利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

162 条记录 (耗时 0.029 秒)

    Dual-gate normally-off nitride transistors
    1.
    发明授权
    Dual-gate normally-off nitride transistors 有权
    双栅极常关氮化物晶体管

    公开(公告)号：US08587031B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US13557414

    申请日：2012-07-25

    申请人： Bin Lu ,  Tomas Palacios

    发明人： Bin Lu ,  Tomas Palacios

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236

    摘要： A dual-gate normally-off nitride transistor that includes a first gate structure formed between a source electrode and a drain electrode for controlling a normally-off channel region of the dual-gate normally-off nitride transistor. A second gate structure is formed between the first gate structure and the drain electrode for modulating a normally-on channel region underneath the second gate structure. The magnitude of the threshold voltage of the second gate structure is smaller than the drain breakdown of the first gate structure for proper operation of the dual-gate normally-off nitride transistor.

    摘要翻译： 一种双栅极常关氮化物晶体管，其包括形成在源电极和漏电极之间的第一栅极结构，用于控制双栅极正常氮化物晶体管的常关沟道区。 在第一栅极结构和漏极之间形成第二栅极结构，用于调制在第二栅极结构下方的常导通道区域。 第二栅极结构的阈值电压的幅度小于用于双栅极常关氮化物晶体管的正常工作的第一栅极结构的漏极击穿。

    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND RECESS FORMATION ETCH TECHNIQUE
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND RECESS FORMATION ETCH TECHNIQUE 有权
    半导体结构和记忆形成蚀刻技术

    公开(公告)号：US20160064539A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：US14442546

    申请日：2013-11-15

    申请人： Bin Lu ,  Min Sun ,  Tomas Palacios

    发明人： Bin Lu ,  Min Sun ,  Tomas Palacios

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L21/306 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

    摘要： A semiconductor structure has a first layer that includes a first semiconductor material and a second layer that includes a second semiconductor material. The first semiconductor material is selectively etchable over the second semiconductor material using a first etching process. The first layer is disposed over the second layer. A recess is disposed at least in the first layer. Also described is a method of forming a semiconductor structure that includes a recess. The method includes etching a region in a first layer using a first etching process. The first layer includes a first semiconductor material. The first etching process stops at a second layer beneath the first layer. The second layer includes a second semiconductor material.

    摘要翻译： 半导体结构具有包括第一半导体材料的第一层和包括第二半导体材料的第二层。 第一半导体材料可以使用第一蚀刻工艺在第二半导体材料上选择性地蚀刻。 第一层设置在第二层上。 凹部至少设置在第一层中。 还描述了形成包括凹部的半导体结构的方法。 该方法包括使用第一蚀刻工艺蚀刻第一层中的区域。 第一层包括第一半导体材料。 第一蚀刻工艺在第一层下面的第二层停止。 第二层包括第二半导体材料。

    DUAL-GATE NORMALLY-OFF NITRIDE TRANSISTORS
    3.
    发明申请
    DUAL-GATE NORMALLY-OFF NITRIDE TRANSISTORS 有权
    双栅极正极氮化物晶体管

    公开(公告)号：US20130020614A1

    公开(公告)日：2013-01-24

    申请号：US13557414

    申请日：2012-07-25

    申请人： Bin Lu ,  Tomas Palacios

    发明人： Bin Lu ,  Tomas Palacios

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236

    摘要： A dual-gate normally-off nitride transistor that includes a first gate structure formed between a source electrode and a drain electrode for controlling a normally-off channel region of the dual-gate normally-off nitride transistor. A second gate structure is formed between the first gate structure and the drain electrode for modulating a normally-on channel region underneath the second gate structure. The magnitude of the threshold voltage of the second gate structure is smaller than the drain breakdown of the first gate structure for proper operation of the dual-gate normally-off nitride transistor.

