公开(公告)号：US08921220B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13599980

申请日：2012-08-30

申请人： Xianyu Wenxu ,  Jeong-Yub Lee ,  Chang -youl Moon ,  Yong-Young Park ,  Woo Young Yang ,  Jae-Joon Oh ,  In-Jun Hwang

发明人： Xianyu Wenxu ,  Jeong-Yub Lee ,  Chang -youl Moon ,  Yong-Young Park ,  Woo Young Yang ,  Jae-Joon Oh ,  In-Jun Hwang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

摘要： A method for forming a selective ohmic contact for a Group III-nitride heterojunction structured device may include forming a conductive layer and a capping layer on an epitaxial substrate including at least one Group III-nitride heterojunction layer and having a defined ohmic contact region, the capping layer being formed on the conductive layer or between the conductive layer and the Group III-nitride heterojunction layer in one of the ohmic contact region and non-ohmic contact region, and applying at least one of a laser annealing process and an induction annealing process on the substrate at a temperature of less than or equal to about 750° C. to complete the selective ohmic contact in the ohmic contact region.

摘要翻译： 用于形成用于III族氮化物异质结结构器件的选择性欧姆接触的方法可包括在包括至少一个III族氮化物异质结层并且具有限定的欧姆接触区域的外延衬底上形成导电层和覆盖层， 覆盖层形成在导电层之间或在欧姆接触区域和非欧姆接触区域之一的导电层和III族氮化物异质结层之间，并且施加激光退火工艺和感应退火工艺中的至少一个 在小于或等于约750℃的温度下在衬底上完成欧姆接触区域中的选择性欧姆接触。

公开(公告)号：US08389196B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12678489

申请日：2008-09-19

申请人： Woo Young Yang ,  Keon Il Kim ,  Dae Il Hwang ,  Il Hyuk Kim ,  Jae Bum Park ,  Il Sun Hwang ,  Jae Kwang Hwang ,  Dae Woong Choi ,  Dong Won Kim ,  Duck Kyun Ahn

发明人： Woo Young Yang ,  Keon Il Kim ,  Dae Il Hwang ,  Il Hyuk Kim ,  Jae Bum Park ,  Il Sun Hwang ,  Jae Kwang Hwang ,  Dae Woong Choi ,  Dong Won Kim ,  Duck Kyun Ahn

IPC分类号： G03G9/08

CPC分类号： G03G9/0806 ,  G03G9/0819 ,  G03G9/0827

摘要： Provided is a method of preparing a toner, the method including: preparing a solvent emulsion by stirring a medium including a polar medium, an organic solvent, and a surfactant; adding toner components including a resin and a pigment to the solvent emulsion; removing the organic solvent from the solvent emulsion including the toner components; and collecting a toner particle from the solvent emulsion from which the organic solvent is removed.

摘要翻译： 提供一种调色剂的制备方法，该方法包括：通过搅拌包含极性介质，有机溶剂和表面活性剂的介质来制备溶剂乳液; 向所述溶剂乳液中添加包括树脂和颜料的调色剂组分; 从包括调色剂组分的溶剂乳液中除去有机溶剂; 并从除去有机溶剂的溶剂乳液中收集调色剂颗粒。

公开(公告)号：US07809014B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US10556206

申请日：2004-06-02

申请人： Woo Young Yang ,  Moon Seok Baek

发明人： Woo Young Yang ,  Moon Seok Baek

IPC分类号： H04J3/16 ,  H04J3/22

CPC分类号： H04L12/5601 ,  H04L2012/5658 ,  H04L2012/5659 ,  H04L2012/5671 ,  H04L2012/5676

摘要： Disclosed herein are devices and methods for communicating full-rate voice data under an ATM protocol. An exemplary device is configured to communicate voice data through a vocoder in a CDMA backbone network using an ATM Adaptation Layer 0 (AAL0) cell-generating system, which is configured to generate an AAL0 cell for each frame of full-rate voice data. In an exemplary embodiment, the device generates AAL0 cells that each comprise (a) 5 bytes of a Header field; (b) 1 byte of a Length field indicating a size of the voice data; (c) 24 bytes of a Voice-Data field containing the voice data; (d) 19 bytes of a Control-Data field containing information for controlling the voice data; (e) 1 byte of an Error-Detection field containing information for detecting an error of the voice data; and (f) 3 bytes of a PAD field for padding data used to exactly fit into the ATM cell.

