公开(公告)号：US08859191B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13466126

申请日：2012-05-08

申请人： Yushi Matsumura ,  Shinya Minegishi ,  Satoru Murakami ,  Yusuke Anno ,  Shinya Nakafuji ,  Kazuhiko Komura ,  Kyoyu Yasuda

发明人： Yushi Matsumura ,  Shinya Minegishi ,  Satoru Murakami ,  Yusuke Anno ,  Shinya Nakafuji ,  Kazuhiko Komura ,  Kyoyu Yasuda

IPC分类号： G03F7/26 ,  C07D487/04 ,  C07D407/12 ,  H05K1/00 ,  B44C1/22

CPC分类号： G03F7/027 ,  B44C1/22 ,  C07D407/12 ,  C07D487/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H05K1/00

摘要： Providing a method for forming a pattern capable of forming a resist underlayer film that can be easily removed using an alkali liquid while maintaining etching resistance is objected to. Provided by the present invention is a method for forming a pattern, the method including: (1) forming a resist underlayer film on a substrate using a composition for forming a resist underlayer film containing a compound having an alkali-cleavable functional group; (2) forming a resist pattern on the resist underlayer film; (3) forming a pattern on the substrate by dry etching of the resist underlayer film and the substrate, using the resist pattern as a mask; and (4) removing the resist underlayer film with an alkali liquid.

摘要翻译： 提供一种能够形成能够形成抗蚀剂下层膜的图案的方法，该方法能够在保持耐蚀刻性的同时使用碱液容易地除去。 本发明提供一种形成图案的方法，该方法包括：（1）使用含有具有可碱解官能团的化合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物在基材上形成抗蚀剂下层膜; （2）在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案; （3）使用抗蚀剂图案作为掩模，通过干蚀刻抗蚀剂下层膜和基板在基板上形成图案; 和（4）用碱液除去抗蚀剂下层膜。

公开(公告)号：US08669042B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13434851

申请日：2012-03-30

申请人： Yusuke Anno ,  Takashi Mori ,  Hirokazu Sakakibara ,  Taiichi Furukawa ,  Kazunori Takanashi ,  Hiromitsu Tanaka ,  Shin-ya Minegishi

发明人： Yusuke Anno ,  Takashi Mori ,  Hirokazu Sakakibara ,  Taiichi Furukawa ,  Kazunori Takanashi ,  Hiromitsu Tanaka ,  Shin-ya Minegishi

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/325

摘要： A resist pattern-forming method includes applying a resist underlayer film-forming composition to a substrate to form a resist underlayer film. The resist underlayer film-forming composition includes (A) a polysiloxane. A radiation-sensitive resin composition is applied to the resist underlayer film to form a resist film. The radiation-sensitive resin composition includes (a1) a polymer that changes in polarity and decreases in solubility in an organic solvent due to an acid. The resist film is exposed. The exposed resist film is developed using a developer that includes an organic solvent.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括将抗蚀剂下层膜形成组合物施加到基底上以形成抗蚀剂下层膜。 抗蚀剂下层膜形成组合物包含（A）聚硅氧烷。 将抗辐射敏感树脂组合物施加到抗蚀剂下层膜上以形成抗蚀剂膜。 辐射敏感性树脂组合物包含（a1）由于酸而导致极性变化和在有机溶剂中溶解度降低的聚合物。 抗蚀剂膜被曝光。 使用包含有机溶剂的显影剂显影曝光的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：US20110223544A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13089323

申请日：2011-04-19

申请人： Yuji YADA ,  Yusuke Anno ,  Tomohiro Kakizawa ,  Masafumi Hori ,  Michihiro Mita ,  Goji Wakamatsu

发明人： Yuji YADA ,  Yusuke Anno ,  Tomohiro Kakizawa ,  Masafumi Hori ,  Michihiro Mita ,  Goji Wakamatsu

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08K5/05

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/40

摘要： A resist pattern coating agent includes a hydroxyl group-containing resin and a solvent. The solvent includes an alcohol shown by a following formula (1) in an amount of about 30 mass % or more, R—OH  (1) wherein R represents a branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms. The resist pattern coating agent is used in a resist pattern-forming method. The method includes forming a first resist pattern on a substrate using a first radiation-sensitive resin composition. The first resist pattern is treated with the resist pattern coating agent. A second resist pattern is formed on the substrate treated with the resist pattern coating agent using a second radiation-sensitive resin composition.