    摘要翻译： 一种双栅极常关氮化物晶体管，其包括形成在源电极和漏电极之间的第一栅极结构，用于控制双栅极正常氮化物晶体管的常关沟道区。 在第一栅极结构和漏极之间形成第二栅极结构，用于调制在第二栅极结构下方的常导通道区域。 第二栅极结构的阈值电压的幅度小于用于双栅极常关氮化物晶体管的正常工作的第一栅极结构的漏极击穿。

    ENHANCEMENT-MODE NITRIDE TRANSISTOR
    4.
    发明申请
    ENHANCEMENT-MODE NITRIDE TRANSISTOR 有权
    增强型氮化物晶体管

    公开(公告)号：US20100084688A1

    公开(公告)日：2010-04-08

    申请号：US12574146

    申请日：2009-10-06

    申请人： Bin Lu ,  Tomas Palacios

    发明人： Bin Lu ,  Tomas Palacios

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7787

    摘要： A heterojunction for use in a transistor structure is provided. The heterojunction includes a barrier layer positioned beneath a gate region of the transistor structure. The barrier layer includes nitride-based semiconductor materials. A channel layer provides electrical conduction An intermediate layer near the barrier layer and including nitride-based semiconductor materials having a wider bandgap than the channel layer

    摘要翻译： 提供了一种用于晶体管结构的异质结。 异质结包括位于晶体管结构的栅极区域下方的势垒层。 阻挡层包括氮化物基半导体材料。 沟道层提供电传导在阻挡层附近的中间层，并且包括具有比沟道层更宽的带隙的氮化物基半导体材料

    User interface apparatus, image processing apparatus, and computer program product
    8.
    发明授权
    User interface apparatus, image processing apparatus, and computer program product 有权
    用户界面装置，图像处理装置和计算机程序产品

    公开(公告)号：US08411290B2

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US11520646

    申请日：2006-09-14

    申请人： Bin Lu ,  Tetsuya Sakayori ,  Iwao Saeki ,  Junichi Takami ,  Toshio Miyazawa ,  Yoshifumi Sakuramata ,  Yoshinaga Kato ,  Yu Sekiguchi

    发明人： Bin Lu ,  Tetsuya Sakayori ,  Iwao Saeki ,  Junichi Takami ,  Toshio Miyazawa ,  Yoshifumi Sakuramata ,  Yoshinaga Kato ,  Yu Sekiguchi

    IPC分类号： G03F3/10

    CPC分类号： H04N1/0044 ,  H04N1/00413 ,  H04N1/00416 ,  H04N1/00432 ,  H04N1/00458 ,  H04N1/00466 ,  H04N1/00472 ,  H04N1/00474 ,  H04N1/00482 ,  H04N1/6013 ,  H04N2201/0094

    摘要： In a user interface apparatus, when a selected position of a to-be-processed image displayed on a display screen is detected through an area detecting unit, a menu display unit displays, in response to the detection of the selected position on the to-be-processed image, a link to at least one setting item being displayed in response to the selected position, the at least one setting item corresponding to a setting available for a setting area which corresponds to the selected position, where an order of display priority of the at least one setting item is determined by a size of the setting area. A determining unit determines that the setting item is specified, and an accepting unit accepts the setting corresponding to the setting item for the to-be-processed image. A preview display unit displays a preview indicating a result of processing the to-be-processed image based on the setting item.

