公开(公告)号：US20100171063A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12602808

申请日：2007-10-02

申请人： Kai Su ,  Nan-Loh Yang

发明人： Kai Su ,  Nan-Loh Yang

IPC分类号： H01L41/18 ,  B01J23/02 ,  H01B1/02 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B01J23/002 ,  B01J23/02 ,  B01J35/0013 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/773

摘要： The present invention is directed to perovskite nanostructures of Formula ABO3, wherein A and B represent one or more metals with A having a valence lower than B, to methods of making the perovskite nanostructures of Formula ABO3 comprising their synthesis within and precipitation from reverse micelles, and the use of the perovskite nanostructures of Formula ABO3 as capacitors, and their use in dynamic random access memory, electromechanics, and non-linear optics.

摘要翻译： 本发明涉及式ABO3的钙钛矿纳米结构，其中A和B表示一种或多种具有低于B的价态的A的金属，涉及制备式ABO 3的钙钛矿纳米结构的方法，包括其在反胶束内的沉淀和沉淀， 并且使用式ABO3的钙钛矿纳米结构作为电容器，以及它们在动态随机存取存储器，机电和非线性光学中的应用。

公开(公告)号：US08968602B2

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US12441706

申请日：2007-10-02

申请人： Kai Su ,  Nurxat Nuraje ,  Lingzhi Zhang ,  Hiroshi Matsui ,  Nan Loh Yang

发明人： Kai Su ,  Nurxat Nuraje ,  Lingzhi Zhang ,  Hiroshi Matsui ,  Nan Loh Yang

IPC分类号： H01B1/00 ,  H01M4/88 ,  H01L51/00 ,  H01B1/12 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0037 ,  H01B1/124 ,  H01L51/0575 ,  H01L51/0591

摘要： The present invention is directed to crystalline organic polymer nanoparticles comprising a conductive organic polymer; wherein the crystalline organic polymer nanoparticles have a size of from 10 nm to 200 nm and exhibits two current-voltage states: (1) a high resistance current-voltage state, and (2) a low resistance current-voltage state, wherein when a first positive threshold voltage (Vth1) or higher positive voltage, or a second negative threshold voltage (Vth2) or higher negative voltage is applied to the nanoparticle, the nanoparticle exhibits the low-resistance current-voltage state, and when a voltage less positive than the first positive threshold voltage or a voltage less negative than the second negative threshold voltage is applied to the nanoparticle, the nanoparticle exhibits the high-resistance current-voltage state. The present invention is also directed methods of manufacturing the nanoparticles using novel interfacial oxidative polymerization techniques.

摘要翻译： 本发明涉及包含导电有机聚合物的结晶有机聚合物纳米颗粒; 其中所述结晶有机聚合物纳米颗粒具有10nm至200nm的尺寸，并且具有两种电流 - 电压状态：（1）高电阻电流 - 电压状态，和（2）低电阻电流 - 电压状态，其中当 第一正阈值电压（Vth1）或更高的正电压或第二负阈值电压（Vth2）或更高的负电压施加到纳米颗粒，纳米颗粒呈现低电阻电流 - 电压状态，并且当电压小于 将第一正阈值电压或比第二负阈值电压小的电压施加到纳米颗粒，纳米颗粒呈现高电阻电流 - 电压状态。 本发明还涉及使用新的界面氧化聚合技术制造纳米颗粒的方法。

公开(公告)号：US20090314998A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12441706

申请日：2007-10-02

申请人： Kai Su ,  Nurxat Nuraje ,  Lingzhi Zhang ,  Hiroshi Matsui ,  Nan Loh Yang

发明人： Kai Su ,  Nurxat Nuraje ,  Lingzhi Zhang ,  Hiroshi Matsui ,  Nan Loh Yang

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01L51/0037 ,  H01B1/124 ,  H01L51/0575 ,  H01L51/0591

摘要： The present invention is directed to crystalline organic polymer nanoparticles comprising a conductive organic polymer; wherein the crystalline organic polymer nanoparticles have a size of from 10 nm to 200 nm and exhibits two current-voltage states: (1) a high resistance current-voltage state, and (2) a low resistance current-voltage state, wherein when a first positive threshold voltage (Vth1) or higher positive voltage, or a second negative threshold voltage (Vth2) or higher negative voltage is applied to the nanoparticle, the nanoparticle exhibits the low-resistance current-voltage state, and when a voltage less positive than the first positive threshold voltage or a voltage less negative than the second negative threshold voltage is applied to the nanoparticle, the nanoparticle exhibits the high-resistance current-voltage state. The present invention is also directed methods of manufacturing the nanoparticles using novel interfacial oxidative polymerization techniques.

