公开(公告)号：US20120039017A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13207267

申请日：2011-08-10

申请人： William G. Baron ,  Jeffrey A. Brogan ,  Sandra Fries-Carr ,  Richard J. Gambino ,  Christopher Gouldstone ,  Brian Keyes ,  Sanjay Sampath ,  Huey-Daw Wu ,  Richard L.C. Wu

发明人： William G. Baron ,  Jeffrey A. Brogan ,  Sandra Fries-Carr ,  Richard J. Gambino ,  Christopher Gouldstone ,  Brian Keyes ,  Sanjay Sampath ,  Huey-Daw Wu ,  Richard L.C. Wu

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G4/06

CPC分类号： H01G4/1272 ,  H01G4/08 ,  H01L28/40

摘要： A structural capacitor includes a first carbon fiber material layer, a second carbon fiber material layer, and an interlayer dielectric including a diamond-like-carbon material layer.

摘要翻译： 结构电容器包括第一碳纤维材料层，第二碳纤维材料层和包含类金刚石碳材料层的层间电介质。

公开(公告)号：US20100329001A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12923013

申请日：2010-08-30

申请人： Tae-wan Kim ,  Wan-jun Park ,  Sang-jin Park ,  In-jun Hwang ,  Soon-ju Kwon ,  Young-keun Kim ,  Richard J. Gambino

发明人： Tae-wan Kim ,  Wan-jun Park ,  Sang-jin Park ,  In-jun Hwang ,  Soon-ju Kwon ,  Young-keun Kim ,  Richard J. Gambino

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

摘要： Provided are a multi-purpose magnetic film structure using a spin charge, a method of manufacturing the same, a semiconductor device having the same, and a method of operating the semiconductor memory device. The multi-purpose magnetic film structure includes a lower magnetic film, a tunneling film formed on the lower magnetic film, and an upper magnetic film formed on the tunneling film, wherein the lower and upper magnetic films are ferromagnetic films forming an electrochemical potential difference therebetween when the lower and upper magnetic films have opposite magnetization directions.

摘要翻译： 提供了使用自旋电荷的多用途磁性膜结构，其制造方法，具有该自旋电荷的半导体器件，以及操作半导体存储器件的方法。 多用途磁性膜结构包括下部磁性膜，形成在下部磁性膜上的隧道膜和形成在隧道膜上的上部磁性膜，其中下部和上部磁性膜是形成其间电化学电位差的铁磁性膜 当上下磁性膜具有相反的磁化方向时。

公开(公告)号：US07811833B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11898762

申请日：2007-09-14

申请人： Tae-wan Kim ,  Wan-jun Park ,  Sang-jin Park ,  In-jun Hwang ,  Soon-ju Kwon ,  Young-keun Kim ,  Richard J. Gambino

发明人： Tae-wan Kim ,  Wan-jun Park ,  Sang-jin Park ,  In-jun Hwang ,  Soon-ju Kwon ,  Young-keun Kim ,  Richard J. Gambino

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

摘要： Provided are a multi-purpose magnetic film structure using a spin charge, a method of manufacturing the same, a semiconductor device having the same, and a method of operating the semiconductor memory device. The multi-purpose magnetic film structure includes a lower magnetic film, a tunneling film formed on the lower magnetic film, and an upper magnetic film formed on the tunneling film, wherein the lower and upper magnetic films are ferromagnetic films forming an electrochemical potential difference therebetween when the lower and upper magnetic films have opposite magnetization directions.

