公开(公告)号：US5415783A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：US165689

申请日：1993-12-13

申请人： Donald A. Johnson ,  Richard J. Strittmatter ,  Binaifer S. Khambatta

发明人： Donald A. Johnson ,  Richard J. Strittmatter ,  Binaifer S. Khambatta

IPC分类号： C02F1/78

CPC分类号： C02F1/78 ,  C02F2103/023 ,  C02F2209/06

摘要： A method for increasing the effectiveness of ozone as a treating agent for alkaline cooling tower waters. This is accomplished by reducing pH of the solutions in contactor loops which supply ozone to cooling tower waters with an acidic substance.

摘要翻译： 提高臭氧作为碱性冷却塔水处理剂的有效性的方法。 这是通过降低向酸性物质向冷却塔水供应臭氧的接触器回路中的溶液的pH值来实现的。

公开(公告)号：US5603840A

公开(公告)日：1997-02-18

申请号：US440790

申请日：1995-05-15

申请人： Richard J. Strittmatter ,  Narasimha M. Rao

发明人： Richard J. Strittmatter ,  Narasimha M. Rao

IPC分类号： C02F1/00 ,  C02F1/76 ,  C02F1/78

CPC分类号： C02F1/78 ,  C02F1/766 ,  C02F1/008

摘要： The invention comprises adding bromide to a cooling water system containing corrosion and scale control treatment chemicals at elevated concentrations (40 ppm or greater). A fraction of the recirculating water is drawn off in a side stream and ozonated. Ozone oxidizes bromide to bromine which then serves as a biocide. The bromide levels are chosen such that the ozone/bromide reaction is preferred over the ozone/treatment chemicals reaction. Thus, the addition of bromide at elevated concentrations, while acting as a biocide precursor, serves to protect treatment chemicals necessary for corrosion and scale control.

摘要翻译： 本发明包括在高浓度（40ppm或更高）的温度下向含有腐蚀和防垢处理化学品的冷却水体系中加入溴化物。 一部分循环水在侧流中排出并进行臭氧化。 臭氧将溴化物氧化成溴，然后将其用作杀生物剂。 选择溴化物水平使得臭氧/溴化物反应优于臭氧/处理化学品反应。 因此，在作为杀生物剂前体的同时，以升高的浓度加入溴化物可用于保护腐蚀和结垢控制所需的治疗化学品。

公开(公告)号：US08178159B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US10549356

申请日：2004-03-31

申请人： Kiran K. Baikerikar ,  Shaoguang Feng ,  Jack E. Hetzner ,  John M. Maher ,  Michael E. Mills ,  Paul J. Popa ,  Richard J. Strittmatter ,  Larry R. Wilson

发明人： Kiran K. Baikerikar ,  Shaoguang Feng ,  Jack E. Hetzner ,  John M. Maher ,  Michael E. Mills ,  Paul J. Popa ,  Richard J. Strittmatter ,  Larry R. Wilson

IPC分类号： B05D5/06 ,  H01L21/312

CPC分类号： C09D4/00 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  C08G77/20

摘要： Silane compositions having an aromatic functionality and a ethylenically functionality and comprising a latent acid catalyst are deposited in two or more layers on a substrate. Each layer differs in light absorption properties from an adjacent layer. Some layers may have different curing mechanisms. Such a method is useful in forming antireflective coatings.

摘要翻译： 具有芳族官能团和烯属官能团并包含潜酸催化剂的硅烷组合物以两层或更多层沉积在基材上。 每个层与相邻层的光吸收性质不同。 一些层可能具有不同的固化机制。 这种方法可用于形成抗反射涂层。

公开(公告)号：US06815333B2

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：US10402073

申请日：2003-03-28

申请人： Paul H. Townsend, III ,  Lynne K. Mills ,  Joost J. M. Waeterloos ,  Richard J. Strittmatter

发明人： Paul H. Townsend, III ,  Lynne K. Mills ,  Joost J. M. Waeterloos ,  Richard J. Strittmatter

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76835

摘要： This invention relates to a method of dual damascene integration for manufacture of integrating circuits using three top hard mask layers having alternating etch selectivity characteristics.

摘要翻译： 本发明涉及一种双镶嵌一体化方法，用于使用具有交替蚀刻选择性特性的三个顶部硬掩模层来制造积分电路。