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    SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
    2.
    发明申请
    SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME 有权
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：US20140224316A1

    公开(公告)日：2014-08-14

    申请号：US14235674

    申请日：2012-06-26

    申请人： Andrey Stekolnikov ,  Robert Seguin ,  Maximilian Scherff ,  Peter Engelhart ,  Matthias Heimann ,  Til Bartel ,  Markus Trager ,  Max Kontopp

    发明人： Andrey Stekolnikov ,  Robert Seguin ,  Maximilian Scherff ,  Peter Engelhart ,  Matthias Heimann ,  Til Bartel ,  Markus Trager ,  Max Kontopp

    IPC分类号： H01L31/02

    CPC分类号： H01L31/02008 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

    摘要： A solar cell includes a semiconductor wafer, at least one dielectric layer arranged on the semiconductor wafer, a metal layer arranged on the dielectric layer, and a contact structure arranged in the dielectric layer such that the contact structure provides an electrical connection between the metal layer and the semiconductor wafer. The contact structure has at least one first structure having a minimum dimension and at least one second structure having a maximum dimension, wherein the minimum dimension and the maximum dimension are defined along a surface of the semiconductor wafer and the minimum dimension of the first structure is greater than the maximum dimension of the second structure.

    摘要翻译： 太阳能电池包括半导体晶片，布置在半导体晶片上的至少一个电介质层，布置在电介质层上的金属层和布置在电介质层中的接触结构，使得接触结构在金属层之间提供电连接 和半导体晶片。 接触结构具有至少一个具有最小尺寸的第一结构和至少一个具有最大尺寸的第二结构，其中最小尺寸和最大尺寸沿着半导体晶片的表面限定，并且第一结构的最小尺寸为 大于第二结构的最大尺寸。

    Back-Side Contact Solar Cell
    6.
    发明申请
    Back-Side Contact Solar Cell 审中-公开
    背面接触太阳能电池

    公开(公告)号：US20120042941A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：US13148970

    申请日：2010-01-27

    申请人： Robert Seguin ,  Sven Wanka

    发明人： Robert Seguin ,  Sven Wanka

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/04

    CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

    摘要： A back-side contact solar cell has a semiconductor layer (1) having a semiconductor surface (15) and a semiconductor area (3) adjoining the semiconductor surface (15) in the semiconductor layer (1) An electrode (23) is electrically connected to the semiconductor area (3), wherein the semiconductor area (3) forms a contact area (31) with the electrode (23) along the semiconductor surface (15) A passivation layer (7) is disposed on the semiconductor surface (15) for passivating the semiconductor surface by means of field effect passivation, wherein the passivation layer (7) extends substantially over the entire semiconductor surface (15), and a polarized or neutral buffer layer (9) is disposed between the semiconductor layer (1) and the passivation layer and encompasses the contact area (31).

    摘要翻译： 背面接触太阳能电池具有在半导体层（1）中具有半导体表面（15）和邻接半导体表面（15）的半导体区域（3）的半导体层（1）。电极（23）电连接 到半导体区域（3），其中半导体区域（3）沿着半导体表面（15）与电极（23）形成接触区域（31）。钝化层（7）设置在半导体表面（15）上， 用于通过场效应钝化钝化半导体表面，其中钝化层（7）基本上在整个半导体表面（15）上延伸，并且偏振或中性缓冲层（9）设置在半导体层（1）和 钝化层并且包围接触区域（31）。