摘要翻译： 抗蚀剂图案涂布剂包括含羟基的树脂和溶剂。 溶剂包括由下式（1）表示的醇，其量为约30质量％以上，R-OH（1）其中R表示碳原子数为3〜10的支链烷基。 抗蚀剂图案涂布剂以抗蚀剂图案形成方法使用。 该方法包括使用第一辐射敏感树脂组合物在基底上形成第一抗蚀剂图案。 用抗蚀剂图案涂布剂处理第一抗蚀剂图案。 使用第二辐射敏感性树脂组合物在由抗蚀剂图案涂布剂处理的基材上形成第二抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US08501385B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13005536

申请日：2011-01-13

申请人： Yusuke Anno ,  Kouichi Fujiwara ,  Makoto Sugiura ,  Gouji Wakamatsu

发明人： Yusuke Anno ,  Kouichi Fujiwara ,  Makoto Sugiura ,  Gouji Wakamatsu

IPC分类号： G03C1/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： H01L21/0273 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  C08F220/22

摘要： A positive-tone radiation-sensitive composition is used in a resist pattern-forming method as a first positive-tone radiation-sensitive composition. A positive-tone radiation-sensitive composition includes a polymer, a photoacid generator, and a solvent. The polymer includes an acid-labile group and a crosslinkable group. The resist pattern-forming method includes providing the first positive-tone radiation-sensitive composition on a substrate to form a first resist pattern on the substrate. The first resist pattern is made to be inactive to light or heat so that the first resist pattern is insoluble in a second positive-tone radiation-sensitive composition. The second positive-tone radiation-sensitive composition is provided on the substrate to form a second resist pattern on the substrate on which the first resist pattern is formed.

摘要翻译： 作为第一正色调辐射敏感性组合物的抗蚀剂图案形成方法中使用正性辐射敏感性组合物。 正音辐射敏感组合物包括聚合物，光致酸产生剂和溶剂。 聚合物包括酸不稳定基团和可交联基团。 抗蚀剂图案形成方法包括在基板上提供第一正色散辐射敏感性组合物以在基板上形成第一抗蚀剂图案。 使第一抗蚀剂图案对光或热不起作用，使得第一抗蚀剂图案不溶于第二正色辐射敏感组合物。 第二正色辐射敏感组合物设置在基板上以在其上形成有第一抗蚀剂图案的基板上形成第二抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20120285929A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13466126

申请日：2012-05-08

申请人： Yushi MATSUMURA ,  Shinya Minegishi ,  Satoru Murakami ,  Yusuke Anno ,  Shinya Nakafuji ,  Kazuhiko Komura ,  Kyoyu Yasuda

发明人： Yushi MATSUMURA ,  Shinya Minegishi ,  Satoru Murakami ,  Yusuke Anno ,  Shinya Nakafuji ,  Kazuhiko Komura ,  Kyoyu Yasuda

IPC分类号： B44C1/22 ,  C07D487/04 ,  C07D407/12

CPC分类号： G03F7/027 ,  B44C1/22 ,  C07D407/12 ,  C07D487/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H05K1/00

摘要： Providing a method for forming a pattern capable of forming a resist underlayer film that can be easily removed using an alkali liquid while maintaining etching resistance is objected to. Provided by the present invention is a method for forming a pattern, the method including: (1) forming a resist underlayer film on a substrate using a composition for forming a resist underlayer film containing a compound having an alkali-cleavable functional group; (2) forming a resist pattern on the resist underlayer film; (3) forming a pattern on the substrate by dry etching of the resist underlayer film and the substrate, using the resist pattern as a mask; and (4) removing the resist underlayer film with an alkali liquid.

