieh ,  Tzu-Jin Yeh

IPC分类号： H02H9/00 ,  H01L27/02 ,  H02H9/04 ,  H01C7/12 ,  H02H1/00 ,  H02H1/04 ,  H02H3/22 ,  H02H9/06

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H02H9/046

摘要： A circuit includes a first node configured to receive a radio frequency (“RF”) signal, a first electrostatic discharge (ESD) protection circuit coupled to a first voltage supply rail for an RF circuit and to a second node, and a second ESD protection circuit coupled to the second node and to a second voltage supply node for the RF circuit. An RF choke circuit is coupled to the second node and to a third node disposed between the first node and the RF circuit.

摘要翻译： 电路包括被配置为接收射频（“RF”）信号的第一节点，耦合到用于RF电路的第一电压供电轨和第二节点的第一静电放电（ESD）保护电路，以及第二ESD保护 耦合到第二节点的电路和用于RF电路的第二电压供应节点。 RF扼流电路耦合到第二节点和设置在第一节点和RF电路之间的第三节点。

公开(公告)号：US08792218B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13332095

申请日：2011-12-20

申请人： Ming Hsien Tsai

发明人： Ming Hsien Tsai

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H02H9/04 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0251 ,  H02H9/046

摘要： An ESD protection circuit for an RF semiconductor device includes an RF input pad configured to receive an RF input signal having an RF operating frequency for the RF semiconductor device. A first ESD block is coupled between an intermediate node and the first power supply voltage terminal, to direct an ESD pulse of a first polarity toward the first power supply voltage terminal. A second ESD block is coupled between the intermediate node and the second power supply voltage terminal, to direct an ESD pulse of a second, opposite polarity toward the second power supply voltage terminal. A resonance circuit is coupled between the RF input pad and the intermediate node. The resonance circuit is configured to present a greater impedance to the RF input signal having the RF operating frequency than to the ESD pulses.

摘要翻译： 用于RF半导体器件的ESD保护电路包括被配置为接收具有用于RF半导体器件的RF工作频率的RF输入信号的RF输入焊盘。 第一ESD块耦合在中间节点和第一电源电压端子之间，以将第一极性的ESD脉冲引向第一电源电压端子。 第二ESD块耦合在中间节点和第二电源电压端子之间，以将第二相反极性的ESD脉冲引向第二电源电压端子。 谐振电路耦合在RF输入焊盘和中间节点之间。 谐振电路被配置为对具有RF操作频率的RF输入信号提供比ESD脉冲更大的阻抗。

公开(公告)号：US20130238910A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13468008

申请日：2012-05-09

申请人： Hsing-Chang Liu ,  Ming-Hsien Tsai

发明人： Hsing-Chang Liu ,  Ming-Hsien Tsai

IPC分类号： G06F1/26 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F1/3203 ,  G06K19/0727 ,  G06K19/07769 ,  G11C16/12 ,  H03K17/693

摘要： A memory card with a smart card function including a flash memory unit, a data processing control unit, and a power control unit is provided. The data processing control unit is coupled to the flash memory unit. The data processing control unit controls the flash memory unit and encrypts, decrypts and stores smart card security data. The power control unit receives at least one of a first power input and a second power input. The power control unit selects the first power input or the second power input and provides the selected one to the data processing control unit according to at least one control signal. An output terminal of the power control unit is coupled to the first power input. Furthermore, a power control method and a power control circuit of the forgoing memory card are also provided.

