公开(公告)号：US06780783B2

公开(公告)日：2004-08-24

申请号：US09941356

申请日：2001-08-29

申请人： Jane-Bai Lai ,  Pei-Fen Chou

发明人： Jane-Bai Lai ,  Pei-Fen Chou

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/31133

摘要： A method of etching a low dielectric constant material with an aqueous solution of hydrofluoric acid and hydrochloric acid. The etching solution is particularly useful on low dielectric constant materials that are water repulsive or hydrophobic. The weight ratio of hydrofluoric acid to hydrochloric acid in the aqueous solution ranges from 1:3 to 4:1.

摘要翻译： 一种用氢氟酸和盐酸水溶液蚀刻低介电常数材料的方法。 蚀刻溶液在具有排斥性或疏水性的低介电常数材料上特别有用。 水溶液中氢氟酸与盐酸的重量比为1：3〜4：1。

公开(公告)号：US5624867A

公开(公告)日：1997-04-29

申请号：US448670

申请日：1995-05-24

申请人： Huang-Chung Cheng ,  Cheng-Tung Lin ,  Pei-Fen Chou

发明人： Huang-Chung Cheng ,  Cheng-Tung Lin ,  Pei-Fen Chou

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/2257

摘要： A low temperature process for forming palladium silicided shallow junctions in which ions are implanted into a palladium or a palladium silicide layer over a silicon substrate. The impurities are driven into the silicon substrate during the formation or recrystallization of the palladium silicide layer, and a diffusion region with shallow junction is formed in the substrate.

摘要翻译： 用于形成钯硅化物浅结的低温工艺，其中将离子注入到硅衬底上的钯或钯硅化物层中。 在硅化钯层的形成或重结晶过程中，杂质被驱入硅衬底，并且在衬底中形成具有浅结的扩散区。

公开(公告)号：US06890772B2

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：US10043734

申请日：2002-01-09

申请人： Chin-Kai Liu ,  Jun-Yean Chiou ,  Pei-Fen Chou ,  Han-Shun Lui

发明人： Chin-Kai Liu ,  Jun-Yean Chiou ,  Pei-Fen Chou ,  Han-Shun Lui

IPC分类号： G01J1/00 ,  G01Q20/00 ,  G01R31/26 ,  G01T1/24 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L22/14

摘要： A method of forming a SIMS monitor device for determining a doping profile of a semiconductor device structure including providing a plurality of regularly repeating semiconductor structures including a doping profile to form a monitor device including at least one layer of the regularly repeating semiconductor structures; planarizing the monitor device through a thickness of the regularly repeating semiconductor structures to reveal a target surface overlying the doping profile to form a monitor pattern; and, sputtering the target surface over a sputtering area including the monitor pattern through a thickness thereof while simultaneously detecting and counting over a time interval at least one type of species ejected from the target surface according to a secondary ion mass spectroscopy procedure (SIMS).

摘要翻译： 一种形成用于确定半导体器件结构的掺杂分布的SIMS监视器件的方法，包括提供包括掺杂分布的多个规则重复的半导体结构，以形成包括至少一层规则重复的半导体结构的监测器件; 通过规则重复的半导体结构的厚度来平坦化监视器装置，以显示覆盖掺杂分布的目标表面以形成监视图案; 并且通过其厚度在包括监视器图案的溅射区域上溅射目标表面，同时根据二次离子质谱法（SIMS）从目标表面喷射的至少一种类型的物质同时检测和计数。

公开(公告)号：US06602560B2

公开(公告)日：2003-08-05

申请号：US10196850

申请日：2002-07-16

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Wen-Kung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Long Wang ,  Pei-Fen Chou

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Wen-Kung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Long Wang ,  Pei-Fen Chou

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/0035

摘要： A method of removing residual fluorine present in a HDP-CVD chamber which includes a high pressure seasoning process, a dry-cleaning process, and a low-pressure deposition process.

摘要翻译： 一种除去存在于HDP-CVD室中的残余氟的方法，其包括高压调味处理，干洗处理和低压沉积工艺。

公开(公告)号：US20050009367A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10615744

申请日：2003-07-09

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang ,  Pei-Fen Chou

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang ,  Pei-Fen Chou

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02131 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76837

摘要： A method of forming an FSG film comprising the following steps. A structure is provided. An FSG film is formed over the structure by an HDP-CVD process under the following conditions: no Argon (Ar)—side sputter; SiF4 flow: from about 53 to 63 sccm; an N2 flow: from about 25 to 35 sccm; and an RF power to provide a uniform plasma density.

摘要翻译： 一种形成FSG膜的方法，包括以下步骤。 提供了一种结构。 在以下条件下通过HDP-CVD工艺在该结构上形成FSG膜：无氩（Ar）侧溅射; SiF4流量：约53至63sccm; N2流量：约25至35sccm; 和RF功率以提供均匀的等离子体密度。