摘要翻译： 本文公开了用于在ATM协议下传送全速率语音数据的设备和方法。 示例性设备被配置为使用ATM适配层0（AAL0）小区生成系统通过CDMA骨干网络中的声码器传送语音数据，其被配置为为每帧全速率语音数据生成AAL0小区。 在示例性实施例中，设备生成AAL0单元，每个单元包括（a）头字段的5个字节; （b）1字节的长度字段，表示语音数据的大小; （c）包含语音数据的24字节的语音数据字段; （d）19字节的控制数据字段，其包含用于控制语音数据的信息; （e）包含用于检测语音数据的错误的信息的错误检测字段的1个字节; 和（f）用于填充用于精确地配合到ATM信元中的数据的PAD字段的3字节。

公开(公告)号：US20100239972A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12739699

申请日：2008-10-22

申请人： Dong Won Kim ,  Woo Young Yang ,  Keon II Kim ,  Dae II Hwang ,  II Hyuk Kim ,  Jae Bum Park ,  II Sun Hwang ,  Jae Kwang Hwang ,  Dae Woong Choi ,  Duck Kyun Ahn

发明人： Dong Won Kim ,  Woo Young Yang ,  Keon II Kim ,  Dae II Hwang ,  II Hyuk Kim ,  Jae Bum Park ,  II Sun Hwang ,  Jae Kwang Hwang ,  Dae Woong Choi ,  Duck Kyun Ahn

IPC分类号： G03G9/087

CPC分类号： G03G9/08793 ,  G03G9/0804 ,  G03G9/0825

摘要： Provided are a toner using a resin having an active hydrogen-containing group, and a method of preparing the toner. The toner using a resin having an active hydrogen-containing group includes a binder resin (A), a cross-linked resin including a THF insoluble content of 99-100 weight %, a colorant, and at least one additive. The cross-linked resin is arranged in the form of a plurality of islands in each particle of the toner.

摘要翻译： 提供使用具有含活性氢基团的树脂的调色剂和调色剂的制备方法。 使用具有含活性氢基团的树脂的调色剂包括粘合剂树脂（A），包含不饱和THF含量为99-100重量％的交联树脂，着色剂和至少一种添加剂。 交联树脂以调色剂的每个颗粒中的多个岛的形式布置。

公开(公告)号：US20100232837A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12739706

申请日：2008-10-22

申请人： Dae Il Hwang ,  Woo Young Yang ,  Keon Il Kim ,  Il Hyuk Kim ,  Jae Bum Park ,  Il Sun Hwang ,  Jae Kwang Hwang ,  Dae Woong Choi ,  Dong Won Kim ,  Duck Kyun Ahn

发明人： Dae Il Hwang ,  Woo Young Yang ,  Keon Il Kim ,  Il Hyuk Kim ,  Jae Bum Park ,  Il Sun Hwang ,  Jae Kwang Hwang ,  Dae Woong Choi ,  Dong Won Kim ,  Duck Kyun Ahn

IPC分类号： G03G15/08 ,  G03G9/08 ,  G03G9/097 ,  G03G9/09 ,  G03G9/093

CPC分类号： G03G9/09392 ,  G03G9/09328 ,  G03G9/09342 ,  G03G9/09371 ,  G03G9/09378 ,  G03G9/09385

摘要： A toner has a core-shell structure including a toner core portion having a resin with an active hydrogenactive hydrogen containing group, a colorant and at least one additive, and a toner shell portion surrounding the toner core portion, wherein the toner shell portion includes a cross-linked resin prepared by reaction of at least a portion of the active hydrogen containing group and the cross-linking agent.

