公开(公告)号：US20080276860A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11747133

申请日：2007-05-10

申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Jacob Grayson ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington

发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Jacob Grayson ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington

IPC分类号： C30B23/02 ,  C23C16/34

CPC分类号： C23C16/481 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00

摘要： A method and apparatus for hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition is disclosed. In the HVPE process, a hydride gas flows over a metal source to react with the metal source, which then reacts at the surface of a substrate to deposit a metal nitride layer. The metal source comprises gallium, aluminum, and/or indium. The hydride gas is evenly provided over the metal source to increase efficiency of hydride-metal source reaction. An exhaust positioned diametrically across the chamber from the metal source creates a cross flow of the hydride-metal source product and nitrogen precursor across the chamber tangential to the substrate. A purge gas flowing perpendicular to the cross flow directs the hydride-metal source product and nitrogen precursor to remain as close to the substrate as possible.

摘要翻译： 公开了一种用于氢化物气相外延（HVPE）沉积的方法和装置。 在HVPE工艺中，氢化物气体流过金属源以与金属源反应，金属源然后在衬底的表面反应以沉积金属氮化物层。 金属源包括镓，铝和/或铟。 氢化物气体均匀地设置在金属源上，以提高氢化物 - 金属源反应的效率。 从金属源沿直径方向跨过腔室排出的排气物产生与衬底相切的跨过腔室的氢化物 - 金属源产物和氮前体的交叉流。 垂直于交叉流动流动的净化气体引导氢化物 - 金属源产物和氮前体尽可能靠近基底。

公开(公告)号：US20110121503A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12850738

申请日：2010-08-05

申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

IPC分类号： B23Q3/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for chemical vapor deposition (CVD) on a substrate, and, in particular, to a process chamber and components for use in metal organic chemical vapor deposition. The apparatus comprises a chamber body defining a process volume. A showerhead in a first plane defines a top portion of the process volume. A carrier plate extends across the process volume in a second plane forming an upper process volume between the showerhead and the susceptor plate. A transparent material in a third plane defines a bottom portion of the process volume forming a lower process volume between the carrier plate and the transparent material. A plurality of lamps forms one or more zones located below the transparent material. The apparatus provides uniform precursor flow and mixing while maintaining a uniform temperature over larger substrates thus yielding a corresponding increase in throughput.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于基板上的化学气相沉积（CVD）的方法和装置，特别涉及用于金属有机化学气相沉积中的处理室和组件。 该装置包括限定处理量的室主体。 第一平面中的喷头定义了处理量的顶部。 载体板在第二平面中延伸过程体积，形成在喷头和基座板之间的上过程体积。 在第三平面中的透明材料限定了处理体积的底部，其在承载板和透明材料之间形成较低的处理体积。 多个灯形成位于透明材料下方的一个或多个区域。 该装置提供均匀的前体流动和混合，同时在较大的底物上保持均匀的温度，从而产生相应的生产量的增加。

公开(公告)号：US20090194026A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12023572

申请日：2008-01-31

申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Lori D. Washington ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Anthony F. White ,  Roger N. Anderson ,  Sandeep Nijhawan ,  Joshua J. Podesta ,  Alexander Tam

发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Lori D. Washington ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Anthony F. White ,  Roger N. Anderson ,  Sandeep Nijhawan ,  Joshua J. Podesta ,  Alexander Tam

IPC分类号： C23C16/54

CPC分类号： C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： One embodiment of a processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices comprises one or more processing chamber operable with form a compound nitride semiconductor layer on a substrate, a transfer chamber coupled with the processing chamber, a loadlock chamber coupled with the transfer chamber, and a load station coupled with the loadlock chamber, wherein the load station comprises a conveyor tray movable to convey a carrier plate loaded with one or more substrates into the loadlock chamber. Compared to a single chamber reactor, the multi-chamber processing system expands the potential complexity and variety of compound structures. Additionally, the system can achieve higher quality and yield by specialization of individual chambers for specific epitaxial growth processes. Throughput is increased by simultaneous processing in multiple chambers.

摘要翻译： 用于制造复合氮化物半导体器件的处理系统的一个实施例包括可在衬底上形成复合氮化物半导体层的可操作的一个或多个处理室，与处理室耦合的传送室，与传送室耦合的负载锁定室，以及 加载站与负载锁定室耦合，其中装载站包括可移动以将装载有一个或多个基板的承载板输送到负载锁定室中的输送器托盘。 与单室反应器相比，多室处理系统扩大了复合结构的潜在复杂性和多样性。 此外，该系统可以通过专用于特定外延生长工艺的各个室来实现更高的质量和产量。 通过在多个室中同时处理来提高吞吐量。

公开(公告)号：US20080314317A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11925630

申请日：2007-10-26

申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan ,  Ronald Stevens ,  Sumedh Acharya

发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Olga Kryliouk ,  Yuriy Melnik ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan ,  Ronald Stevens ,  Sumedh Acharya

IPC分类号： C23C16/455 ,  G05D23/00

CPC分类号： C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  G05D23/22 ,  G05D23/27

摘要： A method and apparatus that may be utilized in deposition processes, such as hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition of metal nitride films, are provided. A first set of passages may introduce a metal containing precursor gas. A second set of passages may provide a nitrogen-containing precursor gas. The first and second sets of passages may be interspersed in an effort to separate the metal containing precursor gas and nitrogen-containing precursor gas until they reach a substrate. An inert gas may also be flowed down through the passages to help keep separation and limit reaction at or near the passages, thereby preventing unwanted deposition on the passages.

摘要翻译： 提供了可用于沉积工艺的方法和装置，例如金属氮化物膜的氢化物气相外延（HVPE）沉积。 第一组通道可以引入含金属的前体气体。 第二组通道可以提供含氮前体气体。 第一组和第二组通道可以散布，以分离含金属的前体气体和含氮前体气体，直到它们到达基底。 惰性气体也可以通过通道向下流动，以帮助保持分离并限制通道处或附近的反应，从而防止通道上的不希望的沉积。

公开(公告)号：US20080017117A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11458167

申请日：2006-07-18

申请人： JEFFREY CAMPBELL ,  BRIAN H. BURROWS

发明人： JEFFREY CAMPBELL ,  BRIAN H. BURROWS

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/68 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

摘要： Methods for positioning a substrate support within a processing chamber are provided. In one embodiment, a method for adjusting the orientation of a substrate support within a processing chamber using a mounting assembly is provided. The mounting assembly includes an upper portion coupled to the processing chamber and a lower portion coupled to the upper portion. The method includes adjusting a lateral position of a collar of the second portion relative to the first portion, and adjusting a planar orientation of the lower housing of the second portion relative to the first portion.

摘要翻译： 提供了将基板支撑件定位在处理室内的方法。 在一个实施例中，提供了一种使用安装组件来调整处理室内的衬底支撑件的取向的方法。 安装组件包括联接到处理室的上部和联接到上部的下部。 该方法包括调节第二部分相对于第一部分的轴环的横向位置，以及调节第二部分的下壳体相对于第一部分的平面取向。