摘要翻译： 本发明涉及包含导电有机聚合物的结晶有机聚合物纳米颗粒; 其中所述结晶有机聚合物纳米颗粒具有10nm至200nm的尺寸，并且具有两种电流 - 电压状态：（1）高电阻电流 - 电压状态，和（2）低电阻电流 - 电压状态，其中当 第一正阈值电压（Vth1）或更高的正电压或第二负阈值电压（Vth2）或更高的负电压施加到纳米颗粒，纳米颗粒呈现低电阻电流 - 电压状态，并且当电压小于 将第一正阈值电压或比第二负阈值电压小的电压施加到纳米颗粒，纳米颗粒呈现高电阻电流 - 电压状态。 本发明还涉及使用新的界面氧化聚合技术制造纳米颗粒的方法。

公开(公告)号：US5071952A

公开(公告)日：1991-12-10

申请号：US181236

申请日：1988-04-13

申请人： Nan-Loh Yang ,  Andrew Auerbach ,  James L. Paul ,  Rose Pesce

发明人： Nan-Loh Yang ,  Andrew Auerbach ,  James L. Paul ,  Rose Pesce

IPC分类号： C07D321/06 ,  C07D498/04 ,  C08G2/24 ,  C08G2/26 ,  C08G4/00 ,  C08G65/22

CPC分类号： C07D321/06 ,  C08G4/00

摘要： Iodoisocyano, iodourea and oxazole modified 1,3 dioxep-5-ene ring monomers are synthesized and used in copolymerization reactions with trioxane to produce acetal copolymers with backbone functional groups. The invention also concerns processes for the production of acetal copolymers containing iodourea and oxazole functional groups from acetal copolymers with backbone double bonds.

公开(公告)号：US20100288964A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12777175

申请日：2010-05-10

申请人： Ronald Pirich ,  Nan-Loh Yang ,  Kai Su ,  I-Wei Chu

发明人： Ronald Pirich ,  Nan-Loh Yang ,  Kai Su ,  I-Wei Chu

IPC分类号： C04B35/26 ,  B28B1/20

CPC分类号： C04B35/26 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/327 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/768 ,  C23C18/1216 ,  H01L43/12

摘要： Methods of producing a multiferroic thin film material. The method includes the steps of providing a multiferroic precursor solution, subjecting the precursor solution to spin casting to produce a spin cast film, and heating the spin cast film. The precursor solution may include Bi(NO3)3.5H2O and Fe(NO3)3.9H2O in ethylene glycol to produce a bismuth ferrite film. Further, the thin film may be utilized in varied technological areas, including memory devices for information storage.

摘要翻译： 多铁性薄膜材料的制备方法。 该方法包括以下步骤：提供多铁前体溶液，使前体溶液旋转铸造以产生旋转浇铸膜，并加热旋涂膜。 前体溶液可以包括乙二醇中的Bi（NO 3）3.5H 2 O和Fe（NO 3）3·4H 2 O）以产生铋铁氧体膜。 此外，薄膜可以用于各种技术领域，包括用于信息存储的存储器件。

公开(公告)号：US20090305414A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12136543

申请日：2008-06-10

申请人： Monica Apostol ,  Pernodet Nadine ,  Mriam Rafailovich ,  Nan-Loh Yang

发明人： Monica Apostol ,  Pernodet Nadine ,  Mriam Rafailovich ,  Nan-Loh Yang

IPC分类号： C12N5/02 ,  C12N5/06

CPC分类号： C12N5/0068 ,  C08F226/10 ,  C12M23/20 ,  C12M33/00 ,  C12N2533/30 ,  C12N2539/10

摘要： An improved substrate for growing mono-layers of adherent-type cells and methods of growing tissue structures, ex vivo. The improved substrate, which comprises a silicon substrate coated with a photo cleavable polymer, releases adherent cells non-enzymatically. Also disclosed are methods for assembling complex layers of cells of various types.

