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    High electron mobility transistor
    1.
    发明授权
    High electron mobility transistor 有权
    高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号：US08963162B2

    公开(公告)日：2015-02-24

    申请号：US13339052

    申请日：2011-12-28

    申请人： Chun-Wei Hsu ,  Jiun-Lei Jerry Yu ,  Fu-Wei Yao ,  Chen-Ju Yu ,  Po-Chih Chen ,  King-Yuen Wong

    发明人： Chun-Wei Hsu ,  Jiun-Lei Jerry Yu ,  Fu-Wei Yao ,  Chen-Ju Yu ,  Po-Chih Chen ,  King-Yuen Wong

    IPC分类号： H01L29/778

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

    摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) includes a first III-V compound layer. A second III-V compound layer is disposed on the first III-V compound layer and is different from the first III-V compound layer in composition. A carrier channel is located between the first III-V compound layer and the second III-V compound layer. A source feature and a drain feature are disposed on the second III-V compound layer. Each of the source feature and the drain feature comprises a corresponding intermetallic compound at least partially embedded in the second III-V compound layer. Each intermetallic compound is free of Au and comprises Al, Ti or Cu. A p-type layer is disposed on a portion of the second III-V compound layer between the source feature and the drain feature. A gate electrode is disposed on the p-type layer. A depletion region is disposed in the carrier channel and under the gate electrode.

    摘要翻译： 高电子迁移率晶体管（HEMT）包括第一III-V族化合物层。 第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上，并且与组合物中的第一III-V化合物层不同。 载体通道位于第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。 源特征和漏极特征设置在第二III-V复合层上。 源特征和漏极特征中的每一个包括至少部分地嵌入第二III-V化合物层中的对应的金属间化合物。 每个金属间化合物不含Au，并包含Al，Ti或Cu。 在源特征和漏极特征之间的第二III-V化合物层的一部分上设置p型层。 栅电极设置在p型层上。 耗尽区域设置在载流子通道中和栅电极下方。

    High electron mobility transistor including an embedded flourine region
    3.
    发明授权
    High electron mobility transistor including an embedded flourine region 有权
    高电子迁移率晶体管包括一个嵌入的黄金区域

    公开(公告)号：US08624296B1

    公开(公告)日：2014-01-07

    申请号：US13571136

    申请日：2012-08-09

    申请人： King-Yuen Wong ,  Chen-Ju Yu ,  Fu-Wei Yao ,  Jiun-Lei Jerry Yu ,  Po-Chih Chen ,  Fu-Chih Yang

    发明人： King-Yuen Wong ,  Chen-Ju Yu ,  Fu-Wei Yao ,  Jiun-Lei Jerry Yu ,  Po-Chih Chen ,  Fu-Chih Yang

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/15

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

    摘要： A semiconductor structure includes a first III-V compound layer. A second III-V compound layer is disposed on the first III-V compound layer and is different from the first III-V compound layer in composition. The second III-V compound layer has a top surface. A source feature and a drain feature are disposed on the second III-V compound layer. A gate electrode is disposed over the second III-V compound layer between the source feature and the drain feature. A fluorine region is embedded in the second III-V compound layer under the gate electrode. The fluorine region has a top surface lower than the top surface of the second III-V compound layer. A gate dielectric layer is disposed under at least a portion of the gate electrode and over the fluorine region.

    摘要翻译： 半导体结构包括第一III-V族化合物层。 第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上，并且与组合物中的第一III-V化合物层不同。 第二III-V化合物层具有顶表面。 源特征和漏极特征设置在第二III-V复合层上。 栅电极设置在源特征和漏极特征之间的第二III-V化合物层之上。 在栅电极下方的第二III-V化合物层中嵌入有氟区。 氟区具有比第二III-V化合物层的顶表面低的顶表面。 栅极电介质层设置在栅极电极的至少一部分和氟区域的下方。

    HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME
    4.
    发明申请
    HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
    高电子移动性晶体管及其形成方法

    公开(公告)号：US20130168686A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：US13339052

    申请日：2011-12-28

    申请人： Chun-Wei HSU ,  Jiun-Lei Jerry YU ,  Fu-Wei YAO ,  Chen-Ju YU ,  Po-Chih CHEN

    发明人： Chun-Wei HSU ,  Jiun-Lei Jerry YU ,  Fu-Wei YAO ,  Chen-Ju YU ,  Po-Chih CHEN

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L29/205

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

    摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) includes a first III-V compound layer. A second III-V compound layer is disposed on the first III-V compound layer and is different from the first III-V compound layer in composition. A carrier channel is located between the first III-V compound layer and the second III-V compound layer. A source feature and a drain feature are disposed on the second III-V compound layer. Each of the source feature and the drain feature comprises a corresponding intermetallic compound at least partially embedded in the second III-V compound layer. Each intermetallic compound is free of Au and comprises Al, Ti or Cu. A p-type layer is disposed on a portion of the second III-V compound layer between the source feature and the drain feature. A gate electrode is disposed on the p-type layer. A depletion region is disposed in the carrier channel and under the gate electrode.

