公开(公告)号：US20080008566A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11822282

申请日：2007-07-03

申请人： Atsushi Endo ,  Yoshiyuki Fujita ,  Shinji Miyazaki

发明人： Atsushi Endo ,  Yoshiyuki Fujita ,  Shinji Miyazaki

IPC分类号： H01L21/67 ,  F27D11/12

CPC分类号： H01L21/67248 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

摘要： A vertical heat processing apparatus for performing a heat process on a plurality of target substrates all together includes a vertical process container configured to accommodate the target substrates and having a transfer port at a bottom; a holder configured to support the target substrates at intervals in a vertical direction inside the process container; and a heater disposed around the process container, and configured to supply heat rays through a sidewall of the process container, so as to heat an interior of the process container. A thermal buffer member is disposed between the heater and a lower end side of the process container to surround the lower end side, and is configured to decrease transmissibility of the lower end side for heat rays between the heater and target substrates inside the process container.

摘要翻译： 一种垂直加热装置，用于对多个目标基板进行热处理，所述垂直加热装置一起包括垂直处理容器，其构造成容纳所述目标基板并且在底部具有转移口; 保持器，被构造成在处理容器内沿垂直方向间隔地支撑目标基板; 以及加热器，其设置在所述处理容器的周围，并且被配置为通过所述处理容器的侧壁提供热射线，以便加热所述处理容器的内部。 加热器和处理容器的下端侧之间设置有热缓冲部件，以包围下端侧，并且构造为降低加工器和加工容器内的目标基板之间的热线的下端侧的透射率。

公开(公告)号：US07575431B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11822282

申请日：2007-07-03

申请人： Atsushi Endo ,  Yoshiyuki Fujita ,  Shinji Miyazaki

发明人： Atsushi Endo ,  Yoshiyuki Fujita ,  Shinji Miyazaki

IPC分类号： F27D1/00

CPC分类号： H01L21/67248 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

摘要： A vertical heat processing apparatus for performing a heat process on a plurality of target substrates all together includes a vertical process container configured to accommodate the target substrates and having a transfer port at a bottom; a holder configured to support the target substrates at intervals in a vertical direction inside the process container; and a heater disposed around the process container, and configured to supply heat rays through a sidewall of the process container, so as to heat an interior of the process container. A thermal buffer member is disposed between the heater and a lower end side of the process container to surround the lower end side, and is configured to decrease transmissibility of the lower end side for heat rays between the heater and target substrates inside the process container.

摘要翻译： 一种垂直加热装置，用于对多个目标基板进行热处理，所述垂直加热装置一起包括垂直处理容器，其构造成容纳所述目标基板并且在底部具有转移口; 保持器，被构造成在处理容器内沿垂直方向间隔地支撑目标基板; 以及加热器，其设置在所述处理容器的周围，并且被配置为通过所述处理容器的侧壁提供热射线，以便加热所述处理容器的内部。 加热器和处理容器的下端侧之间设置有热缓冲部件，以包围下端侧，并且构造为降低加工器和加工容器内的目标基板之间的热线的下端侧的透射率。

公开(公告)号：USD720309S1

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US29420537

申请日：2012-05-10

申请人： Hirofumi Kaneko ,  Atsushi Endo

设计人： Hirofumi Kaneko ,  Atsushi Endo

公开(公告)号：US08900780B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US14236961

申请日：2012-05-15

申请人： Jae-Hyun Kim ,  Kyung-Soo Moon ,  Myoung-Youp Shin ,  Dong-Hoon Won ,  Seung-Hyun Kim ,  Atsushi Endo ,  Hwan-Sung Cheon ,  Gyu-Seok Han

发明人： Jae-Hyun Kim ,  Kyung-Soo Moon ,  Myoung-Youp Shin ,  Dong-Hoon Won ,  Seung-Hyun Kim ,  Atsushi Endo ,  Hwan-Sung Cheon ,  Gyu-Seok Han

IPC分类号： G03F7/004 ,  G02B5/20

CPC分类号： G03F7/027 ,  G02B5/223 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/105

摘要： Disclosed are a photosensitive resin composition for a color filter and a color filter using the same. The photosensitive resin composition for a color filter includes (A) a dye represented by the following Chemical Formula 1, (B) an alkali soluble resin, (C) a photopolymerizable monomer, (D) a photopolymerization initiator, and (E) a solvent.

