公开(公告)号：US07855109B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US12345755

申请日：2008-12-30

申请人： Hyung Hwan Kim ,  Kwang Kee Chae ,  Jong Goo Jung ,  Ok Min Moon ,  Young Bang Lee ,  Sung Eun Park

发明人： Hyung Hwan Kim ,  Kwang Kee Chae ,  Jong Goo Jung ,  Ok Min Moon ,  Young Bang Lee ,  Sung Eun Park

IPC分类号： H01L21/337

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, comprising the steps of: forming a screen oxide layer over the surface of an active region of a semiconductor substrate in which an isolation structure defining the active region is formed; forming a first recess pattern in the active region and a second recess pattern in the isolation structure by etching a gate forming area in the active region and the isolation structure part extended thereto; removing the screen oxide film and simultaneously expanding the width of the second recess pattern; forming a first insulation dielectric layer over the resultant of the substrate having the second recess pattern with the expanded width so that the first insulation dielectric layer is blocked at the upper end thereof in the first recess pattern and it is deposited along the profile in the second recess pattern; forming a second insulation dielectric layer over the first insulation dielectric layer so that the second recess patter is not filled; forming a third insulation dielectric layer over the second insulation dielectric layer so that the second recess pattern is filled; and removing the third, second, and first insulation dielectric layers formed over the active region including the first recess pattern and the isolation structure between the second recess patterns.

摘要翻译： 一种根据本发明的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在其中形成限定有源区的隔离结构的半导体衬底的有源区的表面上形成屏蔽氧化物层; 通过蚀刻有源区域中的栅极形成区域和延伸到其中的隔离结构部分，在有源区域中形成第一凹槽图案和隔离结构中的第二凹陷图案; 去除屏幕氧化膜并同时扩大第二凹槽图案的宽度; 在具有第二凹槽图案的基底的结果上形成第一绝缘电介质层，其具有扩展的宽度，使得第一绝缘电介质层在其第一凹槽图案的上端处被阻挡，并且沿着第二凹部图案 休闲模式; 在所述第一绝缘电介质层上形成第二绝缘电介质层，使得所述第二凹槽图案不被填充; 在所述第二绝缘电介质层上形成第三绝缘电介质层，使得所述第二凹槽图案被填充; 以及去除在包括第一凹槽图案的有源区域和在第二凹槽图案之间的隔离结构之间形成的第三绝缘介电层和第二绝缘介电层。

公开(公告)号：US08841198B2

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：US12167322

申请日：2008-07-03

申请人： Hyung Hwan Kim ,  Kwang Kee Chae ,  Jong Goo Jung ,  Ok Min Moon ,  Young Bang Lee ,  Sung Eun Park

发明人： Hyung Hwan Kim ,  Kwang Kee Chae ,  Jong Goo Jung ,  Ok Min Moon ,  Young Bang Lee ,  Sung Eun Park

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： An isolation layer of a semiconductor device and a process for forming the same is described herein. The isolation layer includes a trench that is defined and formed in a semiconductor substrate. A first liner nitride layer is formed on the surface of the trench and a flowable insulation layer is formed in the trench including the first liner nitride layer. The flowable insulation layer is formed such to define a recess in the trench. A second liner nitride layer is formed on the recess including the flowable insulation layer and the first liner nitride layer. Finally, an insulation layer is formed in the recess on the second liner nitride layer to completely fill the trench.

摘要翻译： 本文描述了半导体器件的隔离层及其形成工艺。 隔离层包括限定并形成在半导体衬底中的沟槽。 第一衬里氮化物层形成在沟槽的表面上，并且在包括第一衬里氮化物层的沟槽中形成可流动的绝缘层。 可流动绝缘层形成为在沟槽中限定凹部。 在包括可流动绝缘层和第一衬里氮化物层的凹部上形成第二衬里氮化物层。 最后，在第二衬里氮化物层上的凹槽中形成绝缘层以完全填充沟槽。

公开(公告)号：US08007594B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12834121

申请日：2010-07-12

申请人： Young Bang Lee ,  Kwang Kee Chae ,  Ok Min Moon

发明人： Young Bang Lee ,  Kwang Kee Chae ,  Ok Min Moon

IPC分类号： C23G1/02

CPC分类号： C23G1/103 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0209 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes the step of conducting a cleaning process for a wafer formed with copper wiring lines to remove contaminations produced on a back surface of the wafer. The cleaning process is conducted by injecting onto the back surface of the wafer an etchant for removing contaminations and simultaneously injecting onto a front surface of the wafer a reductant containing hydrogen.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括对由铜布线形成的晶片进行清洁处理以除去晶片背面产生的污染物的步骤。 通过在晶片的背面注入用于去除污染物的蚀刻剂并同时向晶片的前表面注入含有氢的还原剂来进行清洁过程。

公开(公告)号：US20110155180A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12833275

申请日：2010-07-09

申请人： Ok-Min Moon ,  Young-Bang Lee

发明人： Ok-Min Moon ,  Young-Bang Lee

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67173

摘要： A wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning method using the same are provided. The wafer cleaning method includes removing an oxide layer, which is formed on a wafer, by performing a dry cleaning process using hydrogen fluoride (HF) gas and ammonia (NH3) gas, and removing a reaction by-product generated during the dry cleaning process by performing a wet cleaning process which sprays a chemical onto the wafer.