    摘要翻译： 高电子迁移率晶体管（HEMT）包括第一III-V族化合物层。 第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上，并且与组合物中的第一III-V化合物层不同。 载体通道位于第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。 源特征和漏极特征设置在第二III-V复合层上。 源特征和漏极特征中的每一个包括至少部分地嵌入第二III-V化合物层中的对应的金属间化合物。 每个金属间化合物不含Au，并包含Al，Ti或Cu。 p型层设置在源特征和漏极特征之间的第二III-V化合物层的一部分上。 栅电极设置在p型层上。 耗尽区域设置在载流子通道中和栅电极下方。

    Shielding antennas in wireless application devices
    5.
    发明授权
    Shielding antennas in wireless application devices 有权
    无线应用设备中的屏蔽天线

    公开(公告)号：US08456371B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US13420714

    申请日：2012-03-15

    申请人： Jia-woei Chen ,  Po-chih Chen

    发明人： Jia-woei Chen ,  Po-chih Chen

    IPC分类号： H01Q1/24

    CPC分类号： H01Q1/526 ,  H01Q19/10

    摘要： An antenna assembly that includes an antenna module fitting between a display panel of an electronic device and a metallic cover of the device. The antenna module includes an antenna and a support for the antenna. A shielding layer fits between the antenna module and the cover. The shielding layer has a grounding area configured for electrical connection with the antenna and for electrical isolation from the cover.

    摘要翻译： 一种天线组件，包括天线模块，该天线模块装配在电子设备的显示面板和设备的金属盖之间。 天线模块包括天线和用于天线的支撑。 屏蔽层安装在天线模块和盖子之间。 屏蔽层具有被配置为与天线电连接并且与盖电隔离的接地区域。

    Shielding Antennas in Wireless Application Devices
    6.
    发明申请
    Shielding Antennas in Wireless Application Devices 有权
    无线应用设备屏蔽天线

    公开(公告)号：US20120176280A1

    公开(公告)日：2012-07-12

    申请号：US13420714

    申请日：2012-03-15

    申请人： Jia-Woei Chen ,  Po-Chih Chen

    发明人： Jia-Woei Chen ,  Po-Chih Chen

    IPC分类号： H01Q1/52 ,  H01Q1/24

    CPC分类号： H01Q1/526 ,  H01Q19/10

    摘要： An antenna assembly that includes an antenna module fitting between a display panel of an electronic device and a metallic cover of the device. The antenna module includes an antenna and a support for the antenna. A shielding layer fits between the antenna module and the cover. The shielding layer has a grounding area configured for electrical connection with the antenna and for electrical isolation from the cover.

    摘要翻译： 一种天线组件，包括天线模块，该天线模块装配在电子设备的显示面板和设备的金属盖之间。 天线模块包括天线和用于天线的支撑。 屏蔽层安装在天线模块和盖子之间。 屏蔽层具有被配置为与天线电连接并且与盖电隔离的接地区域。

    Embedded JFETs for high voltage applications
    8.
    发明授权
    Embedded JFETs for high voltage applications 有权
    用于高压应用的嵌入式JFET

    公开(公告)号：US08704279B2

    公开(公告)日：2014-04-22

    申请号：US13481462

    申请日：2012-05-25

    申请人： Jen-Hao Yeh ,  Chih-Chang Cheng ,  Ru-Yi Su ,  Ker Hsiao Huo ,  Po-Chih Chen ,  Fu-Chih Yang ,  Chun Lin Tsai

    发明人： Jen-Hao Yeh ,  Chih-Chang Cheng ,  Ru-Yi Su ,  Ker Hsiao Huo ,  Po-Chih Chen ,  Fu-Chih Yang ,  Chun Lin Tsai

    IPC分类号： H01L29/80

    CPC分类号： H01L29/7832 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H03K17/223

    摘要： A device includes a buried well region and a first HVW region of the first conductivity, and an insulation region over the first HVW region. A drain region of the first conductivity type is disposed on a first side of the insulation region and in a top surface region of the first HVW region. A first well region and a second well region of a second conductivity type opposite the first conductivity type are on the second side of the insulation region. A second HVW region of the first conductivity type is disposed between the first and the second well regions, wherein the second HVW region is connected to the buried well region. A source region of the first conductivity type is in a top surface region of the second HVW region, wherein the source region, the drain region, and the buried well region form a JFET.

