公开(公告)号：US20050276987A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US11197139

申请日：2005-08-04

申请人： Akira Fujisawa ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Sawada

发明人： Akira Fujisawa ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Sawada

IPC分类号： C03C17/00 ,  C03C17/245 ,  C03C17/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/54 ,  H01L31/18 ,  B32B17/06

CPC分类号： C23C16/407 ,  C03C17/002 ,  C03C17/2453 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/545 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention presents a method for forming a transparent conductive film whose principal component is tin oxide by so-called CVD on a glass ribbon, preventing the generation of giant crystal grains in the tin oxide, while ensuring that the concentration of carbon is low, or in other words, the absorption coefficient at 400 to 550 nm wavelength is low. In accordance with the invention, the method for forming a transparent conductive film whose principal component is tin oxide by CVD on a glass ribbon includes forming the transparent conductive film at a film deposition speed of 3000 to 7000 nm/min using a raw material gas including 0.5 to 2.0 mol % of an organic tin compound.

摘要翻译： 本发明提供了一种通过所谓的CVD在玻璃带上形成主要成分为氧化锡的透明导电膜的方法，防止了氧化锡中的巨晶粒的产生，同时确保碳的浓度低， 或换句话说，波长400〜550nm的吸收系数低。 根据本发明，通过在玻璃带上通过CVD形成主要成分为氧化锡的透明导电膜的方法包括：以3000-7000nm / min的成膜速度形成透明导电膜，该原料气体包括 0.5〜2.0摩尔％的有机锡化合物。

公开(公告)号：US20050121070A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：US10497367

申请日：2002-12-03

申请人： Akira Fujisawa ,  Yukio Sueyoshi ,  Masahiro Hirata ,  Toru Yamamoto ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki

发明人： Akira Fujisawa ,  Yukio Sueyoshi ,  Masahiro Hirata ,  Toru Yamamoto ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki

IPC分类号： C03C17/245 ,  C03C17/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/54 ,  H01L31/18 ,  H01L31/00

CPC分类号： C23C16/407 ,  C03C17/245 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3452 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/241 ,  C03C2218/15 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/545 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention provides a thin film-forming method by which, even when a thin film containing a crystalline metal oxide as the main component is formed over a wide area within a short time utilizing a thermal decomposition method, the thickness of the thin film becomes relatively uniform. A thin film-forming method of the present invention includes forming a thin film using a raw material containing a chloride of a metal, and prior to the forming of the thin film, 1) disposing metal-containing particles on the substrate, or 2) forming, at a film deposition rate slower than a film deposition rate for the thin film, a metal-containing thin film on the substrate, and wherein, in the case of the step 2), the thin film containing the metal oxide as the main component is directly formed on the metal-containing thin film.

摘要翻译： 本发明提供一种薄膜形成方法，即使使用热分解方法，即使在短时间内在广泛的区域上形成含有结晶金属氧化物作为主要成分的薄膜时，薄膜的厚度变为 比较均匀。 本发明的薄膜形成方法包括使用含有金属氯化物的原料形成薄膜，并且在形成薄膜之前，1）在基板上设置含金属的颗粒，或2） 以比薄膜成膜速度慢的成膜速度，在基板上形成含金属的薄膜，其中，在步骤2）的情况下，以金属氧化物为主体的薄膜 组分直接形成在含金属的薄膜上。

公开(公告)号：US20050029613A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10432505

申请日：2001-11-20

申请人： Akira Fujisawa ,  Masatoshi Nara ,  Takahiro Asai ,  Yukio Sueyoshi ,  Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Hiroki Ando

发明人： Akira Fujisawa ,  Masatoshi Nara ,  Takahiro Asai ,  Yukio Sueyoshi ,  Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Hiroki Ando

IPC分类号： B32B7/02 ,  C03C17/34 ,  C23C16/40 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/00 ,  H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/022466 ,  C03C17/3464 ,  C03C17/3482 ,  C03C2217/77 ,  C23C16/407 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24364

摘要： A transparent conductive film wherein the height number distribution of projections present on the surface is expressed by a distribution function of χ2 type having a degree of freedom of 3.5 to 15 when the unit of the horizontal axis is a nanometer, the height/width ratio number distribution is expressed by a distribution function of χ2 type having a degree of freedom of 10-35χ2, the projections having a height of 50-350 nm account for 70% of more, and the projections having a height/width ratio of 0.25-1.02 account for 90% or more.

