公开(公告)号：US4062698A

公开(公告)日：1977-12-13

申请号：US738519

申请日：1976-11-03

申请人： A. Eugene Blakeslee ,  Harold John Hovel

发明人： A. Eugene Blakeslee ,  Harold John Hovel

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L31/042 ,  H01L31/052 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/052 ,  Y02E10/50

摘要： Photoelectrical conversion cells may be assembled on an electrically conducting heat sink and each may be electrically isolated therefrom by employing insulating substrate material between the photoresponsive region of each cell and the heat sink.

摘要翻译： 光电转换电池可以组装在导电散热器上，并且每个电池可以通过在每个电池的光响应区域和散热器之间采用绝缘衬底材料与其电隔离。

公开(公告)号：US20120285518A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13103583

申请日：2011-05-09

申请人： Joel P. De Souza ,  Harold John Hovel ,  Daniel Inns ,  Jeehwan Kim ,  Christian Lavoie ,  Devendra K. Sadana ,  Katherine L. Saenger ,  Davood Shahrjerdi ,  Zhen Zhang

发明人： Joel P. De Souza ,  Harold John Hovel ,  Daniel Inns ,  Jeehwan Kim ,  Christian Lavoie ,  Devendra K. Sadana ,  Katherine L. Saenger ,  Davood Shahrjerdi ,  Zhen Zhang

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/07 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A solar cell having n-type and p-type interdigitated back contacts (IBCs), which cover the entire back surface of the absorber layer. The spatial separation of the IBCs is in a direction perpendicular to the back surface, thus providing borderless contacts having a zero-footprint separation. As the contacts are on the back, photons incident on the cell's front surface can be absorbed without any shadowing.

摘要翻译： 一种太阳能电池，其具有覆盖吸收层的整个后表面的n型和p型交叉指接头（IBC）。 IBC的空间分离是在垂直于后表面的方向上，从而提供具有零占位分隔的无边界接触。 随着触点在背面，入射在电池前表面的光子可以被吸收而不会有任何阴影。

公开(公告)号：US20110316343A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13154037

申请日：2011-06-06

申请人： Ranier Krauser ,  Lawrence A. Clevenger ,  Kevin Prettyman ,  Brian Christopher Sapp ,  Kevin S. Petrarca ,  Harold John Hovel ,  Gerd Pfeiffer ,  Zhengwen Li ,  Carl John Radens

发明人： Ranier Krauser ,  Lawrence A. Clevenger ,  Kevin Prettyman ,  Brian Christopher Sapp ,  Kevin S. Petrarca ,  Harold John Hovel ,  Gerd Pfeiffer ,  Zhengwen Li ,  Carl John Radens

IPC分类号： H02J1/00

CPC分类号： H01L31/02021 ,  Y02E10/50 ,  Y10T307/685

摘要： A photovoltaic module (10) comprises a plurality of solar cells (20) interconnected in serial arrays (15). At least some of the solar cells (20) are equipped with control units (30) comprising at least one thermal sensor (42) and one power sensor (43). The control unit (30) comprises means (35) for removing a specific solar cell (20′) from the photovoltaic module (10) network if said solar cell (20′) is found to have reached a predefined level of degradation. In a preferred embodiment, control unit (30) is an ASIC chip (40) in thermal contact with said solar cell (20) and electrically connected to said solar cell (20).

摘要翻译： 光伏模块（10）包括以串联阵列（15）互连的多个太阳能电池（20）。 至少一些太阳能电池（20）装备有包括至少一个热传感器（42）和一个功率传感器（43）的控制单元（30）。 如果发现所述太阳能电池（20'）达到预定水平的降级，则控制单元（30）包括用于从光伏模块（10）网络去除特定太阳能电池（20'）的装置（35）。 在优选实施例中，控制单元（30）是与所述太阳能电池（20）热接触并电连接到所述太阳能电池（20）的ASIC芯片（40）。

公开(公告)号：US08853524B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13253467

申请日：2011-10-05

申请人： Harold John Hovel

发明人： Harold John Hovel

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A solar cell and method of fabrication are disclosed. In one embodiment of the present invention, the method comprises depositing a first doped amorphous silicon layer on a first surface of a silicon substrate, depositing a second doped amorphous silicon layer on the first surface of the silicon substrate. The second doped amorphous silicon layer is doped oppositely from the first doped amorphous silicon layer. An anneal is performed to transform the first doped amorphous silicon layer and second doped amorphous silicon layer to crystalline silicon layers.