    摘要翻译： 一种器件包括掩埋阱区和第一导电性的第一HVW区，以及位于第一HVW区上的绝缘区。 第一导电类型的漏极区域设置在绝缘区域的第一侧和第一HVW区域的顶表面区域中。 与第一导电类型相反的第二导电类型的第一阱区和第二阱区在绝缘区的第二侧上。 第一导电类型的第二HVW区域设置在第一和第二阱区域之间，其中第二HVW区域连接到掩埋阱区域。 第一导电类型的源极区域位于第二HVW区域的顶表面区域中，其中源极区域，漏极区域和掩埋阱区域形成JFET。

    Embedded JFETs for High Voltage Applications
    9.
    发明申请
    Embedded JFETs for High Voltage Applications 有权
    用于高压应用的嵌入式JFET

    公开(公告)号：US20130313617A1

    公开(公告)日：2013-11-28

    申请号：US13481462

    申请日：2012-05-25

    申请人： Jen-Hao Yeh ,  Chih-Chang Cheng ,  Ru-Yi Su ,  Ker Hsiao Huo ,  Po-Chih Chen ,  Fu-Chih Yang ,  Chun Lin Tsai

    发明人： Jen-Hao Yeh ,  Chih-Chang Cheng ,  Ru-Yi Su ,  Ker Hsiao Huo ,  Po-Chih Chen ,  Fu-Chih Yang ,  Chun Lin Tsai

    IPC分类号： H01L29/80

    CPC分类号： H01L29/7832 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H03K17/223

    摘要： A device includes a buried well region and a first HVW region of the first conductivity, and an insulation region over the first HVW region. A drain region of the first conductivity type is disposed on a first side of the insulation region and in a top surface region of the first HVW region. A first well region and a second well region of a second conductivity type opposite the first conductivity type are on the second side of the insulation region. A second HVW region of the first conductivity type is disposed between the first and the second well regions, wherein the second HVW region is connected to the buried well region. A source region of the first conductivity type is in a top surface region of the second HVW region, wherein the source region, the drain region, and the buried well region form a JFET.

    摘要翻译： 一种器件包括掩埋阱区和第一导电性的第一HVW区，以及位于第一HVW区上的绝缘区。 第一导电类型的漏极区域设置在绝缘区域的第一侧和第一HVW区域的顶表面区域中。 与第一导电类型相反的第二导电类型的第一阱区和第二阱区在绝缘区的第二侧上。 第一导电类型的第二HVW区域设置在第一和第二阱区域之间，其中第二HVW区域连接到掩埋阱区域。 第一导电类型的源极区域位于第二HVW区域的顶表面区域中，其中源极区域，漏极区域和掩埋阱区域形成JFET。

    High electron mobility transistor and method of forming the same
    10.
    发明授权
    High electron mobility transistor and method of forming the same 有权
    高电子迁移率晶体管和其形成方法

    公开(公告)号：US08748942B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US13544711

    申请日：2012-07-09

    申请人： King-Yuen Wong ,  Chen-Ju Yu ,  Fu-Wei Yao ,  Jiun-Lei Jerry Yu ,  Fu-Chih Yang ,  Po-Chih Chen ,  Chun-Wei Hsu

    发明人： King-Yuen Wong ,  Chen-Ju Yu ,  Fu-Wei Yao ,  Jiun-Lei Jerry Yu ,  Fu-Chih Yang ,  Po-Chih Chen ,  Chun-Wei Hsu

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787

    摘要： A semiconductor structure includes a first III-V compound layer. A second III-V compound layer is disposed on the first III-V compound layer and is different from the first III-V compound layer in composition. A source feature and a drain feature are disposed on the second III-V compound layer. A gate electrode is disposed over the second III-V compound layer between the source feature and the drain feature. A fluorine region is embedded in the second III-V compound layer under the gate electrode. A gate dielectric layer is disposed over the second III-V compound layer. The gate dielectric layer has a fluorine segment on the fluorine region and under at least a portion of the gate electrode.

    摘要翻译： 半导体结构包括第一III-V族化合物层。 第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上，并且与组合物中的第一III-V化合物层不同。 源特征和漏极特征设置在第二III-V复合层上。 栅电极设置在源特征和漏极特征之间的第二III-V化合物层之上。 在栅电极下方的第二III-V化合物层中嵌入有氟区。 栅介质层设置在第二III-V化合物层上。 栅极电介质层在氟区域上具有氟链段，并且在栅电极的至少一部分下方具有氟链段。