利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

58 条记录 (耗时 0.033 秒)

    Tin phosphate barrier film, method, and apparatus
    6.
    发明授权
    Tin phosphate barrier film, method, and apparatus 有权
    磷酸铁阻隔膜，方法和装置

    公开(公告)号：US07749811B2

    公开(公告)日：2010-07-06

    申请号：US12553469

    申请日：2009-09-03

    申请人： Bruce Gardiner Aitken ,  Chong Pyung An ,  Benjamin Zain Hanson ,  Mark Alejandro Quesada

    发明人： Bruce Gardiner Aitken ,  Chong Pyung An ,  Benjamin Zain Hanson ,  Mark Alejandro Quesada

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L51/5253 ,  C23C14/06 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50

    摘要： A method is disclosed for inhibiting oxygen and moisture penetration of a device comprising the steps of depositing a tin phosphate low liquidus temperature (LLT) inorganic material on at least a portion of the device to create a deposited tin phosphate LLT material, and heat treating the deposited LLT material in a substantially oxygen and moisture free environment to form a hermetic seal; wherein the step of depositing the LLT material comprises the use of a resistive heating element comprising tungsten. An organic electronic device is also disclosed comprising a substrate plate, at least one electronic or optoelectronic layer, and a tin phosphate LLT barrier layer, wherein the electronic or optoelectronic layer is hermetically sealed between the tin phosphate LLT barrier layer and the substrate plate. An apparatus is also disclosed having at least a portion thereof sealed with a tin phosphate LLT barrier layer.

    摘要翻译： 公开了一种用于抑制装置的氧气和水分渗透的方法，包括以下步骤：在所述装置的至少一部分上沉积磷酸铁低液相线温度（LLT）无机材料以产生沉积的磷酸锡LLT材料，并热处理 沉积的LLT材料在基本上无氧和无水的环境中以形成气密密封; 其中沉积LLT材料的步骤包括使用包含钨的电阻加热元件。 还公开了一种有机电子器件，其包括基板，至少一个电子或光电子层和磷酸锡LLT阻挡层，其中电子或光电子层气密地密封在磷酸铁LLT阻挡层和基板之间。 还公开了一种装置，其至少一部分用磷酸铁LLT阻挡层密封。

    Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
    7.
    发明授权
    Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device 有权
    密封技术用于减少气密密封装置所需的时间和由此产生的密封装置

    公开(公告)号：US08435604B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US12755023

    申请日：2010-04-06

    申请人： Bruce Gardiner Aitken ,  Chong Pyung An ,  Mark Alejandro Quesada

    发明人： Bruce Gardiner Aitken ,  Chong Pyung An ,  Mark Alejandro Quesada

    IPC分类号： B05D3/02 ,  C23C14/00

    CPC分类号： C23C14/06 ,  C03C3/247 ,  C03C8/24 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3671 ,  C03C17/3678 ,  H01L51/5253

    摘要： A sealing method for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device (e.g., a hermetically sealed OLED device) are described herein. The sealing method includes the steps of: (1) cooling an un-encapsulated device; (2) depositing a sealing material over at least a portion of the cooled device to form an encapsulated device; and (3) heat treating the encapsulated device to form a hermetically sealed device. In one embodiment, the sealing material is a low liquidus temperature inorganic (LLT) material such as, for example, tin-fluorophosphate glass, tungsten-doped tin fluorophosphate glass, chalcogenide glass, tellurite glass, borate glass and phosphate glass. In another embodiment, the sealing material is a Sn2+-containing inorganic oxide material such as, for example, SnO, SnO+P2O5 and SnO+BPO4.

    摘要翻译： 这里描述了用于减少密封装置所需的时间和所得的密封装置（例如，气密密封的OLED装置）的密封方法。 密封方法包括以下步骤：（1）冷却未封装的装置; （2）在冷却装置的至少一部分上沉积密封材料以形成封装装置; 和（3）对封装的装置进行热处理以形成密封装置。 在一个实施方案中，密封材料是低液相线温度无机（LLT）材料，例如锡 - 氟磷酸盐玻璃，掺杂钨的锡氟磷酸盐玻璃，硫族化物玻璃，碲酸盐玻璃，硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃。 在另一个实施例中，密封材料是含Sn2 +的无机氧化物材料，例如SnO，SnO + P2O5和SnO + BPO4。

    Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
    10.
    发明授权
    Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device 有权
    密封技术用于减少气密密封装置所需的时间和由此产生的密封装置

    公开(公告)号：US07722929B2

    公开(公告)日：2010-05-25

    申请号：US11820855

    申请日：2007-06-21

    申请人： Bruce Gardiner Aitken ,  Chong Pyung An ,  Mark Alejandro Quesada

    发明人： Bruce Gardiner Aitken ,  Chong Pyung An ,  Mark Alejandro Quesada

    IPC分类号： B05D3/02 ,  C23C14/00

    CPC分类号： C23C14/06 ,  C03C3/247 ,  C03C8/24 ,  C03C17/3615 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3671 ,  C03C17/3678 ,  H01L51/5253

    摘要： A sealing method for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device (e.g., a hermetically sealed OLED device) are described herein. The sealing method includes the steps of: (1) cooling an un-encapsulated device; (2) depositing a sealing material over at least a portion of the cooled device to form an encapsulated device; and (3) heat treating the encapsulated device to form a hermetically sealed device. In one embodiment, the sealing material is a low liquidus temperature inorganic (LLT) material such as, for example, tin-fluorophosphate glass, tungsten-doped tin fluorophosphate glass, chalcogenide glass, tellurite glass, borate glass and phosphate glass. In another embodiment, the sealing material is a Sn2+-containing inorganic oxide material such as, for example, SnO, SnO+P2O5 and SnO+BPO4.

    摘要翻译： 这里描述了用于减少密封装置所需的时间和所得的密封装置（例如，气密密封的OLED装置）的密封方法。 密封方法包括以下步骤：（1）冷却未封装的装置; （2）在冷却装置的至少一部分上沉积密封材料以形成封装装置; 和（3）对封装的装置进行热处理以形成密封装置。 在一个实施方案中，密封材料是低液相线温度无机（LLT）材料，例如锡 - 氟磷酸盐玻璃，掺杂钨的锡氟磷酸盐玻璃，硫族化物玻璃，碲酸盐玻璃，硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃。 在另一个实施例中，密封材料是含Sn2 +的无机氧化物材料，例如SnO，SnO + P2O5和SnO + BPO4。