摘要翻译： 提供具有智能卡功能的存储卡，包括闪存单元，数据处理控制单元和电源控制单元。 数据处理控制单元耦合到闪存单元。 数据处理控制单元控制闪存单元并对智能卡安全数据进行加密，解密和存储。 功率控制单元接收第一功率输入和第二功率输入中的至少一个。 功率控制单元选择第一电力输入或第二电力输入，并根据至少一个控制信号将所选择的一个提供给数据处理控制单元。 功率控制单元的输出端耦合到第一功率输入。 此外，还提供了前述存储卡的功率控制方法和功率控制电路。

公开(公告)号：US20120286888A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13103592

申请日：2011-05-09

申请人： Hsieh-Hung Hsieh ,  Ming Hsien Tsai ,  Tzu-Jin Yeh ,  Chewn-Pu Jou ,  Fu-Lung Hsueh

发明人： Hsieh-Hung Hsieh ,  Ming Hsien Tsai ,  Tzu-Jin Yeh ,  Chewn-Pu Jou ,  Fu-Lung Hsueh

IPC分类号： H03B5/12 ,  H03H11/00

CPC分类号： H03B5/1215 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1265 ,  H03B2201/0266

摘要： A system comprises a voltage controlled oscillator comprising an inductor and a variable capacitor and a switched capacitor array connected in parallel with the variable capacitor. The switched capacitor array further comprises a plurality of capacitor banks wherein a thermometer code is employed to control each capacitor bank. In addition, the switched capacitor array provides N tuning steps for the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator when the switched capacitor array is controlled by an n-bit thermometer code.

摘要翻译： 一种系统包括压控振荡器，其包括电感器和可变电容器以及与可变电容器并联连接的开关电容器阵列。 开关电容器阵列还包括多个电容器组，其中使用温度计代码来控制每个电容器组。 此外，当开关电容器阵列由n位温度计代码控制时，开关电容器阵列为压控振荡器的振荡频率提供N个调谐步骤。

公开(公告)号：US20120212865A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13029240

申请日：2011-02-17

申请人： Ming Hsien TSAI ,  Jun-De JIN ,  Hsieh-Hung HSIEH ,  Tzu-Jin YEH

发明人： Ming Hsien TSAI ,  Jun-De JIN ,  Hsieh-Hung HSIEH ,  Tzu-Jin YEH

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H02H9/046

摘要： A circuit includes a first node configured to receive a radio frequency (“RF”) signal, a first electrostatic discharge (ESD) protection circuit coupled to a first voltage supply rail for an RF circuit and to a second node, and a second ESD protection circuit coupled to the second node and to a second voltage supply node for the RF circuit. An RF choke circuit is coupled to the second node and to a third node disposed between the first node and the RF circuit.

摘要翻译： 电路包括被配置为接收射频（“RF”）信号的第一节点，耦合到用于RF电路的第一电压供电轨和第二节点的第一静电放电（ESD）保护电路，以及第二ESD保护 耦合到第二节点的电路和用于RF电路的第二电压供应节点。 RF扼流电路耦合到第二节点和设置在第一节点和RF电路之间的第三节点。

公开(公告)号：US20120176708A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US12985948

申请日：2011-01-06

申请人： Ming Hsien Tsai

发明人： Ming Hsien Tsai

IPC分类号： H02H9/04 ,  H01L23/62 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7391 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0692

摘要： The present disclosure provides a device that includes a signal input that is in electrical communication with an electrostatic discharge (ESD) protection device, wherein the ESD protection device includes a gated diode arranged as a polygon.

摘要翻译： 本公开提供了一种包括与静电放电（ESD）保护装置电连通的信号输入的装置，其中ESD保护装置包括布置为多边形的门控二极管。

公开(公告)号：US20120099228A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US12908064

申请日：2010-10-20

申请人： Chun-Yu LIN ,  Li-Wei CHU ,  Ming-Dou KER ,  Ming Hsien TSAI ,  Tse-Hua LU ,  Ping-Fang HUNG

发明人： Chun-Yu LIN ,  Li-Wei CHU ,  Ming-Dou KER ,  Ming Hsien TSAI ,  Tse-Hua LU ,  Ping-Fang HUNG

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electrostatic discharge (ESD) circuit, adaptive to a radio frequency (RF) device, which includes a RF circuit coupled between a VDD power rail and a VSS power rail and having a RF I/O pad, includes an ESD clamp circuit coupled between a VDD power rail node and the VSS power rail node and a LC-tank structure coupled between the VDD power rail node and the VSS power rail node and to the RF I/O pad. The LC-tank structure includes a first ESD block between the VDD power rail node and the RF I/O pad, and a second ESD block between the VSS power rail node and the RF I/O pad. At least one of the first and second ESD blocks includes a pair of diodes coupled in parallel with each other and an inductor coupled in series with one of the pair of diodes.

