公开(公告)号：US5105761A

公开(公告)日：1992-04-21

申请号：US597812

申请日：1990-10-15

申请人： Barbara Charlet ,  Louise Peccoud ,  Thierry Sindzingre

发明人： Barbara Charlet ,  Louise Peccoud ,  Thierry Sindzingre

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32357

摘要： The apparatus comprises a tight treatment enclosure (10), means (20,22) for the axial production of a carrier gas plasma, a solid plate (30) serving as an obstacle to the plasma and located perpendicular to the enclosure axis and downstream of the plasma production means, plasma diffusion means (40) located downstream of the obstacle plate, several non-ionized vector gas supply tubes (50) issuing axially into the enclosure beneath the diffusion means and all located in the same plane around the enclosure axis, a substrate carrier (56) positioned downstream of the vector gas supply tubes and perpendicular to the axis and annular pumping means (66,16) for the gaseous medium contained in the enclosure and positioned downstream of the substrate carrier.

摘要翻译： 该设备包括紧密处理的外壳（10），用于轴向产生载气等离子体的装置（20,22），用作等离子体的障碍物并且垂直于外壳轴线定位的固体板（30） 等离子体生产装置，位于障碍板下游的等离子体扩散装置（40），几个非离子化的矢量气体供应管（50），其轴向地发射到扩散装置下方的壳体中，并且都围绕围绕轴线位于同一平面中， 位于所述向量气体供应管的下游并且垂直于所述轴线的衬底载体（56）和用于所述封装中并且位于所述衬底载体的下游的气态介质的环形泵送装置（66,16）。

公开(公告)号：US5047115A

公开(公告)日：1991-09-10

申请号：US439392

申请日：1989-11-15

申请人： Barbara Charlet ,  Louise Peccoud

发明人： Barbara Charlet ,  Louise Peccoud

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/517 ,  C23F4/00 ,  G11B5/31 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/517 ,  C23F4/00 ,  G11B5/3163 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/3065

摘要： The invention relates to a process for etching a substrate with the aid of a gas plasma produced either by ultra-high frequency waves, or by ultra-high frequency and radio-frequency waves.In this process, the gaseous medium used for the formation of the plasma comprises at least one non-carbon-containing fluorinating gas such as SF.sub.6, at least one rare gas such as Ar and at least one non-carbon-containing oxidizing gas such as oxygen, as well as optionally another gas such as nitrogen.The invention is more particularly usable in the microelectronics field.

摘要翻译： PCT No.PCT / FR88 / 00272 Sec。 371日期：一九八九年十一月十五日 102（e）日期1989年11月15日PCT提交1988年5月31日PCT Pub。 第WO88 / 09830号公报 日期：1988年12月15日。本发明涉及借助于由超高频或超高频和高频波产生的气体等离子体蚀刻衬底的方法。 在该方法中，用于形成等离子体的气体介质包括至少一种非碳的氟化气体，例如SF 6，至少一种稀有气体如Ar和至少一种非碳氧化气体，例如 氧，以及任选的另一种气体如氮气。 本发明在微电子领域更具体地使用。

公开(公告)号：US4124474A

公开(公告)日：1978-11-07

申请号：US848133

申请日：1977-11-03

申请人： Guillermo Bomchil ,  Francois Buiguez ,  Sylvie Galzin ,  Alain Monfret ,  Louise Peccoud

发明人： Guillermo Bomchil ,  Francois Buiguez ,  Sylvie Galzin ,  Alain Monfret ,  Louise Peccoud

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/54 ,  C23C15/00

CPC分类号： C23C14/0042 ,  C23C14/544

摘要： The method consists in establishing the ion bombardment parameters, in varying a regulation parameter in order to initiate deposition, in measuring at each instant the total pressure drop within the vacuum chamber with respect to the initial pressure and in controlling the total pressure drop by controllably varying the regulation parameter.

摘要翻译： 该方法包括建立离子轰击参数，改变调节参数以引发沉积，在每一时刻测量真空室内相对于初始压力的总压降，并通过可控地变化来控制总压降 调节参数。

公开(公告)号：US4990859A

公开(公告)日：1991-02-05

申请号：US370608

申请日：1989-06-23

申请人： Bernard Bouyer ,  Bernard Andries ,  Guillaume Ravel ,  Louise Peccoud

发明人： Bernard Bouyer ,  Bernard Andries ,  Guillaume Ravel ,  Louise Peccoud

IPC分类号： G01R27/02 ,  C23F4/00 ,  G01R27/22 ,  G01R27/32

CPC分类号： G01R27/32 ,  G01R27/22

摘要： A method and apparatus for determining the impedance of the discharge in a plasma reactor system comprising a tuning box having variable capacitors is described. The impedance of the discharge is determined in dependence on a pre-established relationship between the operational positions of the variable capacitors on the one hand and the impedance of the discharge on the other. The ionic current relative to the discharge in the reactor also may be determined by taking into account the high frequency voltage of the reactor.

摘要翻译： 描述了一种用于确定包括具有可变电容器的调谐盒的等离子体反应器系统中的放电阻抗的方法和装置。 放电的阻抗根据一方面可变电容器的操作位置与另一方面的放电阻抗之间的预先建立的关系来确定。 相对于反应器中的放电的离子电流也可以通过考虑反应器的高频电压来确定。

公开(公告)号：US4491496A

公开(公告)日：1985-01-01

申请号：US568099

申请日：1984-01-04

申请人： Philippe Laporte ,  Louise Peccoud

发明人： Philippe Laporte ,  Louise Peccoud

IPC分类号： C23C4/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/509 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32 ,  H01L21/30 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01J37/32495 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/5096 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  H01J37/16 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3341 ,  Y10S156/914

摘要： Enclosure for the treatment of substrates by the reactive plasma method, consisting in a known manner of an inlet and an outlet (12) for the circulation of a reactive gas at low pressure, a base supporting the substrate (10) to be treated being placed between two electrodes, one of which (3) is at the ground potential and the other (4) or radio-frequency electrode is brought to an alternative potential such as to create an electrical discharge in the enclosure. It is characterized in that the enclosure is metallic and lined by plasma torch spraying with a protective coating (2) of alumina (Al.sub.2 0.sub.3) of a thickness of about 300 micrometers.

摘要翻译： 用于通过反应性等离子体法处理衬底的外壳，其以已知方式组成，用于在低压下循环反应性气体的入口和出口（12），支撑待处理衬底（10）的基底 在两个电极之间，其中一个（3）处于地电位，而另一个（4）或射频电极被置于另一电位，以便在外壳中产生放电。 其特征在于，外壳是金属的，并且通过等离子体喷枪喷涂具有约300微米厚度的氧化铝（Al 2 O 3）的保护涂层（2）。