摘要翻译： 透明导电膜，其中当水平轴的单位为纳米时，存在于表面上的突起的高度数分布由具有3.5至15的自由度的chi 2类型的分布函数表示，高/ 宽度比数分布由具有10-35cm 2的自由度的chi2类型的分布函数表示，高度为50-350nm的突起占70％以上，突起具有 高度/宽度比为0.25-1.02，占90％以上。

公开(公告)号：US08093490B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US10497367

申请日：2002-12-03

申请人： Akira Fujisawa ,  Yukio Sueyoshi ,  Masahiro Hirata ,  Toru Yamamoto ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki

发明人： Akira Fujisawa ,  Yukio Sueyoshi ,  Masahiro Hirata ,  Toru Yamamoto ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： C23C16/407 ,  C03C17/245 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3452 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/241 ,  C03C2218/15 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/545 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention provides a thin film-forming method by which, even when a thin film containing a crystalline metal oxide as the main component is formed over a wide area within a short time utilizing a thermal decomposition method, the thickness of the thin film becomes relatively uniform. A thin film-forming method of the present invention includes forming a thin film using a raw material containing a chloride of a metal, and prior to the forming of the thin film, 1) disposing metal-containing particles on the substrate, or 2) forming, at a film deposition rate slower than a film deposition rate for the thin film, a metal-containing thin film on the substrate, and wherein, in the case of the step 2), the thin film containing the metal oxide as the main component is directly formed on the metal-containing thin film.

摘要翻译： 本发明提供一种薄膜形成方法，即使使用热分解方法，即使在短时间内在广泛的区域上形成含有结晶金属氧化物作为主要成分的薄膜时，薄膜的厚度变为 比较均匀。 本发明的薄膜形成方法包括使用含有金属氯化物的原料形成薄膜，并且在形成薄膜之前，1）在基板上设置含金属的颗粒，或2） 以比薄膜成膜速度慢的成膜速度，在基板上形成含金属的薄膜，其中，在步骤2）的情况下，以金属氧化物为主体的薄膜 组分直接形成在含金属的薄膜上。

公开(公告)号：US20060046026A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11246756

申请日：2005-10-07

申请人： Akira Fujisawa ,  Masatoshi Nara ,  Takahiro Asai ,  Yukio Sueyoshi ,  Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Hiroki Ando

发明人： Akira Fujisawa ,  Masatoshi Nara ,  Takahiro Asai ,  Yukio Sueyoshi ,  Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Hiroki Ando

IPC分类号： B05D3/02 ,  D06N7/00 ,  B32B17/06

CPC分类号： H01L31/022466 ,  C03C17/3464 ,  C03C17/3482 ,  C03C2217/77 ,  C23C16/407 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24364

摘要： A transparent conductive film wherein the height number distribution of projections present on the surface is expressed by a distribution function of X2 type having a degree of freedom of 3.5 to 15 when the unit of the horizontal axis is a nanometer, the height/width ratio number distribution is expressed by a distribution function of X2 type having a degree of freedom of 10-35X2, the projections having a height of 50-350 nm account for 70% of more, and the projections having a height/width ratio of 0.25-1.02 account for 90% or more.

摘要翻译： 透明导电膜，其中存在于表面上的突起的高度数分布由具有3.5至15的自由度的X 2类型的分布函数表示，当水平轴的单位为 纳米，高/宽比数分布由具有10-35×2的自由度的X 2类型的分布函数表示，凸起的高度为 50-350nm占70％以上，高/宽比为0.25-1.02的突起占90％以上。

公开(公告)号：US07332226B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10432505

申请日：2001-11-20

申请人： Akira Fujisawa ,  Masatoshi Nara ,  Takahiro Asai ,  Yukio Sueyoshi ,  Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Hiroki Ando

发明人： Akira Fujisawa ,  Masatoshi Nara ,  Takahiro Asai ,  Yukio Sueyoshi ,  Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Masahiro Hirata ,  Hiroki Ando

IPC分类号： B32B17/06

CPC分类号： H01L31/022466 ,  C03C17/3464 ,  C03C17/3482 ,  C03C2217/77 ,  C23C16/407 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24364

摘要： A transparent conductive film wherein the height number distribution of projections present on the surface is expressed by a distribution function of χ2 type having a degree of freedom of 3.5 to 15 when the unit of the horizontal axis is a nanometer, the height/width ratio number distribution is expressed by a distribution function of χ2 type having a degree of freedom of 10-35χ2, the projections having a height of 50-350 nm account for 70% of more, and the projections having a height/width ratio of 0.25-1.02 account for 90% or more.

摘要翻译： 透明导电膜，其中存在于表面上的突起的高度数分布由水平轴的单位为自由度为3.5至15的奇偶校验类型的分布函数表示， 纳米，高/宽比数分布由具有10-35℃2的自由度的chi <2>类型的分布函数表示，所述突起的高度 50-350nm占70％以上，高/宽比为0.25-1.02的突起占90％以上。

公开(公告)号：US20050266253A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US11197138

申请日：2005-08-04

申请人： Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Akira Fujisawa

发明人： Kiyotaka Ichiki ,  Koichiro Kiyohara ,  Akira Fujisawa

IPC分类号： C23C16/40 ,  C03C17/34 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/04 ,  B32B15/00

CPC分类号： H01L31/0392 ,  C03C17/3411 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3441 ,  C03C2217/77 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention provides a glass sheet with a conductive film, whose haze ratio is increased by use of irregularities of an undercoating film surface. This glass sheet with a conductive film includes an undercoating film including a layer containing a crystalline oxide as a main component and a conductive film containing a crystalline oxide as a main component, which are formed on a glass sheet in this order, and the haze ratio measured in a state in which the conductive film is removed is at least 0.2%.

