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    Methods of Compensating Lens Heating, Lithographic Projection System and Photo Mask
    1.
    发明申请
    Methods of Compensating Lens Heating, Lithographic Projection System and Photo Mask 有权
    补偿透镜加热，平版印刷系统和照相面膜的方法

    公开(公告)号：US20090244502A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：US12056060

    申请日：2008-03-26

    申请人： Bernd Kuechler ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders

    发明人： Bernd Kuechler ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders

    IPC分类号： G03B27/52 ,  G03F7/26 ,  G03F1/14

    CPC分类号： G03F7/70891 ,  G03F1/36 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70433

    摘要： Embodiments relate to compensating for lens heating, lithographic projection system and photo mask. Accordingly, lens heating is compensated by providing a layout pattern including a regular pattern being arranged substantially symmetrical in a first region and a sub-resolution pattern including a plurality of sub-resolution structural elements, wherein the sub-resolution pattern in a second region, so as to minimize non-homogenous lens heating of a projection apparatus in case of a lithographic projection.

    摘要翻译： 实施例涉及补偿透镜加热，光刻投影系统和光掩模。 因此，通过提供包括在第一区域中基本对称布置的规则图案和包括多个子分辨率结构元件的子分辨率图案的布局图案来补偿透镜加热，其中在第二区域中的子分辨率图案， 以便在光刻投影的情况下使投影装置的非均匀透镜加热最小化。

    Methods of compensating lens heating, lithographic projection system and photo mask
    3.
    发明授权
    Methods of compensating lens heating, lithographic projection system and photo mask 有权
    补偿透镜加热，光刻投影系统和光罩的方法

    公开(公告)号：US07855776B2

    公开(公告)日：2010-12-21

    申请号：US12056060

    申请日：2008-03-26

    申请人： Bernd Kuechler ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders

    发明人： Bernd Kuechler ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders

    IPC分类号： G03B27/68

    CPC分类号： G03F7/70891 ,  G03F1/36 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70433

    摘要： Embodiments relate to compensating for lens heating, lithographic projection system and photo mask. Accordingly, lens heating is compensated by providing a layout pattern including a regular pattern being arranged substantially symmetrical in a first region and a sub-resolution pattern including a plurality of sub-resolution structural elements, wherein the sub-resolution pattern in a second region, so as to minimize non-homogenous lens heating of a projection apparatus in case of a lithographic projection.

    摘要翻译： 实施例涉及补偿透镜加热，光刻投影系统和光掩模。 因此，通过提供包括在第一区域中基本对称布置的规则图案和包括多个子分辨率结构元件的子分辨率图案的布局图案来补偿透镜加热，其中在第二区域中的子分辨率图案， 以便在光刻投影的情况下使投影装置的非均匀透镜加热最小化。

    Apparatus for projecting a pattern into an image plane
    4.
    发明申请
    Apparatus for projecting a pattern into an image plane 有权
    用于将图案投影到图像平面中的装置

    公开(公告)号：US20060181691A1

    公开(公告)日：2006-08-17

    申请号：US11339844

    申请日：2006-01-26

    申请人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

    发明人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

    IPC分类号： G03B27/54

    CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70125

    摘要： An improvement of the imaging quality with simultaneous transfer of line-space gratings and peripheral structures including a MUX space is achieved using a quadrupole illumination whose poles are formed in elongate fashion and whose longitudinal axes are arranged perpendicular to the orientation of the lines of the line-space grating arranged on a mask. The structure imaging of the line-space grating is improved with regard to contrast, MEEF, and process window, while the geometrical fidelity of the peripheral structure, in particular of the MUX space, is stabilized over a wide depth of field range.

    摘要翻译： 通过同时传输线间隔光栅和包括MUX空间的外围结构，可以实现成像质量的提高，其使用四极照明，其极以细长形式形成，其纵轴垂直于线的线的方向排列 光栅布置在掩模上。 相对于对比度，MEEF和处理窗口，线空间光栅的结构成像得到改善，而外围结构（特别是MUX空间）的几何保真度在宽的景深范围内是稳定的。

    Apparatus for projecting a pattern into an image plane
    5.
    发明授权
    Apparatus for projecting a pattern into an image plane 有权
    用于将图案投影到图像平面中的装置

    公开(公告)号：US07339652B2

    公开(公告)日：2008-03-04

    申请号：US11339844

    申请日：2006-01-26

    申请人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

    发明人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

    IPC分类号： G03B27/54 ,  G03B27/72 ,  G03B27/42

    CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70125

    摘要： An improvement of the imaging quality with simultaneous transfer of line-space gratings and peripheral structures including a MUX space is achieved using a quadrupole illumination whose poles are formed in elongate fashion and whose longitudinal axes are arranged perpendicular to the orientation of the lines of the line-space grating arranged on a mask. The structure imaging of the line-space grating is improved with regard to contrast, MEEF, and process window, while the geometrical fidelity of the peripheral structure, in particular of the MUX space, is stabilized over a wide depth of field range.