摘要翻译： 提供了一种晶圆清洗装置和使用其的晶片清洗方法。 晶片清洗方法包括通过使用氟化氢（HF）气体和氨（NH 3）气体进行干洗处理，除去在干燥处理过程中产生的副产物，除去形成在晶片上的氧化物层 通过进行将化学品喷射到晶片上的湿式清洗处理。

公开(公告)号：US07410909B2

公开(公告)日：2008-08-12

申请号：US11646700

申请日：2006-12-28

申请人： Ji Hye Han ,  Ok Min Moon ,  Woo Jin Kim ,  Hyo Seob Yoon ,  Ji Yong Park ,  Kee Joon Oh

发明人： Ji Hye Han ,  Ok Min Moon ,  Woo Jin Kim ,  Hyo Seob Yoon ,  Ji Yong Park ,  Kee Joon Oh

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31133 ,  G03F7/423 ,  G03F7/428

摘要： A method of removing an ion implanted photoresist comprises performing first cleaning a semiconductor substrate having the ion implanted photoresist using hot deionized water to which a megasonic process is applied, first rinsing the semiconductor substrate using cold deionized water, drying the semiconductor substrate, removing the ion implanted photoresist, and second cleaning the semiconductor wafer using an SPM solution.

摘要翻译： 去除离子注入光致抗蚀剂的方法包括使用施加了兆声波处理的热去离子水对第一次清洗具有离子注入光致抗蚀剂的半导体衬底，首先使用冷去离子水冲洗半导体衬底，干燥半导体衬底，去除离子 并且使用SPM解决方案来第二次清洁半导体晶片。

公开(公告)号：US20080003769A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11647929

申请日：2006-12-29

申请人： Hyo Seob Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Ok Min Moon ,  Ji Yong Park

发明人： Hyo Seob Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Ok Min Moon ,  Ji Yong Park

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

摘要： A method for fabricating a device isolation structure of a semiconductor device includes the steps of forming a pad oxide layer and a pad nitride layer over a semiconductor substrate including a cell region and a dummy region, etching a portion of the pad nitride layer, the pad oxide layer and the semiconductor substrate to form a trench, forming a sidewall oxide layer over the sidewalls of the trench; removing the sidewall oxide layer in the dummy region, forming a silicon nitride layer over the sidewalls of the sidewall oxide layer both in the cell region and in the dummy region, filling the trench with an insulating layer, polishing the insulating layer to expose the pad nitride layer, and removing the pad nitride layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的器件隔离结构的方法包括以下步骤：在包括单元区域和虚拟区域的半导体衬底上形成衬垫氧化物层和衬垫氮化物层，蚀刻衬垫氮化物层的一部分，衬垫 氧化物层和半导体衬底以形成沟槽，在沟槽的侧壁上形成侧壁氧化物层; 去除虚设区域中的侧壁氧化物层，在单元区域和虚拟区域中的侧壁氧化物层的侧壁上形成氮化硅层，用绝缘层填充沟槽，抛光绝缘层以露出衬垫 氮化物层，以及去除衬垫氮化物层。

公开(公告)号：US20100151656A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12345755

申请日：2008-12-30

申请人： Hyung Hwan KIM ,  Kwang Kee CHAE ,  Jong Goo JUNG ,  Ok Min MOON ,  Young Bang LEE ,  Sung Eun PARK

发明人： Hyung Hwan KIM ,  Kwang Kee CHAE ,  Jong Goo JUNG ,  Ok Min MOON ,  Young Bang LEE ,  Sung Eun PARK

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, comprising the steps of: forming a screen oxide layer over the surface of an active region of a semiconductor substrate in which an isolation structure defining the active region is formed; forming a first recess pattern in the active region and a second recess pattern in the isolation structure by etching a gate forming area in the active region and the isolation structure part extended thereto; removing the screen oxide film and simultaneously expanding the width of the second recess pattern; forming a first insulation dielectric layer over the resultant of the substrate having the second recess pattern with the expanded width so that the first insulation dielectric layer is blocked at the upper end thereof in the first recess pattern and it is deposited along the profile in the second recess pattern; forming a second insulation dielectric layer over the first insulation dielectric layer so that the second recess patter is not filled; forming a third insulation dielectric layer over the second insulation dielectric layer so that the second recess pattern is filled; and removing the third, second, and first insulation dielectric layers formed over the active region including the first recess pattern and the isolation structure between the second recess patterns.