摘要翻译： 调色剂具有芯壳结构，其包括具有含活性氢活性氢基团的树脂的调色剂核心部分，着色剂和至少一种添加剂，以及包围调色剂核心部分的调色剂壳体部分，其中调色剂壳体部分包括 通过至少一部分含活性氢的基团与交联剂的反应制备的交联树脂。

公开(公告)号：US09537149B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US13695342

申请日：2011-04-20

申请人： Chun Joong Kim ,  Yun Jung Park ,  Dong Gyu Chang ,  Ji Ho Park ,  Woo Young Yang

发明人： Chun Joong Kim ,  Yun Jung Park ,  Dong Gyu Chang ,  Ji Ho Park ,  Woo Young Yang

IPC分类号： H01M4/58 ,  C01B25/45 ,  B01J8/10

CPC分类号： H01M4/5825 ,  B01J8/10 ,  C01B25/45 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/60

摘要： Disclosed is a method for manufacturing a lithium transition metal phosphate. The disclosed method for manufacturing a lithium transition metal phosphate comprises the steps of: injecting reaction materials containing lithium, a transition metal, and a phosphate, into a reactor, and mixing the raw materials at the molecular level in the reactor; and allowing the reaction materials to chemically react in the reactor so as to cause nucleation.

摘要翻译： 公开了一种锂过渡金属磷酸盐的制造方法。 所公开的锂过渡金属磷酸盐的制造方法包括以下步骤：将含有锂，过渡金属和磷酸盐的反应材料注入反应器中，并将反应器中分子水平的原料混合; 并使反应物料在反应器中发生化学反应，从而引起成核。

公开(公告)号：US09000485B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13489733

申请日：2012-06-06

申请人： Jeong-yub Lee ,  Wenxu Xianyu ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Woo-young Yang ,  In-jun Hwang

发明人： Jeong-yub Lee ,  Wenxu Xianyu ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Woo-young Yang ,  In-jun Hwang

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/08 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/28264 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An electrode structure, a GaN-based semiconductor device including the electrode structure, and methods of manufacturing the same, may include a GaN-based semiconductor layer and an electrode structure on the GaN-based semiconductor layer. The electrode structure may include an electrode element including a conductive material and a diffusion layer between the electrode element and the GaN-based semiconductor layer. The diffusion layer may include a material which is an n-type dopant with respect to the GaN-based semiconductor layer, and the diffusion layer may contact the GaN-based semiconductor layer. A region of the GaN-based semiconductor layer contacting the diffusion layer may be doped with the n-type dopant. The material of the diffusion layer may comprise a Group 4 element.

摘要翻译： 包括电极结构的电极结构，GaN基半导体器件及其制造方法可以包括在GaN基半导体层上的GaN基半导体层和电极结构。 电极结构可以包括在电极元件和GaN基半导体层之间包括导电材料的电极元件和扩散层。 扩散层可以包括相对于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料，并且扩散层可以接触GaN基半导体层。 与扩散层接触的GaN基半导体层的区域可以掺杂有n型掺杂剂。 扩散层的材料可以包括第4族元素。

公开(公告)号：US20140091255A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US14115298

申请日：2012-04-18

申请人： Chun Joong Kim ,  Seon Ju Choi ,  Soo Chan Kim ,  Dong Gyu Chang ,  Keon Il Kim ,  Woo Young Yang

发明人： Chun Joong Kim ,  Seon Ju Choi ,  Soo Chan Kim ,  Dong Gyu Chang ,  Keon Il Kim ,  Woo Young Yang

IPC分类号： H01M4/485 ,  C01D15/02

CPC分类号： C01D15/02 ,  C01G23/005 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  H01M4/485

摘要： A method of preparing an electrode active material for manufacturing a lithium secondary battery exhibiting stable charging/discharging efficiency and life-cycle characteristics even during high-speed charging/discharging cycles is provided. Also, a method of controlling both a composition ratio (Ti/Li) of surface elements and a composition of a lithium element in a lithium titanium oxide which is known to be an electrode active material having a relatively stable structure is provided. The lithium secondary battery using the lithium titanium oxide manufactured by the method as the electrode active material can be stably used by maintaining charging/discharging efficiency and charging capacity even during the high-speed charging/discharging cycles.