    摘要翻译： 通过同时传输线间隔光栅和包括MUX空间的外围结构，可以实现成像质量的提高，其使用四极照明，其极以细长形式形成，其纵轴垂直于线的线的方向排列 光栅布置在掩模上。 相对于对比度，MEEF和处理窗口，线空间光栅的结构成像得到改善，而外围结构（特别是MUX空间）的几何保真度在宽的景深范围内是稳定的。

    Method and system for photolithography
    6.
    发明申请
    Method and system for photolithography 审中-公开
    光刻方法和系统

    公开(公告)号：US20070009816A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：US11455286

    申请日：2006-06-16

    申请人： Rainer Pforr ,  Mario Hennig ,  Jens Reichelt ,  Thomas Muelders

    发明人： Rainer Pforr ,  Mario Hennig ,  Jens Reichelt ,  Thomas Muelders

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G02B5/205 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/70625

    摘要： A transparent optical element in a region between a photo mask and a light source of a photolithographic apparatus is provided having a plurality of attenuating elements being arranged in accordance with a first intensity correction function. The first intensity correction function is calculated from variations of characteristic feature size of structural elements of a resist pattern as compared to the nominal values of structural elements of a layout pattern. The variations of the characteristic feature size are divided into a first contribution being associated with the photolithographic apparatus and into a second contribution being associated with the photo mask.

    摘要翻译： 提供了一种在光刻设备的光掩模和光源之间的区域中的透明光学元件，其具有根据第一强度校正功能布置的多个衰减元件。 与布局图案的结构元件的标称值相比，第一强度校正功能是根据抗蚀剂图案的结构元件的特征特征尺寸的变化计算的。 特征特征尺寸的变化被分为与光刻设备相关联的第一贡献和与光掩模相关联的第二贡献。

    Lithographic mask and method of forming a lithographic mask
    7.
    发明授权
    Lithographic mask and method of forming a lithographic mask 有权
    平版印刷掩模和形成光刻掩模的方法

    公开(公告)号：US08293431B2

    公开(公告)日：2012-10-23

    申请号：US12761876

    申请日：2010-04-16

    申请人： Haiko Rolff ,  Carla Byloos ,  Christoph Noelscher ,  Nicolo Morgana ,  Roderick Koehle ,  Molela Moukara ,  Ralf Neubauer ,  Rainer Pforr ,  Dominique Savignac

    发明人： Haiko Rolff ,  Carla Byloos ,  Christoph Noelscher ,  Nicolo Morgana ,  Roderick Koehle ,  Molela Moukara ,  Ralf Neubauer ,  Rainer Pforr ,  Dominique Savignac

    IPC分类号： G03F1/40

    CPC分类号： G03F1/40 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32

    摘要： A lithographic mask comprises a first layer including grooves, a second layer including regions, sections and a groove-like structure that encloses the sections. The first and second layers are formed so as to reduce electrical potential differences within the second layer. A method of forming a lithographic mask includes forming first and second layers to dispose the second layer over the first layer, patterning the second layer to comprise sections, a region, and a groove-like structure enclosing the sections, and forming grooves in the first layer at portions not covered by the second layer. The first and second layers are formed to reduce potential differences within the second layers during the step of forming the grooves in the first layer.

    摘要翻译： 平版印刷掩模包括包括凹槽的第一层，包含区域的第二层和包围区段的凹槽状结构。 形成第一层和第二层以便减小第二层内的电位差。 形成光刻掩模的方法包括形成第一层和第二层以将第二层设置在第一层上，将第二层图案化以包括封闭这些区段的区段，区域和沟槽状结构，以及在第一层中形成凹槽 层在未被第二层覆盖的部分。 形成第一层和第二层，以在形成第一层中的槽的步骤期间减小第二层内的电位差。

    Method for producing a mask for the lithographic projection of a pattern onto a substrate
    8.
    发明授权
    Method for producing a mask for the lithographic projection of a pattern onto a substrate 失效
    用于制造用于将图案的光刻投影到基板上的掩模的方法

    公开(公告)号：US07644389B2

    公开(公告)日：2010-01-05

    申请号：US11668565

    申请日：2007-01-30

    申请人： Mario Hennig ,  Rainer Pforr ,  Gerd Unger

    发明人： Mario Hennig ,  Rainer Pforr ,  Gerd Unger

    IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03F7/70191 ,  G03F1/00

    摘要： A layout is decomposed into partial patterns. An intermediate mask is drawn for each of the partial patterns. The intermediate masks are used in a mask stepper or scanner progressively for projection again into a common pattern on a test mask. A line width distribution LB(x,y) is determined from the test mask or from a test wafer exposed using the mask, and is converted into a distribution of dose corrections. The transmission T(x,y) of the respective intermediate masks is adapted based upon the calculated dose correction. This can be achieved using additional optical elements which are assigned to the intermediate masks and have shading structure elements, or by laser-induced rear-side introduction of shading elements in the quartz substrate of the intermediate masks themselves.

    摘要翻译： 布局被分解为部分图案。 为每个部分图案绘制中间掩模。 中间掩模在掩模步进器或扫描仪中逐渐用于投影到测试掩模上的共同图案中。 从测试掩模或使用掩模曝光的测试晶片确定线宽度分布LB（x，y），并将其转换成剂量校正的分布。 基于所计算的剂量校正来适应各个中间掩模的传输T（x，y）。 这可以使用分配给中间掩模并具有阴影结构元件的附加光学元件，或者通过激光引起的中间掩模本身的石英衬底中的遮光元件的后侧引入来实现。