摘要翻译： 公开了太阳能电池和制造方法。 在本发明的一个实施例中，该方法包括在硅衬底的第一表面上沉积第一掺杂非晶硅层，在硅衬底的第一表面上沉积第二掺杂非晶硅层。 第二掺杂非晶硅层与第一掺杂非晶硅层相反地掺杂。 执行退火以将第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层转变成晶体硅层。

公开(公告)号：US08129216B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12432293

申请日：2009-04-29

申请人： Hans-Juergen Eickelmann ,  Michael Haag ,  Harold John Hovel ,  Rainer Krause ,  Markus Schmidt ,  Steven Erik Steen

发明人： Hans-Juergen Eickelmann ,  Michael Haag ,  Harold John Hovel ,  Rainer Krause ,  Markus Schmidt ,  Steven Erik Steen

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

摘要： A method of manufacturing a solar cell. The method includes the steps of providing a substrate, applying a first dopant to a first surface, applying a second dopant to a second surface, covering the doped first surface with a hard mask, applying a third dopant to the substrate side, removing the hard mask, applying a pattern of first electrical contacts to the doping pattern, and applying a pattern of second electrical contacts to the doped second surface, the pattern of second electrical contacts and the doping pattern being straight-lined opposed.

摘要翻译： 一种制造太阳能电池的方法。 该方法包括以下步骤：提供衬底，向第一表面施加第一掺杂剂，向第二表面施加第二掺杂剂，用硬掩模覆盖掺杂的第一表面，向衬底侧施加第三掺杂剂，除去硬的 掩模，将第一电触点的图案施加到掺杂图案，以及将第二电触点的图案施加到所述掺杂的第二表面，所述第二电触点的图案和所述掺杂图案是直线对置的。

公开(公告)号：US20100035409A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12186243

申请日：2008-08-05

申请人： Joel P De Souza ,  Harold John Hovel ,  Daniel A. Inns ,  Devendra K. Sadana ,  Ghavam G. Shahidi

发明人： Joel P De Souza ,  Harold John Hovel ,  Daniel A. Inns ,  Devendra K. Sadana ,  Ghavam G. Shahidi

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/3225 ,  H01L21/02032

摘要： A method for improving the minority lifetime of silicon containing wafer having metallic contaminants therein is described incorporating annealing at 1200° C. or greater and providing a gaseous ambient of oxygen, an inert gas and a chlorine containing gas such as HCl.

摘要翻译： 描述了一种用于改善其中具有金属污染物的含硅晶片的少数寿命的方法，其包括在1200℃或更高温度下退火并提供氧气，惰性气体和含氯气体如HCl的气态环境。

公开(公告)号：US08535970B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13154140

申请日：2011-06-06

申请人： Ranier Krauser ,  Lawrence A. Clevenger ,  Kevin Prettyman ,  Brian Christopher Sapp ,  Kevin S. Petrarca ,  Harold John Hovel ,  Gerd Pfeiffer ,  Zhengwen Li ,  Carl John Radens

发明人： Ranier Krauser ,  Lawrence A. Clevenger ,  Kevin Prettyman ,  Brian Christopher Sapp ,  Kevin S. Petrarca ,  Harold John Hovel ,  Gerd Pfeiffer ,  Zhengwen Li ,  Carl John Radens

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The invention relates to a manufacturing process of a photovoltaic solar cell (100) comprising: providing high doped areas (20) on the rear side (18) of the photovoltaic solar cell (100), providing localized metal contacts (30) localized on said high doped areas (20), providing a passivation layer (50) covering a surface (52) between said contacts (30), wherein the contacts (30) remain substantially free of the passivation layer (50), and depositing a metal layer (32) for a back surface field.