摘要翻译： 公开了一种用于滤色器的感光性树脂组合物和使用其的滤色器。 用于滤色器的感光性树脂组合物包括（A）由以下化学式1表示的染料，（B）碱溶性树脂，（C）光聚合性单体，（D）光聚合引发剂，（E） 。

公开(公告)号：US20130123519A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13735516

申请日：2013-01-07

申请人： Atsushi Endo ,  Charles E. Chase ,  Francis G. Fang

发明人： Atsushi Endo ,  Charles E. Chase ,  Francis G. Fang

IPC分类号： C07D407/06

CPC分类号： C07F7/1804 ,  C07D307/12 ,  C07D307/38 ,  C07D405/06 ,  C07D405/12 ,  C07D407/06 ,  C07D493/04 ,  Y02P20/55

摘要： In general, the invention features compounds useful for the synthesis of analogs of halichondrin B, such as eribulin or pharmaceutically acceptable salts thereof, e.g., eribulin mesylate. Exemplary compounds are of formula (I), (II), or (III):

公开(公告)号：US20120095242A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13334516

申请日：2011-12-22

申请人： Charles Chase ,  Atsushi Endo ,  Francis G. Fang ,  Jing Li

发明人： Charles Chase ,  Atsushi Endo ,  Francis G. Fang ,  Jing Li

IPC分类号： C07D493/06 ,  C07D493/20 ,  C07D493/04 ,  C07D493/22

CPC分类号： C07D493/20 ,  C07D307/20 ,  C07D307/26 ,  C07D307/28 ,  C07D307/33 ,  C07D309/16 ,  C07D405/06 ,  C07D405/14 ,  C07D493/04 ,  C07D493/08 ,  C07D493/18 ,  C07D493/22 ,  Y02P20/55

摘要： Methods of synthesizing intermediates useful for the synthesis of halichondrin B analogs are described.

摘要翻译： 描述了合成有用于合成软组蛋白B类似物的中间体的方法。

公开(公告)号：US07368384B2

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：US11110931

申请日：2005-04-21

申请人： Atsushi Endo ,  Tomonori Fujiwara ,  Yuichiro Morozumi ,  Katsushige Harada ,  Shigeru Nakajima ,  Dong-Kyun Choi ,  Haruhiko Furuya ,  Kazuo Yabe

发明人： Atsushi Endo ,  Tomonori Fujiwara ,  Yuichiro Morozumi ,  Katsushige Harada ,  Shigeru Nakajima ,  Dong-Kyun Choi ,  Haruhiko Furuya ,  Kazuo Yabe

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/90

摘要： A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes a step of removing a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus. This step is performed while supplying a cleaning gas containing hydrogen fluoride into the reaction chamber, and forming a first atmosphere within the reaction chamber, which allows water to be present as a liquid film.

摘要翻译： 使用半导体工艺的成膜装置的方法包括除去沉积在成膜装置的反应室的内表面上的副产物膜的步骤。 在向反应室供给含有氟化氢的清洁气体的同时进行该步骤，并且在反应室内形成允许水以液膜形式存在的第一气氛。

公开(公告)号：USD567693S1

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US29286358

申请日：2007-05-02

申请人： Kyoji Ichimura ,  Atsushi Endo ,  Kazuharu Seki

设计人： Kyoji Ichimura ,  Atsushi Endo ,  Kazuharu Seki

公开(公告)号：US07156923B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US10986282

申请日：2004-11-12

申请人： Hitoshi Kato ,  Kohei Fukushima ,  Atsushi Endo ,  Tatsuo Nishita ,  Takeshi Kumagai

发明人： Hitoshi Kato ,  Kohei Fukushima ,  Atsushi Endo ,  Tatsuo Nishita ,  Takeshi Kumagai

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3185 ,  Y10S438/905

摘要： A thermal processing system (1) includes a reaction vessel (2) capable of forming a silicon nitride film on semiconductor wafers (10) through interaction between hexachlorodisilane and ammonia, and an exhaust pipe (16) connected to the reaction vessel (2). The reaction vessel 2 is heated at a temperature in the range of 500 to 900° C. and the exhaust pipe (16) is heated at 100° C. before disassembling and cleaning the exhaust pipe 16. Ammonia is supplied through a process gas supply pipe (13) into the reaction vessel (2), and the ammonia is discharged from the reaction vessel (2) into the exhaust pipe (16).

摘要翻译： 热处理系统（1）包括能够通过六氯二硅烷和氨之间的相互作用在半导体晶片（10）上形成氮化硅膜的反应容器（2）和连接到反应容器（2）的排气管（16）。 反应容器2在500-900℃范围内的温度下被加热，排气管（16）在分解和清洁排气管16之前被加热到100℃。 氨通过工艺气体供给管（13）供给到反应容器（2）中，氨从反应容器（2）排出到排气管（16）中。

公开(公告)号：US06830807B2

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10186207

申请日：2002-06-27

申请人： Chiaki Okuyama ,  Atsushi Endo ,  Akira Kikuchi ,  Takashi Gouke ,  Reiko Murao

发明人： Chiaki Okuyama ,  Atsushi Endo ,  Akira Kikuchi ,  Takashi Gouke ,  Reiko Murao

IPC分类号： G11B562

CPC分类号： G11B5/7325 ,  G11B5/656 ,  Y10T428/265

摘要： A magnetic recording medium which is thermally stable and produces low media noise. By providing a plurality of intermediate layers made of a CoCr alloy of which saturation magnetic flux densities are controlled within a predetermined range, the magnetic recording medium simultaneously realizes both a high S/Nm and thermal stability.

摘要翻译： 一种热稳定并产生低介质噪声的磁记录介质。 通过提供由饱和磁通密度控制在预定范围内的CoCr合金制成的多个中间层，磁记录介质同时实现高S / Nm和热稳定性。