摘要翻译： 适用于射频（RF）装置的静电放电（ESD）电路，其包括耦合在VDD电源轨和VSS电源轨之间并具有RF I / O焊盘的RF电路，包括耦合在 VDD电源轨节点和VSS电源轨节点以及耦合在VDD电源轨节点和VSS电源轨节点之间以及RF I / O焊盘的LC槽结构。 LC槽结构包括VDD电源轨节点和RF I / O焊盘之间的第一个ESD模块，以及VSS电源轨节点和RF I / O焊盘之间的第二个ESD模块。 第一和第二ESD块中的至少一个包括彼此并联耦合的一对二极管和与一对二极管中的一个串联耦合的电感器。

公开(公告)号：US20110286136A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US12783842

申请日：2010-05-20

申请人： Ming-Hsien TSAI

发明人： Ming-Hsien TSAI

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H02H9/045

摘要： A RF device includes a RF integrated circuit having a RF input and a RF output. The RF integrated circuit has an NMOS transistor having a gate terminal coupled to the RF input, a drain terminal coupled to a first power supply node and a source terminal coupled to a second power supply node. The RF integrated circuit is vulnerable to damage from an ESD event. A primary ESD protection circuit is coupled to the RF input and between the first and second power supply nodes. A secondary ESD protection circuit is coupled between the RF input and the second power supply node. The secondary ESD protection circuit includes a secondary ESD protection diode coupled between the gate and source terminals of the NMOS transistor.

摘要翻译： RF设备包括具有RF输入和RF输出的RF集成电路。 RF集成电路具有NMOS晶体管，其具有耦合到RF输入的栅极端子，耦合到第一电源节点的漏极端子和耦合到第二电源节点的源极端子。 RF集成电路容易受到ESD事件损坏。 初级ESD保护电路耦合到RF输入端和第一和第二电源节点之间。 二级ESD保护电路耦合在RF输入和第二电源节点之间。 次级ESD保护电路包括耦合在NMOS晶体管的栅极和源极端子之间的次级ESD保护二极管。

公开(公告)号：US20080062605A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11512830

申请日：2006-08-30

申请人： Ming-Hsien Tsai ,  Hung-Jen Liao ,  Sung-Chieh Lin

发明人： Ming-Hsien Tsai ,  Hung-Jen Liao ,  Sung-Chieh Lin

IPC分类号： H02H5/04

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C17/18 ,  G11C29/027

摘要： A repair circuitry consisting of at least one electrical fuse forming part of a conduction path between a positive voltage supply (Vq) pad and a complimentary lower voltage supply source (Vss). The repair circuitry includes at least one switching device and at least one control circuitry. The at least one switching device has a control terminal and is coupled between the Vq pad and the at least one electrical fuse. The at least one control circuitry is coupled to the control terminal and the Vq pad respectively. Upon an application of a positive high voltage to the Vq pad, the control circuitry delays the turned-on state of the switching device for a predetermined period of time, thereby blocking stray currents occurred during ESD events. Consequently, the repair circuitry can prevent the at least one electrical fuse from being mistakenly programmed.

摘要翻译： 修复电路由至少一个电熔丝构成，形成正电压源（Vq）焊盘和互补的低电压源（Vss）之间的传导路径的一部分。 修复电路包括至少一个开关装置和至少一个控制电路。 所述至少一个开关装置具有控制端子，并且耦合在所述Vq焊盘和所述至少一个电熔丝之间。 至少一个控制电路分别耦合到控制端子和Vq焊盘。 当向Vq焊盘施加正高电压时，控制电路将开关器件的接通状态延迟预定的时间段，从而阻止在ESD事件期间发生的杂散电流。 因此，修理电路可以防止至少一个电熔丝被错误编程。