摘要翻译： 本发明提供一种具有导电膜的玻璃板，其通过使用底涂膜表面的凹凸来增加雾度比。 具有导电膜的玻璃板包括以包含以结晶氧化物为主要成分的层和以结晶氧化物为主要成分的导电膜的底涂膜，其依次形成在玻璃板上，雾度比 在去除导电膜的状态下测量为至少0.2％。

公开(公告)号：US20050144981A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10503201

申请日：2002-01-31

申请人： Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Yamamoto ,  Masato Hyodo ,  Masahiro Hirata

发明人： Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Yamamoto ,  Masato Hyodo ,  Masahiro Hirata

IPC分类号： C03C17/00 ,  C03C17/245 ,  C03C17/34

CPC分类号： C03C17/002 ,  C03C17/007 ,  C03C17/245 ,  C03C17/3411 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/77 ,  C23C16/0272

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a glass sheet with a thin film. In the method, a coating-film forming gas including a chlorine-containing compound is supplied onto a glass containing an alkali component to generate chloride fine particles containing the alkali component while forming a thin film to allow the chloride fine particles to be included in the thin film or to adhere to the surface thereof, and thereby the surface of the thin film is provided with concavities and convexities. The present invention also provides another method of manufacturing a glass sheet with a thin film. In the another method, a coating-film forming gas including a silicon-containing inorganic compound and an organic gas is supplied onto glass to generate silicon-containing fine particles while forming a silicon-containing film and thereby the silicon-containing fine particles are allowed to adhere to the surface of the silicon-containing film.

摘要翻译： 本发明提供了制造具有薄膜的玻璃板的方法。 在该方法中，将含有含氯化合物的涂膜形成气体供给到含有碱成分的玻璃上，生成含有碱成分的氯化物微粒，同时形成薄膜，使氯化物微粒包含在 薄膜或附着于其表面，由此薄膜的表面设置有凹凸。 本发明还提供制造具有薄膜的玻璃板的另一种方法。 在另一种方法中，将包含含硅无机化合物和有机气体的涂膜形成气体供给到玻璃上以产生含硅微粒，同时形成含硅膜，从而允许含硅微粒 以粘附到含硅膜的表面上。

公开(公告)号：US07320827B2

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：US10951038

申请日：2004-09-24

申请人： Akira Fujisawa ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Yamamoto

发明人： Akira Fujisawa ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Yamamoto

IPC分类号： B32B17/06

CPC分类号： C23C16/401 ,  C03C17/007 ,  C03C17/3411 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/42 ,  C03C2217/77 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/407

摘要： The present invention provides a glass substrate including a glass sheet, a thin film containing silica as its main component, and a group of metal oxide particles separated from one another, the metal oxide particles and the thin film being stacked on the glass sheet in that order from the glass sheet side, wherein the average height of the metal oxide particles is 10 to 100 nm. The present invention also provides a method of manufacturing the glass substrate, the method including forming a group of metal oxide particles by a thermal decomposition method including an inorganic metal chloride as a raw material.

摘要翻译： 本发明提供一种玻璃基板，包括玻璃板，以二氧化硅为主要成分的薄膜和彼此分离的一组金属氧化物颗粒，金属氧化物颗粒和薄膜层叠在玻璃板上， 玻璃板侧的顺序为金属氧化物粒子的平均高度为10〜100nm。 本发明还提供一种玻璃基板的制造方法，该方法包括以包含无机金属氯化物为原料的热分解法形成一组金属氧化物粒子。

公开(公告)号：US20050089693A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10951038

申请日：2004-09-24

申请人： Akira Fujisawa ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Yamamoto

发明人： Akira Fujisawa ,  Koichiro Kiyohara ,  Kiyotaka Ichiki ,  Toru Yamamoto

IPC分类号： C03C17/00 ,  C03C17/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C03B18/02 ,  B32B9/04

CPC分类号： C23C16/401 ,  C03C17/007 ,  C03C17/3411 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/42 ,  C03C2217/77 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/407

摘要： The present invention provides a glass substrate including a glass sheet, a thin film containing silica as its main component, and a group of metal oxide particles separated from one another, the metal oxide particles and the thin film being stacked on the glass sheet in that order from the glass sheet side, wherein the average height of the metal oxide particles is 10 to 100 nm. The present invention also provides a method of manufacturing the glass substrate, the method including forming a group of metal oxide particles by a thermal decomposition method including an inorganic metal chloride as a raw material.

摘要翻译： 本发明提供一种玻璃基板，包括玻璃板，以二氧化硅为主要成分的薄膜和彼此分离的一组金属氧化物颗粒，金属氧化物颗粒和薄膜层叠在玻璃板上， 玻璃板侧的顺序为金属氧化物粒子的平均高度为10〜100nm。 本发明还提供一种玻璃基板的制造方法，该方法包括以包含无机金属氯化物为原料的热分解法形成一组金属氧化物粒子。