摘要翻译： 一种根据本发明的半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在其中形成限定有源区的隔离结构的半导体衬底的有源区的表面上形成屏蔽氧化物层; 通过蚀刻有源区域中的栅极形成区域和延伸到其中的隔离结构部分，在有源区域中形成第一凹槽图案和隔离结构中的第二凹陷图案; 去除屏幕氧化膜并同时扩大第二凹槽图案的宽度; 在具有第二凹槽图案的基底的结果上形成第一绝缘电介质层，其具有扩展的宽度，使得第一绝缘电介质层在其第一凹槽图案的上端处被阻挡，并且沿着第二凹部图案 休闲模式; 在所述第一绝缘电介质层上形成第二绝缘电介质层，使得所述第二凹槽图案不被填充; 在所述第二绝缘电介质层上形成第三绝缘电介质层，使得所述第二凹槽图案被填充; 以及去除在包括第一凹槽图案的有源区域和在第二凹槽图案之间的隔离结构之间形成的第三绝缘介电层和第二绝缘介电层。

公开(公告)号：US20090267199A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12167322

申请日：2008-07-03

申请人： Hyung Hwan KIM ,  Kwang Kee CHAE ,  Jong Goo JUNG ,  Ok Min MOON ,  Young Bang LEE ,  Sung Eun PARK

发明人： Hyung Hwan KIM ,  Kwang Kee CHAE ,  Jong Goo JUNG ,  Ok Min MOON ,  Young Bang LEE ,  Sung Eun PARK

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： An isolation layer of a semiconductor device and a process for forming the same is described herein. The isolation layer includes a trench that is defined and formed in a semiconductor substrate. A first liner nitride layer is formed on the surface of the trench and a flowable insulation layer is formed in the trench including the first liner nitride layer. The flowable insulation layer is formed such to define a recess in the trench. A second liner nitride layer is formed on the recess including the flowable insulation layer and the first liner nitride layer. Finally, an insulation layer is formed in the recess on the second liner nitride layer to completely fill the trench.

摘要翻译： 本文描述了半导体器件的隔离层及其形成工艺。 隔离层包括限定并形成在半导体衬底中的沟槽。 第一衬里氮化物层形成在沟槽的表面上，并且在包括第一衬里氮化物层的沟槽中形成可流动的绝缘层。 可流动绝缘层形成为在沟槽中限定凹部。 在包括可流动绝缘层和第一衬里氮化物层的凹部上形成第二衬里氮化物层。 最后，在第二衬里氮化物层上的凹槽中形成绝缘层以完全填充沟槽。

公开(公告)号：USRE43765E1

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US13363073

申请日：2012-01-31

申请人： Hyo Seob Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Ok Min Moon ,  Ji Yong Park

发明人： Hyo Seob Yoon ,  Woo Jin Kim ,  Ok Min Moon ,  Ji Yong Park

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

摘要： A method for fabricating a device isolation structure of a semiconductor device includes the steps of forming a pad oxide layer and a pad nitride layer over a semiconductor substrate including a cell region and a dummy region, etching a portion of the pad nitride layer, the pad oxide layer and the semiconductor substrate to form a trench, forming a sidewall oxide layer over the sidewalls of the trench; removing the sidewall oxide layer in the dummy region, forming a silicon nitride layer over the sidewalls of the sidewall oxide layer both in the cell region and in the dummy region, filling the trench with an insulating layer, polishing the insulating layer to expose the pad nitride layer, and removing the pad nitride layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的器件隔离结构的方法包括以下步骤：在包括单元区域和虚拟区域的半导体衬底上形成衬垫氧化物层和衬垫氮化物层，蚀刻衬垫氮化物层的一部分，衬垫 氧化物层和半导体衬底以形成沟槽，在沟槽的侧壁上形成侧壁氧化物层; 去除虚设区域中的侧壁氧化物层，在单元区域和虚拟区域中的侧壁氧化物层的侧壁上形成氮化硅层，用绝缘层填充沟槽，抛光绝缘层以露出衬垫 氮化物层，以及去除衬垫氮化物层。

公开(公告)号：US20110159694A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12833278

申请日：2010-07-09

申请人： Young-Bang Lee ,  Ok-Min Moon

发明人： Young-Bang Lee ,  Ok-Min Moon

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes: providing a substrate, forming an insulation layer, an adhesive layer, and a photoresist pattern, etching the adhesive layer using the photoresist pattern as an etch barrier, and wet etching the insulation layer using the etched adhesive layer and the photoresist pattern as etch barriers.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：提供衬底，形成绝缘层，粘合剂层和光致抗蚀剂图案，使用光致抗蚀剂图案蚀刻粘合剂层作为蚀刻阻挡层，以及使用蚀刻粘合剂湿法蚀刻绝缘层 层和光致抗蚀剂图案作为蚀刻阻挡层。