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    Germanium MOSFET devices and methods for making same
    1.
    发明授权
    Germanium MOSFET devices and methods for making same 有权
    锗MOSFET器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08334181B1

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US12836378

    申请日：2010-07-14

    申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

    摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

    摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍

    Damascene process for forming ultra-shallow source/drain extensions and pocket in ULSI MOSFET
    5.
    发明授权
    Damascene process for forming ultra-shallow source/drain extensions and pocket in ULSI MOSFET 有权
    用于在ULSI MOSFET中形成超浅源极/漏极延伸层和袋的镶嵌工艺

    公开(公告)号：US5985726A

    公开(公告)日：1999-11-16

    申请号：US187635

    申请日：1998-11-06

    申请人： Bin Yu ,  Judy Xilin An

    发明人： Bin Yu ,  Judy Xilin An

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10

    CPC分类号： H01L29/66492 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

    摘要： A method of fabricating an integrated circuit with ultra-shallow source/drain junctions utilizes a dummy or sacrificial gate structure. Dopants are provided through the openings associated with sacrificial spacers to form the source and drain extensions. The openings can be filled with spacers The process can be utilized for P-channel or N-channel metal oxide field semiconductor effect transistors (MOSFETS).

    摘要翻译： 制造具有超浅源极/漏极结的集成电路的方法利用虚拟或牺牲栅极结构。 通过与牺牲间隔物相关联的开口提供掺杂剂以形成源极和漏极扩展。 开口可以填充间隔物该工艺可用于P沟道或N沟道金属氧化物半导体效应晶体管（MOSFET）。

    FinFET device with multiple fin structures
    6.
    发明授权
    FinFET device with multiple fin structures 有权
    FinFET器件具有多个鳍结构

    公开(公告)号：US07679134B1

    公开(公告)日：2010-03-16

    申请号：US10754515

    申请日：2004-01-12

    申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/94

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

    摘要： A semiconductor device includes a group of fin structures. The group of fin structures includes a conductive material and is formed by growing the conductive material in an opening of an oxide layer. The semiconductor device further includes a source region formed at one end of the group of fin structures, a drain region formed at an opposite end of the group of fin structures, and at least one gate.

    摘要翻译： 半导体器件包括一组翅片结构。 翅片结构的组包括导电材料，并且通过在氧化物层的开口中生长导电材料而形成。 半导体器件还包括形成在鳍片结构组的一端处的源极区域，形成在鳍片结构组的相对端处的漏极区域和至少一个栅极。

    Semiconductor device having a thin fin and raised source/drain areas
    8.
    发明授权
    Semiconductor device having a thin fin and raised source/drain areas 有权
    半导体器件具有薄的鳍片和升高的源极/漏极区域

    公开(公告)号：US06911697B1

    公开(公告)日：2005-06-28

    申请号：US10632965

    申请日：2003-08-04

    申请人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

    发明人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01 ,  H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78618

    摘要： A double-gate semiconductor device includes a substrate, an insulating layer, a fin, source and drain regions and a gate. The insulating layer is formed on the substrate and the fin is formed on the insulating layer. The source region is formed on the insulating layer adjacent a first side of the fin and the drain region is formed on the second side of the fin opposite the first side. The source and drain regions have a greater thickness than the fin in the channel region of the semiconductor device.

    摘要翻译： 双栅极半导体器件包括衬底，绝缘层，鳍，源极和漏极区以及栅极。 绝缘层形成在基板上，并且鳍形成在绝缘层上。 源极区域形成在与鳍片的第一侧相邻的绝缘层上，并且漏极区域形成在与第一侧相对的翅片的第二侧上。 源极和漏极区域具有比半导体器件的沟道区域中的鳍片更大的厚度。

    Method for forming a gate in a FinFET device
    9.
    发明授权
    Method for forming a gate in a FinFET device 有权
    在FinFET器件中形成栅极的方法

    公开(公告)号：US06815268B1

    公开(公告)日：2004-11-09

    申请号：US10301732

    申请日：2002-11-22

    申请人： Bin Yu ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy

    发明人： Bin Yu ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

    摘要： A method of forming a gate in a FinFET device includes forming a fin on an insulating layer, forming source/drain regions and forming a gate oxide on the fin. The method also includes depositing a gate material over the insulating layer and the fin, depositing a barrier layer over the gate material and depositing a bottom anti-reflective coating (BARC) layer over the barrier layer. The method further includes forming a gate mask over the BARC layer, etching the BARC layer, where the etching terminates on the barrier layer, and etching the gate material to form the gate.

    摘要翻译： 在FinFET器件中形成栅极的方法包括在绝缘层上形成鳍片，形成源极/漏极区域并在鳍片上形成栅极氧化物。 该方法还包括在绝缘层和鳍上沉积栅极材料，在栅极材料上沉积阻挡层并在阻挡层上沉积底部抗反射涂层（BARC）层。 该方法还包括在BARC层上形成栅极掩模，蚀刻BARC层，其中蚀刻在阻挡层上终止，并蚀刻栅极材料以形成栅极。