摘要翻译： 用于生长粘附型细胞单层的改进的底物和离体生长组织结构的方法。 改进的基底，其包含涂覆有可光切割聚合物的硅基底，非酶释放粘附细胞。 还公开了用于组装各种类型的细胞的复合层的方法。

公开(公告)号：US08591987B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12777175

申请日：2010-05-10

申请人： Ronald Pirich ,  Nan-Loh Yang ,  Kai Su ,  I-Wei Chu

发明人： Ronald Pirich ,  Nan-Loh Yang ,  Kai Su ,  I-Wei Chu

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/12 ,  B05D3/14

CPC分类号： C04B35/26 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/327 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/768 ,  C23C18/1216 ,  H01L43/12

摘要： Methods of producing a multiferroic thin film material. The method includes the steps of providing a multiferroic precursor solution, subjecting the precursor solution to spin casting to produce a spin cast film, and heating the spin cast film. The precursor solution may include Bi(NO3)3.5H2O and Fe(NO3)3.9H2O in ethylene glycol to produce a bismuth ferrite film. Further, the thin film may be utilized in varied technological areas, including memory devices for information storage.

摘要翻译： 多铁性薄膜材料的制备方法。 该方法包括以下步骤：提供多铁前体溶液，使前体溶液旋转浇铸以产生旋转浇铸膜，并加热旋涂膜。 前体溶液可以包括乙二醇中的Bi（NO 3）3.5H 2 O和Fe（NO 3）3·4H 2 O）以产生铋铁氧体膜。 此外，薄膜可以用于各种技术领域，包括用于信息存储的存储器件。

公开(公告)号：US20100119827A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12532871

申请日：2007-04-25

申请人： Nan-Loh Yang ,  Kai Su

发明人： Nan-Loh Yang ,  Kai Su

IPC分类号： B32B5/16 ,  C08G69/48

CPC分类号： A61L27/14 ,  A61L2400/12 ,  Y10T428/2982

摘要： The present invention is directed to methods for the fabrication of polymer nanoparticles comprising the addition polymer solutions to aqueous solutions containing surfactants, wherein the concentration of the surfactants in the aqueous solution are lower than the critical micelle concentration of the surfactants. The methods of the present invention provide for the precipitation of uniformly dispersed polymer particles in the submicron size range, preferably from about 5 nm to about 100 nm.

摘要翻译： 本发明涉及制备聚合物纳米颗粒的方法，其包括含有表面活性剂的水溶液的加成聚合物溶液，其中表面活性剂在水溶液中的浓度低于表面活性剂的临界胶束浓度。 本发明的方法提供均匀分散的聚合物颗粒在亚微米尺寸范围内的沉淀，优选约5nm至约100nm。

公开(公告)号：US5034499A

公开(公告)日：1991-07-23

申请号：US181233

申请日：1988-04-13

申请人： Nan-Loh Yang ,  Andrew Auerbach ,  James L. Paul ,  Yong C. Zheng ,  Shian S. Wang

发明人： Nan-Loh Yang ,  Andrew Auerbach ,  James L. Paul ,  Yong C. Zheng ,  Shian S. Wang

IPC分类号： C07D321/06 ,  C07D493/04 ,  C08G2/00 ,  C08G2/10 ,  C08G2/18 ,  C08G4/00 ,  C08G18/00 ,  C08G18/56 ,  C08G59/20 ,  C08G77/42

CPC分类号： C08G4/00 ,  C07D321/06 ,  C08G18/003 ,  C08G18/56 ,  C08G2/18 ,  C08G77/42

摘要： Acetal copolymers of trioxane with epoxy functional groups are obtained by copolymerizing trioxane with 5,6-epoxy-1,3-dioxepane. The epoxide group in the polymer chain provides a highly reacting functional group for further modification. Acetal copolymers with backbone epoxide groups exhibit toughness and thermal stability. The backbone epoxide groups can also be aminated in a one step hydrolysis-amination process.

公开(公告)号：US08937030B2

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：US12602808

申请日：2007-10-02

申请人： Kai Su ,  Nan-Loh Yang

发明人： Kai Su ,  Nan-Loh Yang

IPC分类号： C04B35/47 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/00 ,  B01J23/00 ,  B01J23/02 ,  B01J35/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B01J23/002 ,  B01J23/02 ,  B01J35/0013 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/773

摘要： The present invention is directed to perovskite nanostructures of Formula ABO3, wherein A and B represent one or more metals with A having a valence lower than B, to methods of making the perovskite nanostructures of Formula ABO3 comprising their synthesis within and precipitation from reverse micelles, and the use of the perovskite nanostructures of Formula ABO3 as capacitors, and their use in dynamic random access memory, electromechanics, and non-linear optics.

摘要翻译： 本发明涉及式ABO3的钙钛矿纳米结构，其中A和B表示一种或多种具有低于B的价态的A的金属，涉及制备式ABO 3的钙钛矿纳米结构的方法，包括其在反胶束内的沉淀和沉淀， 并且使用式ABO3的钙钛矿纳米结构作为电容器，以及它们在动态随机存取存储器，机电和非线性光学中的应用。