摘要翻译： 提供了使用自旋电荷的多用途磁性膜结构，其制造方法，具有该自旋电荷的半导体器件，以及操作半导体存储器件的方法。 多用途磁性膜结构包括下部磁性膜，形成在下部磁性膜上的隧道膜和形成在隧道膜上的上部磁性膜，其中下部和上部磁性膜是形成其间电化学电位差的铁磁性膜 当上下磁性膜具有相反的磁化方向时。

公开(公告)号：US6095416A

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：US28855

申请日：1998-02-24

申请人： Alan H. Grant ,  Richard J. Gambino

发明人： Alan H. Grant ,  Richard J. Gambino

IPC分类号： G06K19/073 ,  G07F7/10 ,  G06K7/08

CPC分类号： G07F7/10 ,  G06K19/073 ,  G06Q20/341 ,  G06Q20/347 ,  G06Q20/4097 ,  G07F7/1008 ,  G07F7/1058

摘要： An authorization card, such as a credit card, has a security feature. The authorization card generally has two operational states, a disabled state and an enable state. In the disabled state, which is the default mode of operation, access to confidential information stored on the card is denied. The card remains in the disabled state until a PIN code is entered on a keypad provided on the card. Once the card is enabled, access to the confidential information is permitted for a predetermined period of time, after which the card reverts back to the default disabled state. The security feature is implemented on a magnetic card, an electronic smart card, and passive electronic card.

摘要翻译： 授权卡，如信用卡，具有安全功能。 授权卡通常具有两种操作状态，禁用状态和使能状态。 在禁用状态（默认操作模式）下，存储在卡上的机密信息的访问被拒绝。 卡片保持在禁用状态，直到在卡上提供的键盘上输入PIN码。 一旦该卡被启用，在预定的时间段内允许访问机密信息，之后卡恢复到默认禁用状态。 安全功能在磁卡，电子智能卡和无源电子卡上实现。

公开(公告)号：US5612131A

公开(公告)日：1997-03-18

申请号：US54646

申请日：1993-04-26

申请人： Nestor A. Bojarczuk, Jr. ,  Richard J. Gambino ,  Ralph Ruf

发明人： Nestor A. Bojarczuk, Jr. ,  Richard J. Gambino ,  Ralph Ruf

IPC分类号： C22C19/00 ,  C22C38/00 ,  G11B11/10 ,  G11B11/105 ,  H01F1/00 ,  H01F10/12 ,  H01F41/20 ,  G11B5/66

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11B11/10545 ,  G11B11/10586 ,  H01F1/0063 ,  G11B11/10543 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

摘要： A magneto-optic memory and a magnetic material is described incorporating a polarized light beam directed towards a magnetic material and an analyzer for intercepting the polarized light beam after passing through the magnetic material or after being reflected by the magnetic material. The magnetic material includes a matrix of metal such as iron, cobalt, nickel, and alloys thereof and a plurality of separated phases distributed in the matrix such as EuS, EuO, EuOTb, PtMnSb, MnAs, MnBi, MnSb, CrO.sub.2, CrTe, GdN, Gd.sub.4 C, other compounds of a rare earth element and manganese compounds. Terbium or neodymium may be dissolved in the matrix of metal and in the plurality of separated phases. The invention overcomes the problem of providing a magnetic material having a Curie point above room temperature, a square perpendicular hysteresis loop at room temperature, a large magneto-optic rotation at the wavelength of interest and a deposition temperature suitable depositing on polymer substrates.

摘要翻译： 描述了磁光存储器和磁性材料，其包括朝向磁性材料的偏振光束和用于在通过磁性材料之后或在被磁性材料反射之后截取偏振光束的分析器。 磁性材料包括诸如铁，钴，镍及其合金的金属基体以及分布在诸如EuS，EuO，EuOTb，PtMnSb，MnAs，MnBi，MnSb，CrO 2，CrTe，GdN之类的基体中的多个分离相 ，Gd4C，其他化合物的稀土元素和锰化合物。 铽或钕可以溶解在金属基体和多个分离相中。 本发明克服了提供具有高于室温的居里点，室温下的正方形垂直磁滞回线，感兴趣波长处的大磁光旋转和适合沉积在聚合物基底上的沉积温度的磁性材料的问题。