摘要翻译： 提供一种能够形成能够形成抗蚀剂下层膜的图案的方法，该方法能够在保持耐蚀刻性的同时使用碱液容易地除去。 本发明提供一种形成图案的方法，该方法包括：（1）使用含有具有可碱解官能团的化合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物在基材上形成抗蚀剂下层膜; （2）在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案; （3）使用抗蚀剂图案作为掩模，通过干蚀刻抗蚀剂下层膜和基板在基板上形成图案; 和（4）用碱液除去抗蚀剂下层膜。

公开(公告)号：US20120183908A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13434851

申请日：2012-03-30

申请人： Yusuke ANNO ,  Takashi Mori ,  Hirokazu Sakakibara ,  Taiichi Furukawa ,  Kazunori Takanashi ,  Hiromitsu Tanaka ,  Shin-ya Minegishi

发明人： Yusuke ANNO ,  Takashi Mori ,  Hirokazu Sakakibara ,  Taiichi Furukawa ,  Kazunori Takanashi ,  Hiromitsu Tanaka ,  Shin-ya Minegishi

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/325

摘要： A resist pattern-forming method includes applying a resist underlayer film-forming composition to a substrate to form a resist underlayer film. The resist underlayer film-forming composition includes (A) a polysiloxane. A radiation-sensitive resin composition is applied to the resist underlayer film to form a resist film. The radiation-sensitive resin composition includes (a1) a polymer that changes in polarity and decreases in solubility in an organic solvent due to an acid. The resist film is exposed. The exposed resist film is developed using a developer that includes an organic solvent.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括将抗蚀剂下层膜形成组合物施加到基底上以形成抗蚀剂下层膜。 抗蚀剂下层膜形成组合物包含（A）聚硅氧烷。 将抗辐射敏感树脂组合物施加到抗蚀剂下层膜上以形成抗蚀剂膜。 辐射敏感性树脂组合物包含（a1）由于酸而导致极性变化和在有机溶剂中溶解度降低的聚合物。 抗蚀剂膜被曝光。 使用包含有机溶剂的显影剂显影曝光的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：US20110104612A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US13005536

申请日：2011-01-13

申请人： Yusuke ANNO ,  Kouichi Fujiwara ,  Makoto Sugiura ,  Gouji Wakamatsu

发明人： Yusuke ANNO ,  Kouichi Fujiwara ,  Makoto Sugiura ,  Gouji Wakamatsu

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0273 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  C08F220/34 ,  C08F220/36 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40 ,  C08F220/22

摘要： A positive-tone radiation-sensitive composition is used in a resist pattern-forming method as a first positive-tone radiation-sensitive composition. A positive-tone radiation-sensitive composition includes a polymer, a photoacid generator, and a solvent. The polymer includes an acid-labile group and a crosslinkable group. The resist pattern-forming method includes providing the first positive-tone radiation-sensitive composition on a substrate to form a first resist pattern on the substrate. The first resist pattern is made to be inactive to light or heat so that the first resist pattern is insoluble in a second positive-tone radiation-sensitive composition. The second positive-tone radiation-sensitive composition is provided on the substrate to form a second resist pattern on the substrate on which the first resist pattern is formed.

摘要翻译： 作为第一正色调辐射敏感性组合物的抗蚀剂图案形成方法中使用正性辐射敏感性组合物。 正音辐射敏感组合物包括聚合物，光致酸产生剂和溶剂。 聚合物包括酸不稳定基团和可交联基团。 抗蚀剂图案形成方法包括在基板上提供第一正色散辐射敏感性组合物以在基板上形成第一抗蚀剂图案。 使第一抗蚀剂图案对光或热不起作用，使得第一抗蚀剂图案不溶于第二正色辐射敏感组合物。 第二正色辐射敏感组合物设置在基板上以在其上形成有第一抗蚀剂图案的基板上形成第二抗蚀剂图案。