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    Method for integrating SONOS non-volatile memory into a sub-90 nm standard CMOS foundry process flow
    2.
    发明授权
    Method for integrating SONOS non-volatile memory into a sub-90 nm standard CMOS foundry process flow 有权
    将SONOS非易失性存储器集成到90nm以下的标准CMOS铸造工艺流程中的方法

    公开(公告)号：US08409950B1

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US13100986

    申请日：2011-05-04

    申请人： Patrick Bruckner Shea ,  Dennis Adams ,  Michael Rennie ,  Joseph Terence Smith

    发明人： Patrick Bruckner Shea ,  Dennis Adams ,  Michael Rennie ,  Joseph Terence Smith

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/4234

    摘要： An embodiment of a method is disclosed to integrate silicon oxide nitride oxide silicon (SONOS) non-volatile memory (NVM) into a standard sub-90 nm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) semiconductor foundry process flow. An embodiment of the method adds a few additional steps to a standard CMOS foundry process flow and makes minor changes to the rest of the baseline CMOS foundry process flow to form a new process module that includes both CMOS devices and an embedded SONOS NVM. An embodiment of the method utilizes new material sets (which are not utilized at larger nodes) that enhance NVM performance by improving charge tunneling behavior and reducing leakage currents. Furthermore, an embodiment of the method integrates CMOS with SONOS NVM at ever-shrinking dimensions while enhancing the NVM performance, without performing extra, costly processing steps.

    摘要翻译： 公开了将氧化硅氮氧化物硅（SONOS）非易失性存储器（NVM）集成到标准sub-90nm互补金属氧化物半导体（CMOS）半导体铸造工艺流程中的方法的实施例。 该方法的一个实施例为标准CMOS铸造工艺流程增加了一些附加步骤，并且对基准CMOS铸造工艺流程的其余部分进行了微小的改变以形成包括CMOS器件和嵌入式SONOS NVM的新工艺模块。 该方法的一个实施例利用通过改善电荷隧道行为和减少泄漏电流来增强NVM性能的新材料组（其不被用于较大节点）。 此外，该方法的实施例在不增加NVM性能的情况下将CMOS与SONOS NVM集成在一起，同时不增加NVM性能，而无需执行额外的昂贵的处理步骤。

    Method for integrating SONOS non-volatile memory into a standard CMOS foundry process flow
    3.
    发明授权
    Method for integrating SONOS non-volatile memory into a standard CMOS foundry process flow 有权
    将SONOS非易失性存储器集成到标准CMOS铸造工艺流程中的方法

    公开(公告)号：US08258027B2

    公开(公告)日：2012-09-04

    申请号：US12941645

    申请日：2010-11-08

    申请人： Joseph Terence Smith ,  Dennis A. Adams ,  Patrick Bruckner Shea

    发明人： Joseph Terence Smith ,  Dennis A. Adams ,  Patrick Bruckner Shea

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/4234

    摘要： An embodiment of a method is disclosed to integrate silicon oxide nitride oxide silicon (SONOS) non-volatile memory (NVM) into a conventional complementary metal oxide semiconductor (CMOS) semiconductor foundry process flow. An embodiment of the method only adds a few additional steps to a standard CMOS foundry process flow and makes minor changes to the rest of the baseline CMOS foundry process flow to form a new process module that includes both CMOS devices and an embedded SONOS NVM.

    摘要翻译： 公开了将氧化硅氮氧化物硅（SONOS）非易失性存储器（NVM）集成到常规的互补金属氧化物半导体（CMOS）半导体铸造工艺流程中的方法的实施例。 该方法的一个实施例仅为标准CMOS铸造工艺流程增加了一些额外的步骤，并且对基准CMOS铸造工艺流程的其余部分进行了微小的改变以形成包括CMOS器件和嵌入式SONOS NVM的新工艺模块。

    Photovoltaic silicon solar cells
    5.
    发明授权
    Photovoltaic silicon solar cells 有权
    光伏硅太阳能电池

    公开(公告)号：US08822815B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US12585500

    申请日：2009-09-16

    申请人： Joseph Terence Smith ,  Patrick Bruckner Shea ,  Dennis Allen Adams ,  Marvin Hart White

    发明人： Joseph Terence Smith ,  Patrick Bruckner Shea ,  Dennis Allen Adams ,  Marvin Hart White

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L27/142 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L27/142 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A photovoltaic semiconductor solar cell with a backside semiconductor-oxide-nitride-oxide nonvolatile charge storage structure (referred to as a “PHONOS solar cell”) is disclosed. The PHONOS solar cell includes a semiconductor surface region, a semiconductor bulk region, and a backside structure that includes the SONO nonvolatile charge storage structure and a backside contact. The backside SONO nonvolatile charge storage structure greatly improves solar cell efficiency gains by eliminating “backside” losses, i.e., losses due to the recombination of photo-generated minority charge carriers created by the incident sunlight. The PHONOS solar cell is a highly efficient, ultra-thin, semiconductor solar cell that can be manufactured at low cost.

    摘要翻译： 公开了具有背面半导体 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物非易失性电荷存储结构的光电半导体太阳能电池（以下称为“PHONOS太阳能电池”）。 PHONOS太阳能电池包括半导体表面区域，半导体本体区域和包括SONO非易失性电荷存储结构和背面接触的背面结构。 背面的SONO非易失性电荷存储结构通过消除“背面”损耗，即由于由入射的太阳光产生的光产生的少数电荷载体的复合造成的损失，大大提高了太阳能电池的效率增益。 PHONOS太阳能电池是一种高效，超薄的半导体太阳能电池，可以低成本制造。