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    Data transmission device and image sensor system using the same
    3.
    发明授权
    Data transmission device and image sensor system using the same 有权
    数据传输设备和图像传感器系统使用相同

    公开(公告)号：US08797063B2

    公开(公告)日：2014-08-05

    申请号：US13180064

    申请日：2011-07-11

    申请人： Kyo-Jin Choo ,  Yu-Jin Park ,  Yong Lim

    发明人： Kyo-Jin Choo ,  Yu-Jin Park ,  Yong Lim

    IPC分类号： H03K19/0175

    CPC分类号： H03M9/00 ,  H03K5/15093

    摘要： A data transmission device includes a control unit and a delay chain unit. The control unit outputs a first control signal through an nth control signal, where n is a natural number. The delay chain unit includes a first switching element through an nth switching element. The switching elements receive a first data signal through an nth data signal and perform pipelining operations on the first through nth data signals based upon the first through nth control signals, respectively, to output the pipelined data signals as at least one data stream. The switching elements are connected to each other to form at least one data delay chain.

    摘要翻译： 数据传输装置包括控制单元和延迟链单元。 控制单元通过第n个控制信号输出第一控制信号，其中n是自然数。 延迟链单元包括通过第n个开关元件的第一开关元件。 开关元件通过第n个数据信号接收第一数据信号，并且分别基于第一至第N控制信号对第一至第n数据信号执行流水线操作，以将流水线数据信号作为至少一个数据流输出。 开关元件彼此连接以形成至少一个数据延迟链。

    METHOD FOR FABRICATING 3D-NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    7.
    发明申请
    METHOD FOR FABRICATING 3D-NONVOLATILE MEMORY DEVICE 失效
    用于制造3D非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US20120231593A1

    公开(公告)日：2012-09-13

    申请号：US13112767

    申请日：2011-05-20

    申请人： Han-Soo JOO ,  Sang-Hyun OH ,  Yu-Jin PARK

    发明人： Han-Soo JOO ,  Sang-Hyun OH ,  Yu-Jin PARK

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/1203

    摘要： A method for fabricating a 3D-nonvolatile memory device includes forming a sub-channel over a substrate, forming a stacked layer over the substrate, the stacked layer including a plurality of interlayer dielectric layers that are alternatively stacked with conductive layers, selectively etching the stacked layer to form a first open region exposing the sub-channel, forming a main-channel conductive layer to gap-fill the first open region, selectively etching the stacked layer and the main-channel conductive layer to form a second open region defining a plurality of main channels, and forming an isolation layer to gap-fill the second open region.

    摘要翻译： 一种用于制造3D非易失性存储器件的方法，包括在衬底上形成子沟道，在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替层叠有导电层的多个层间电介质层，选择性地蚀刻堆叠 以形成暴露子通道的第一开放区域，形成主通道导电层以间隙填充第一开放区域，选择性地蚀刻堆叠层和主沟道导电层以形成限定多个的第二开口区域 的主通道，并且形成隔离层以间隙填充第二开口区域。

    Flash memory device with an array of gate columns penetrating through a cell stack
    8.
    发明授权
    Flash memory device with an array of gate columns penetrating through a cell stack 有权
    具有穿透单元堆栈的栅极列阵列的闪存器件

    公开(公告)号：US08203177B2

    公开(公告)日：2012-06-19

    申请号：US12857678

    申请日：2010-08-17

    申请人： Hack Seob Shin ,  Kyoung Hwan Park ,  Young Ok Hong ,  Yu Jin Park

    发明人： Hack Seob Shin ,  Kyoung Hwan Park ,  Young Ok Hong ,  Yu Jin Park

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C5/02 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

    摘要： A flash memory device includes a substrate; a cell stack having a semiconductor layer for providing junction areas and channel areas and an interlayer isolation layer for insulating the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer and the interlayer isolation layer are repeatedly stacked; an array of gate columns, the gate columns penetrating through the cell stack, perpendicular to the substrate; and a trap layered stack introduced into an interface between the gate columns and the cell stack to store charge.

    摘要翻译： 闪存器件包括衬底; 具有用于提供结区域和沟道区域的半导体层和用于绝缘半导体层的层间隔离层的电池堆，其中半导体层和层间隔离层被重复堆叠; 门列的阵列，栅极柱穿过电池堆，垂直于衬底; 以及引入到栅极列和电池堆之间的接口中的陷阱层叠堆积以存储电荷。

    DATA TRANSMISSION DEVICE AND IMAGE SENSOR SYSTEM USING THE SAME
    10.
    发明申请
    DATA TRANSMISSION DEVICE AND IMAGE SENSOR SYSTEM USING THE SAME 有权
    数据传输装置和使用该数据传输装置的图像传感器系统

    公开(公告)号：US20120007653A1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：US13180064

    申请日：2011-07-11

    申请人： Kyo-Jin CHOO ,  Yu-Jin PARK ,  Yong LIM

    发明人： Kyo-Jin CHOO ,  Yu-Jin PARK ,  Yong LIM

    IPC分类号： H03K17/00

    CPC分类号： H03M9/00 ,  H03K5/15093

    摘要： A data transmission device includes a control unit and a delay chain unit. The control unit outputs a first control signal through an nth control signal, where n is a natural number. The delay chain unit includes a first switching element through an nth switching element. The switching elements receive a first data signal through an nth data signal and perform pipelining operations on the first through nth data signals based upon the first through nth control signals, respectively, to output the pipelined data signals as at least one data stream. The switching elements are connected to each other to form at least one data delay chain.

    摘要翻译： 数据传输装置包括控制单元和延迟链单元。 控制单元通过第n个控制信号输出第一控制信号，其中n是自然数。 延迟链单元包括通过第n个开关元件的第一开关元件。 开关元件通过第n个数据信号接收第一数据信号，并且分别基于第一至第N控制信号对第一至第n数据信号执行流水线操作，以将流水线数据信号作为至少一个数据流输出。 开关元件彼此连接以形成至少一个数据延迟链。