摘要翻译： 提供了即使在高速充电/放电循环期间制备显示出稳定的充放电效率和寿命特性的锂二次电池的电极活性材料的方法。 此外，提供了一种控制表面元素的组成比（Ti / Li）和已知为具有相对稳定的结构的电极活性材料的锂二氧化钛中的锂元素的组成的方法。 即使在高速充放电循环期间，也可以通过保持充放电效率和充电能力，稳定地使用利用该方法制造的锂二氧化钛作为电极活性物质的锂二次电池。

公开(公告)号：US20130252410A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13599980

申请日：2012-08-30

申请人： Xianyu WENXU ,  Jeong-Yub LEE ,  Chang -Youl MOON ,  Yong-Young PARK ,  Woo Young YANG ,  Jae-Joon OH ,  In-Jun HWANG

发明人： Xianyu WENXU ,  Jeong-Yub LEE ,  Chang -Youl MOON ,  Yong-Young PARK ,  Woo Young YANG ,  Jae-Joon OH ,  In-Jun HWANG

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/18 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

摘要： A method for forming a selective ohmic contact for a Group III-nitride heterojunction structured device may include forming a conductive layer and a capping layer on an epitaxial substrate including at least one Group III-nitride heterojunction layer and having a defined ohmic contact region, the capping layer being formed on the conductive layer or between the conductive layer and the Group III-nitride heterojunction layer in one of the ohmic contact region and non-ohmic contact region, and applying at least one of a laser annealing process and an induction annealing process on the substrate at a temperature of less than or equal to about 750° C. to complete the selective ohmic contact in the ohmic contact region.

摘要翻译： 用于形成用于III族氮化物异质结结构器件的选择性欧姆接触的方法可包括在包括至少一个III族氮化物异质结层并且具有限定的欧姆接触区域的外延衬底上形成导电层和覆盖层， 覆盖层形成在导电层之间或在欧姆接触区域和非欧姆接触区域之一的导电层和III族氮化物异质结层之间，并且施加激光退火工艺和感应退火工艺中的至少一个 在小于或等于约750℃的温度下在衬底上完成欧姆接触区域中的选择性欧姆接触。

公开(公告)号：US20130105863A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13489733

申请日：2012-06-06

申请人： Jeong-yub Lee ,  Wenxu Xianyu ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Woo-young Yang ,  In-jun Hwang

发明人： Jeong-yub Lee ,  Wenxu Xianyu ,  Chang-youl Moon ,  Yong-young Park ,  Woo-young Yang ,  In-jun Hwang

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L21/28264 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An electrode structure, a GaN-based semiconductor device including the electrode structure, and methods of manufacturing the same, may include a GaN-based semiconductor layer and an electrode structure on the GaN-based semiconductor layer. The electrode structure may include an electrode element including a conductive material and a diffusion layer between the electrode element and the GaN-based semiconductor layer. The diffusion layer may include a material which is an n-type dopant with respect to the GaN-based semiconductor layer, and the diffusion layer may contact the GaN-based semiconductor layer. A region of the GaN-based semiconductor layer contacting the diffusion layer may be doped with the n-type dopant. The material of the diffusion layer may comprise a Group 4 element.

摘要翻译： 包括电极结构的电极结构，GaN基半导体器件及其制造方法可以包括在GaN基半导体层上的GaN基半导体层和电极结构。 电极结构可以包括在电极元件和GaN基半导体层之间包括导电材料的电极元件和扩散层。 扩散层可以包括相对于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料，并且扩散层可以接触GaN基半导体层。 与扩散层接触的GaN基半导体层的区域可以掺杂有n型掺杂剂。 扩散层的材料可以包括第4族元素。