摘要翻译： 本发明涉及一种光伏太阳能电池（100）的制造方法，包括：在光伏太阳能电池（100）的后侧（18）上提供高掺杂区域（20），提供位于所述光伏太阳能电池（100）上的局部金属触点（30） 提供覆盖所述触头（30）之间的表面（52）的钝化层（50），其中触点（30）保持基本上不含钝化层（50），并沉积金属层（50） 32）用于背面场。

公开(公告)号：US20130087195A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13253467

申请日：2011-10-05

申请人： Harold John Hovel

发明人： Harold John Hovel

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2257 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A solar cell and method of fabrication are disclosed. In one embodiment of the present invention, the method comprises depositing a first doped amorphous silicon layer on a first surface of a silicon substrate, depositing a second doped amorphous silicon layer on the first surface of the silicon substrate. The second doped amorphous silicon layer is doped oppositely from the first doped amorphous silicon layer. An anneal is performed to transform the first doped amorphous silicon layer and second doped amorphous silicon layer to crystalline silicon layers.

摘要翻译： 公开了太阳能电池和制造方法。 在本发明的一个实施例中，该方法包括在硅衬底的第一表面上沉积第一掺杂非晶硅层，在硅衬底的第一表面上沉积第二掺杂非晶硅层。 第二掺杂非晶硅层与第一掺杂非晶硅层相反地掺杂。 执行退火以将第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层转变成晶体硅层。

公开(公告)号：US20120285517A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13103490

申请日：2011-05-09

申请人： Joel P. de Souza ,  Harold John Hovel ,  Daniel Inns ,  Jeehwan Kim ,  Christian Lavoie ,  Conal Eugene Murray ,  Devendra K. Sadana ,  Katherine L. Saenger ,  Ghavam Shahidi ,  Davood Shahrjerdi ,  Zhen Zhang

发明人： Joel P. de Souza ,  Harold John Hovel ,  Daniel Inns ,  Jeehwan Kim ,  Christian Lavoie ,  Conal Eugene Murray ,  Devendra K. Sadana ,  Katherine L. Saenger ,  Ghavam Shahidi ,  Davood Shahrjerdi ,  Zhen Zhang

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/07 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A Schottky Barrier solar cell having at least one of a low work function region and a high work function region provided on the front or back surface of a lightly-doped absorber material, which may be produced in a variety of different geometries. The method of producing the Schottky Barrier solar cells allows for short processing times and the use of low temperatures.

摘要翻译： 一种肖特基势垒太阳能电池，其具有设置在轻掺杂的吸收材料的前表面或后表面上的低功函数区域和高功函数区域中的至少一个，其可以以各种不同的几何形状生产。 生产肖特基势垒太阳能电池的方法允许短的处理时间和低温的使用。

公开(公告)号：US20110318865A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13154140

申请日：2011-06-06

申请人： Ranier Krauser ,  Lawrence A. Clevenger ,  Kevin Prettyman ,  Brian Christopher Sapp ,  Kevin S. Petrarca ,  Harold John Hovel ,  Gerd Pfeiffer ,  Zhengwen Li ,  Carl John Radens

发明人： Ranier Krauser ,  Lawrence A. Clevenger ,  Kevin Prettyman ,  Brian Christopher Sapp ,  Kevin S. Petrarca ,  Harold John Hovel ,  Gerd Pfeiffer ,  Zhengwen Li ,  Carl John Radens

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The invention relates to a manufacturing process of a photovoltaic solar cell (100) comprising: providing high doped areas (20) on the rear side (18) of the photovoltaic solar cell (100), providing localized metal contacts (30) localized on said high doped areas (20), providing a passivation layer (50) covering a surface (52) between said contacts (30), wherein the contacts (30) remain substantially free of the passivation layer (50), and depositing a metal layer (32) for a back surface field.

摘要翻译： 本发明涉及一种光伏太阳能电池（100）的制造方法，包括：在光伏太阳能电池（100）的后侧（18）上提供高掺杂区域（20），提供位于所述光伏太阳能电池（100）上的局部金属触点（30） 提供覆盖所述触头（30）之间的表面（52）的钝化层（50），其中触点（30）保持基本上不含钝化层（50），并沉积金属层（50） 32）用于背面场。