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    CVD APPARATUS
    1.
    发明申请
    CVD APPARATUS 审中-公开
    CVD装置

    公开(公告)号：US20090194024A1

    公开(公告)日：2009-08-06

    申请号：US12023520

    申请日：2008-01-31

    申请人： Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    发明人： Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/46

    CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for chemical vapor deposition (CVD) on a substrate, and, in particular, to a process chamber and components for use in metal organic chemical vapor deposition. The apparatus comprises a chamber body defining a process volume. A showerhead in a first plane defines a top portion of the process volume. A carrier plate extends across the process volume in a second plane forming an upper process volume between the showerhead and the susceptor plate. A transparent material in a third plane defines a bottom portion of the process volume forming a lower process volume between the carrier plate and the transparent material. A plurality of lamps forms one or more zones located below the transparent material. The apparatus provides uniform precursor flow and mixing while maintaining a uniform temperature over larger substrates thus yielding a corresponding increase in throughput.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于基板上的化学气相沉积（CVD）的方法和装置，特别涉及用于金属有机化学气相沉积中的处理室和组件。 该装置包括限定处理量的室主体。 第一平面中的喷头定义了处理量的顶部。 载体板在第二平面中延伸过程体积，形成在喷头和基座板之间的上过程体积。 在第三平面中的透明材料限定了处理体积的底部，其在承载板和透明材料之间形成较低的处理体积。 多个灯形成位于透明材料下方的一个或多个区域。 该装置提供均匀的前体流动和混合，同时在较大的底物上保持均匀的温度，从而产生相应的生产量的增加。

    CVD APPARATUS
    2.
    发明申请
    CVD APPARATUS 审中-公开
    CVD装置

    公开(公告)号：US20110121503A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12850738

    申请日：2010-08-05

    申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    IPC分类号： B23Q3/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for chemical vapor deposition (CVD) on a substrate, and, in particular, to a process chamber and components for use in metal organic chemical vapor deposition. The apparatus comprises a chamber body defining a process volume. A showerhead in a first plane defines a top portion of the process volume. A carrier plate extends across the process volume in a second plane forming an upper process volume between the showerhead and the susceptor plate. A transparent material in a third plane defines a bottom portion of the process volume forming a lower process volume between the carrier plate and the transparent material. A plurality of lamps forms one or more zones located below the transparent material. The apparatus provides uniform precursor flow and mixing while maintaining a uniform temperature over larger substrates thus yielding a corresponding increase in throughput.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于基板上的化学气相沉积（CVD）的方法和装置，特别涉及用于金属有机化学气相沉积中的处理室和组件。 该装置包括限定处理量的室主体。 第一平面中的喷头定义了处理量的顶部。 载体板在第二平面中延伸过程体积，形成在喷头和基座板之间的上过程体积。 在第三平面中的透明材料限定了处理体积的底部，其在承载板和透明材料之间形成较低的处理体积。 多个灯形成位于透明材料下方的一个或多个区域。 该装置提供均匀的前体流动和混合，同时在较大的底物上保持均匀的温度，从而产生相应的生产量的增加。

    CROSS FLOW APPARATUS AND METHOD FOR HYDRIDE VAPOR PHASE DEPOSITION
    7.
    发明申请
    CROSS FLOW APPARATUS AND METHOD FOR HYDRIDE VAPOR PHASE DEPOSITION 审中-公开
    交叉流动装置和液体蒸气相沉积方法

    公开(公告)号：US20080276860A1

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：US11747133

    申请日：2007-05-10

    申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Jacob Grayson ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington

    发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Jacob Grayson ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington

    IPC分类号： C30B23/02 ,  C23C16/34

    CPC分类号： C23C16/481 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00

    摘要： A method and apparatus for hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition is disclosed. In the HVPE process, a hydride gas flows over a metal source to react with the metal source, which then reacts at the surface of a substrate to deposit a metal nitride layer. The metal source comprises gallium, aluminum, and/or indium. The hydride gas is evenly provided over the metal source to increase efficiency of hydride-metal source reaction. An exhaust positioned diametrically across the chamber from the metal source creates a cross flow of the hydride-metal source product and nitrogen precursor across the chamber tangential to the substrate. A purge gas flowing perpendicular to the cross flow directs the hydride-metal source product and nitrogen precursor to remain as close to the substrate as possible.

    摘要翻译： 公开了一种用于氢化物气相外延（HVPE）沉积的方法和装置。 在HVPE工艺中，氢化物气体流过金属源以与金属源反应，金属源然后在衬底的表面反应以沉积金属氮化物层。 金属源包括镓，铝和/或铟。 氢化物气体均匀地设置在金属源上，以提高氢化物 - 金属源反应的效率。 从金属源沿直径方向跨过腔室排出的排气物产生与衬底相切的跨过腔室的氢化物 - 金属源产物和氮前体的交叉流。 垂直于交叉流动流动的净化气体引导氢化物 - 金属源产物和氮前体尽可能靠近基底。