    摘要翻译： 在用户接口装置中，当通过区域检测单元检测到在显示屏幕上显示的待处理图像的选定位置时，菜单显示单元响应于对所选择的位置的检测， 被处理图像，响应于所选择的位置而被显示的至少一个设置项目的链接，所述至少一个设置项目对应于可用于对应于所选位置的设置区域的设置，其中显示优先级 所述至少一个设定项目的大小由所述设定区域的大小决定。 确定单元确定指定了设置项目，并且接受单元接受对应于待处理图像的设置项目的设置。 预览显示单元基于设置项显示指示处理被处理图像的结果的预览。

    Laminated exchange coupling adhesion (LECA) media for heat assisted magnetic recording
    9.
    发明授权
    Laminated exchange coupling adhesion (LECA) media for heat assisted magnetic recording 有权
    用于热辅助磁记录的层压交换耦合粘合（LECA）介质

    公开(公告)号：US08241766B2

    公开(公告)日：2012-08-14

    申请号：US11835476

    申请日：2007-08-08

    申请人： Bin Lu ,  Ganping Ju

    发明人： Bin Lu ,  Ganping Ju

    IPC分类号： G11B5/66

    CPC分类号： G11B5/314 ,  G11B5/1278 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0021

    摘要： An apparatus includes a plurality of bilayer structures positioned adjacent to each other, each of the bilayer structures including a first layer of magnetic material having a first Curie temperature and a second layer of magnetic material positioned adjacent to the first layer, wherein the second layer has a second Curie temperature that is lower than the first Curie temperature, and magnetic grains of the first layer are unstable when the second layer of magnetic material is heated above the second Curie temperature. The recording temperature is reduced due to the smaller switching volume achieved by using vertically decoupled laminations at elevated temperatures.

    摘要翻译： 一种装置包括彼此相邻定位的多个双层结构，每个双层结构包括具有第一居里温度的第一层磁性材料和邻近第一层定位的第二层磁性材料，其中第二层具有 第二居里温度低于第一居里温度时，当第二层磁性材料被加热到高于第二居里温度时，第一层的磁性颗粒是不稳定的。 由于在升高的温度下使用垂直去耦的叠片来实现较小的开关体积，所以记录温度降低。

    System and method of dynamic regulation of real power to a load
    10.
    发明授权
    System and method of dynamic regulation of real power to a load 有权
    对负载的实际功率进行动态调节的系统和方法

    公开(公告)号：US08232760B2

    公开(公告)日：2012-07-31

    申请号：US12541320

    申请日：2009-08-14

    申请人： Bin Lu ,  Ting Yan ,  Steven John Fredette ,  Charles John Luebke

    发明人： Bin Lu ,  Ting Yan ,  Steven John Fredette ,  Charles John Luebke

    IPC分类号： H02P27/00 ,  H02P27/04

    CPC分类号： H02P23/02 ,  H02P23/0077 ,  H02P23/14 ,  H02P27/047

    摘要： A system and method for controlling an AC motor drive includes a control system programmed with an energy algorithm configured to optimize operation of the motor drive. Specifically, the control system input an initial voltage-frequency command to the AC motor drive based on an initial voltage/frequency (V/Hz) curve, receives a real-time output of the AC motor drive generated according to the initial voltage-frequency command, and feedback a plurality of modified voltage-frequency commands to the AC motor drive, each of the plurality of modified voltage-frequency commands comprising a deviation from the initial V/Hz curve. The control system also determines a real-time value of the motor parameter corresponding to each of the plurality of modified voltage-frequency commands, and feeds back a modified voltage-frequency command to the AC motor drive so that the real-time value of the motor parameter is within a motor parameter tolerance range.

    摘要翻译： 用于控制AC电动机驱动器的系统和方法包括用能够优化电动机驱动器的操作的能量算法编程的控制系统。 具体地说，控制系统基于初始电压/频率（V / Hz）曲线向AC电动机驱动器输入初始电压 - 频率指令，接收根据初始电压 - 频率产生的交流电动机驱动的实时输出 命令，并且向AC电动机驱动器反馈多个修改的电压 - 频率命令，所述多个修改的电压 - 频率指令中的每一个包括与初始V / Hz曲线的偏差。 控制系统还确定与多个修改的电压 - 频率指令中的每一个相对应的电动机参数的实时值，并将修改的电压 - 频率命令反馈给AC电动机驱动器，使得实时值 电机参数在电机参数公差范围内。