公开(公告)号：US4062698A

公开(公告)日：1977-12-13

申请号：US738519

申请日：1976-11-03

申请人： A. Eugene Blakeslee ,  Harold John Hovel

发明人： A. Eugene Blakeslee ,  Harold John Hovel

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L31/042 ,  H01L31/052 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/052 ,  Y02E10/50

摘要： Photoelectrical conversion cells may be assembled on an electrically conducting heat sink and each may be electrically isolated therefrom by employing insulating substrate material between the photoresponsive region of each cell and the heat sink.

摘要翻译： 光电转换电池可以组装在导电散热器上，并且每个电池可以通过在每个电池的光响应区域和散热器之间采用绝缘衬底材料与其电隔离。

公开(公告)号：US4278474A

公开(公告)日：1981-07-14

申请号：US133702

申请日：1980-03-25

申请人： A. Eugene Blakeslee ,  Kim W. Mitchell

发明人： A. Eugene Blakeslee ,  Kim W. Mitchell

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L25/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/544

摘要： Electromagnetic energy may be converted directly into electrical energy by a device comprising a sandwich of at least two semiconductor portions, each portion having a p-n junction with a characteristic energy gap, and the portions lattice matched to one another by an intervening superlattice structure. This superlattice acts to block propagation into the next deposited portion of those dislocation defects which can form due to lattice mismatch between adjacent portions.

摘要翻译： 电磁能量可以通过包括至少两个半导体部分的夹层的器件直接转换成电能，每个部分具有具有特征能隙的p-n结，并且通过中间的超晶格结构互相匹配的部分。 该超晶格用于阻止由于相邻部分之间的晶格失配而形成的位错缺陷的下一个沉积部分的传播。

公开(公告)号：US4088515A

公开(公告)日：1978-05-09

申请号：US565298

申请日：1975-04-04

申请人： A. Eugene Blakeslee ,  John W. Matthews

发明人： A. Eugene Blakeslee ,  John W. Matthews

IPC分类号： C30B25/02 ,  C23C16/44 ,  C30B19/10 ,  C30B19/12 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  C30B19/10 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  Y10S148/065 ,  Y10S148/067 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/097 ,  Y10S438/938

摘要： A method of growing superlattice crystals containing alternating layers of two semiconductor materials in which misfit and threading dislocations are eliminated by growing the layers of superlattice crystal to some thickness less than that which will generate new dislocations, and matching the average lattice parameter of the superlattice with that of substrate so misfit dislocations between the superlattice and the substrate are not formed.

摘要翻译： 一种生长超晶格的方法，其包含两个半导体材料的交替层，其中通过将超晶格晶体的层增长到比将产生新位错的厚度更小的厚度来消除错配和穿透位错，并且将超晶格的平均晶格参数与 不会形成衬底，从而不形成超晶格和衬底之间的失配位错。