公开(公告)号：US5565236A

公开(公告)日：1996-10-15

申请号：US449449

申请日：1995-05-24

申请人： Richard J. Gambino ,  James M. E. Harper ,  Thomas R. McGuire ,  Thomas S. Plaskett

发明人： Richard J. Gambino ,  James M. E. Harper ,  Thomas R. McGuire ,  Thomas S. Plaskett

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11B5/48 ,  H01F10/14 ,  H01F41/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  B05D5/12

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/484 ,  H01L43/10 ,  G11B2005/3996

摘要： A method for forming a giant magnetoresistance sensor and method for making is described incorporating an oriented granular layer wherein the layer has a copper matrix with magnetic particles of a nickel cobalt alloy wherein the magnetic particles have a magnetocrystalline anisotropy constant K.sub.1 in the range from 0 to 3.times.10.sup.4 ergs/cm.sup.3. Alternatively, a silver or gold matrix may be used with magnetic particles of a nickel-iron alloy. The granular layer preferably has a (100) texture to provide the magnetic particles with their easy axes in the plane of the layer. The magnetic particles have their largest dimension in the range from 40 to 400 angstroms. The invention overcomes the problem of requiring a large magnetic field to obtain the saturation .DELTA.R/R. By providing a granular film with magnetic particles of low anisotropy, the saturation field to obtain .DELTA.R/R may be as low as 10 to 20 Oe.

摘要翻译： 描述了一种形成巨磁电阻传感​​器的方法及其制造方法，该方法结合了取向颗粒层，其中该层具有带镍钴合金磁性颗粒的铜基体，其中磁性颗粒的磁晶各向异性常数K1在0至 3x104 ergs / cm3。 或者，银或金基质可以与镍 - 铁合金的磁性颗粒一起使用。 颗粒层优选具有（100）结构，以使磁性颗粒在层的平面中具有易于轴的位置。 磁性颗粒的最大尺寸在40至400埃的范围内。 本发明克服了需要大磁场获得饱和度DELTA R / R的问题。 通过提供具有低各向异性的磁性颗粒的颗粒膜，获得DELTA R / R的饱和场可以低至10至20Oe。

公开(公告)号：US5534360A

公开(公告)日：1996-07-09

申请号：US264238

申请日：1994-06-22

申请人： Richard J. Gambino ,  Michael W. McElfresh ,  Thomas R. McGuire ,  Thomas S. Plaskett

发明人： Richard J. Gambino ,  Michael W. McElfresh ,  Thomas R. McGuire ,  Thomas S. Plaskett

IPC分类号： G11B11/105 ,  G11B11/11 ,  H01F1/047 ,  G11B5/66

CPC分类号： G11B11/10586 ,  H01F1/047 ,  G11B11/10508 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10532 ,  G11B11/11 ,  Y10S428/90

摘要： An amorphous alloy containing uranium and a member selected from the group of N, P, As, Sb, Bi, S, Se, Te, Po and mixtures thereof; and use thereof for storage medium, light modulator or optical isolator.

摘要翻译： 含有铀和选自N，P，As，Sb，Bi，S，Se，Te，Po及其混合物的非晶合金; 并用于存储介质，光调制器或光隔离器。

公开(公告)号：US5463578A

公开(公告)日：1995-10-31

申请号：US310465

申请日：1994-09-22

申请人： Richard J. Gambino ,  Ralph R. Ruf

发明人： Richard J. Gambino ,  Ralph R. Ruf

IPC分类号： G11B11/10 ,  G11B11/105 ,  G11C13/06 ,  G11B13/04

CPC分类号： G11B11/10586 ,  G11B11/10506 ,  G11B11/10521

摘要： A magneto-optic memory and storage medium with the ability to directly write or overwrite ones and zeros at recording speed is described incorporating a radiant energy source, a control circuit for adjusting the power of the radiant energy beam and magneto-optic medium having a three layer sandwich comprising a magnetic bias layer, storage layer, and a switching layer therebetween functioning to switch from an antiferromagnetic state at low temperatures to a ferromagnetic state at temperatures above T.sub.AF. The invention overcomes the problem of direct overwrite of ones and zeros on magneto-optic media.

