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    Medical device and method of manufacturing
    5.
    发明授权
    Medical device and method of manufacturing 有权
    医疗器械及制造方法

    公开(公告)号：US07477943B2

    公开(公告)日：2009-01-13

    申请号：US10723016

    申请日：2003-11-26

    申请人： Ralph B. Danzl ,  Mark R. Boone ,  Paul F. Gerrish ,  Michael F. Mattes ,  Tyler Mueller ,  Jeff Van Wagoner

    发明人： Ralph B. Danzl ,  Mark R. Boone ,  Paul F. Gerrish ,  Michael F. Mattes ,  Tyler Mueller ,  Jeff Van Wagoner

    IPC分类号： A61N1/39

    CPC分类号： H01L29/66712 ,  A61N1/3912 ,  A61N1/3956 ,  A61N1/3968 ,  H01L23/481 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7824 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

    摘要： Methods and apparatus are provided for manufacturing a medical device. An implantable medical device includes a semiconductor substrate, an epitaxial layer, and a power transistor. The epitaxial layer overlies the semiconductor substrate. The power transistor is formed in the epitaxial layer and includes a first electrode, a control electrode, and a second electrode. The power transistor has a voltage breakdown greater than 100 volts. The current flow of the power transistor is vertical through the epitaxial layer to the semiconductor substrate. A backside contact couples to the first electrode of the power transistor. A method of manufacturing a medical device includes a power transistor formed in an epitaxial layer overlying a semiconductor substrate. A deep trench is etched through the epitaxial layer exposing the semiconductor substrate. A first electrode contact region couples to an exposed area of the semiconductor substrate in the deep trench.

    摘要翻译： 提供了用于制造医疗装置的方法和装置。 可植入医疗装置包括半导体衬底，外延层和功率晶体管。 外延层覆盖在半导体衬底上。 功率晶体管形成在外延层中，并且包括第一电极，控制电极和第二电极。 功率晶体管具有大于100伏特的电压击穿。 功率晶体管的电流通过外延层垂直于半导体衬底。 背面接触耦合到功率晶体管的第一电极。 一种制造医疗装置的方法包括形成在覆盖半导体衬底的外延层中的功率晶体管。 通过暴露半导体衬底的外延层蚀刻深沟槽。 第一电极接触区域耦合到深沟槽中的半导体衬底的暴露区域。