公开(公告)号：US20120097330A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US12908617

申请日：2010-10-20

申请人： Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Dale R. DuBois ,  Juan Carlos Rocha-Alverez ,  Thomas Nowak ,  Scott A. Hendrickson ,  Yong-Won Lee ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Dale R. DuBois ,  Juan Carlos Rocha-Alverez ,  Thomas Nowak ,  Scott A. Hendrickson ,  Yong-Won Lee ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/465 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/463 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02274

摘要： A substrate processing system includes a thermal processor or a plasma generator adjacent to a processing chamber. A first processing gas enters the thermal processor or plasma generator. The first processing gas then flows directly through a showerhead into the processing chamber. A second processing gas flows through a second flow path through the showerhead. The first and second processing gases are mixed below the showerhead and a layer of material is deposited on a substrate under the showerhead.

摘要翻译： 衬底处理系统包括与处理室相邻的热处理器或等离子体发生器。 第一处理气体进入热处理器或等离子体发生器。 然后，第一处理气体直接通过喷头流入处理室。 第二处理气体流过穿过喷头的第二流路。 第一和第二处理气体混合在喷淋头下面，并且一层材料沉积在喷头下方的基底上。

公开(公告)号：US08343881B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12794713

申请日：2010-06-04

申请人： Yong-Won Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Scott A Hendrickson ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Thomas Nowak ,  Derek R Witty

发明人： Yong-Won Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Li-Qun Xia ,  Prahallad Iyengar ,  Sanjeev Baluja ,  Scott A Hendrickson ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Thomas Nowak ,  Derek R Witty

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/31 ,  C23C16/448

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

摘要： A silicon dioxide layer is deposited onto a substrate using a process gas comprising BDEAS and an oxygen-containing gas such as ozone. The silicon dioxide layer can be part of an etch-resistant stack that includes a resist layer. In another version, the silicon dioxide layer is deposited into through holes to form an oxide liner for through-silicon vias.

摘要翻译： 使用包含BDEAS和含氧气体如臭氧的工艺气体将二氧化硅层沉积到衬底上。 二氧化硅层可以是包括抗蚀剂层的抗蚀刻堆叠的一部分。 在另一个版本中，二氧化硅层被沉积到通孔中以形成用于通硅通孔的氧化物衬垫。

公开(公告)号：US20110298099A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US12794713

申请日：2010-06-04

申请人： Yong-Won LEE ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee SHEK ,  Li-Qun XIA ,  Prahallad IYENGAR ,  Sanjeev BALUJA ,  Scott A. HENDRICKSON ,  Juan Carlos ROCHA-ALVAREZ ,  Thomas NOWAK ,  Derek R. WITTY

发明人： Yong-Won LEE ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee SHEK ,  Li-Qun XIA ,  Prahallad IYENGAR ,  Sanjeev BALUJA ,  Scott A. HENDRICKSON ,  Juan Carlos ROCHA-ALVAREZ ,  Thomas NOWAK ,  Derek R. WITTY

IPC分类号： H01L29/06 ,  C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

摘要： A silicon dioxide layer is deposited onto a substrate using a process gas comprising BDEAS and an oxygen-containing gas such as ozone. The silicon dioxide layer can be part of an etch-resistant stack that includes a resist layer. In another version, the silicon dioxide layer is deposited into through holes to form an oxide liner for through-silicon vias.

摘要翻译： 使用包含BDEAS和含氧气体如臭氧的工艺气体将二氧化硅层沉积到衬底上。 二氧化硅层可以是包括抗蚀剂层的抗蚀刻堆叠的一部分。 在另一个版本中，二氧化硅层被沉积到通孔中以形成用于通硅通孔的氧化物衬垫。