摘要翻译： 描述了具有以记录速度直接写入或覆盖1和0的能力的磁光存储器和存储介质，其包括辐射能源，用于调节辐射能量束的功率的控制电路和具有三 层间夹层包括磁偏置层，存储层和它们之间的切换层，其功能是在高于TAF的温度下从低温下的反铁磁状态切换到铁磁状态。 本发明克服了在磁光介质上直接重写1和0的问题。

公开(公告)号：US5447906A

公开(公告)日：1995-09-05

申请号：US264227

申请日：1994-06-23

申请人： Praveen Chaudhari ,  Richard J. Gambino ,  Roger H. Koch ,  James A. Lacey ,  Robert B. Laibowitz ,  Joseph M. Viggiano

发明人： Praveen Chaudhari ,  Richard J. Gambino ,  Roger H. Koch ,  James A. Lacey ,  Robert B. Laibowitz ,  Joseph M. Viggiano

IPC分类号： C30B1/02 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C30B29/22 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  B32B9/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L39/2451 ,  H01L39/126 ,  H01L39/2432 ,  Y10S428/93 ,  Y10S505/701 ,  Y10S505/702 ,  Y10S505/73 ,  Y10S505/732 ,  Y10S505/742

摘要： Superconducting transition metal oxide films are provided which exhibit very high onsets of superconductivity and superconductivity at temperatures in excess of 40.degree. K. These films are produced by vapor deposition processes using pure metal sources for the metals in the superconducting compositions, where the metals include multi-valent nonmagnetic transition metals, rare earth elements and/or rare earth-like elements and alkaline earth elements. The substrate is exposed to oxygen during vapor deposition, and, after formation of the film, there is at least one annealing step in an oxygen ambient and slow cooling over several hours to room temperature. The substrates chosen are not critical as long as they are not adversely reactive with the superconducting oxide film. Transition metals include Cu, Ni, Ti and V, while the rare earth-like elements include Y, Sc and La. The alkaline earth elements include Ca, Ba and Sr.

摘要翻译： 提供超导过渡金属氧化物膜，其在超过40℃的温度下表现出非常高的超导性和超导性。这些膜通过使用纯金属源用于超导组合物中的金属的气相沉积工艺制备，其中金属包括多 价值非磁性过渡金属，稀土元素和/或稀土类元素和碱土金属元素。 衬底在气相沉积期间暴露于氧气，并且在膜形成之后，在氧环境中存在至少一个退火步骤，并在几个小时至室温下缓慢冷却。 所选择的衬底不是关键的，只要它们不与超导氧化物膜不利地反应。 过渡金属包括Cu，Ni，Ti和V，而稀土元素包括Y，Sc和La，碱土元素包括Ca，Ba和Sr。

公开(公告)号：US5356872A

公开(公告)日：1994-10-18

申请号：US215778

申请日：1994-03-17

申请人： Walter Eidelloth, deceased ,  James T. Busch, legal representative ,  Richard J. Gambino ,  Rodney Ruoff ,  Claudia D. Tesche

发明人： Walter Eidelloth, deceased ,  James T. Busch, legal representative ,  Richard J. Gambino ,  Rodney Ruoff ,  Claudia D. Tesche

IPC分类号： H01L39/12 ,  B05D3/06 ,  B05D5/12 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01L39/123 ,  Y10S505/73 ,  Y10S505/732 ,  Y10S505/785

摘要： An evaporation method of producing a new high Tc superconducting material using fullerene molecules as artificial pinning sites for any magnetic flux that may enter the material.

摘要翻译： 使用富勒烯分子作为用于可能进入材料的任何磁通的人造钉扎位置来生产新的高Tc超导材料的蒸发方法。